Veeco Instruments Inc. 与 ALLOS Semiconductors GmbH 8日宣布取得又一阶段的合作成果,双方共同努力,致力于为microLED生产应用提供业内领先的
电信行业连接着全球数十亿人和数百万家企业。电信行业的增长是以新技术为基础的。这些新技术使互联互通成为可能,为用户提供颇具吸引力的新功能,并证明升级和扩大蜂窝网络基础设施的投资是合理的。伴随着早期 4G LTE 技术支持的数据通信的出现,通信服务呈爆
什么是宽带多级硅基氮化镓功率放大器模块?它有什么作用?2019年2月14日,美国马萨诸塞州洛厄尔 – 全球领先的半导体解决方案供应商MACOM Technology Solutions Inc. (“MACOM”) 宣布推出全新MAMG-100227-010宽带功率放大器 (PA) 模块,扩展其硅基氮化镓 (GaN-on-Si) 功率放大器 (PA) 产品组合。
化合物半导体以不同于硅材料等传统半导体的物理特性,拥有高频、高功率、抗高温、抗高辐射、光电性能优异等特点,特别适合于制造射频通信器件、光电子器件、电力电子器件等,在现今最火热的5G通信、新能源等市场中具有明确而可观的前景,是半导体产业重要的发展方向。
近日,世强与国产品牌英诺赛科(Innoscience)签约,代理其全线产品。本次签约,不仅意味着世强进一步拓展了功率和射频器件的产品线,还意味着英诺赛科的产品采购、资料下载、技术支持等服务内容均可由世强元件电商支持。
陈钰林透露,国产GaN研发取得突破进展,100V、150V、650V三个GaN新品将于2018年12月底试产,2019年正式量产。目前,英诺赛科已有5个产品(40V、60V、100V等)实现小批量生产并有接到订单,这些产品均采用了目前行业领先的8寸Fab产线制造。
数十年来,横向扩散金属氧化物半导体(LDMOS)技术在商业应用中的射频半导体市场领域起主导作用。如今,这种平衡发生了转变,硅基氮化镓(GaN-on-Si)技术成为接替传统LDMOS技术的首选技术。
Veeco 公司 (Nasdaq: VECO)今日宣布和ALLOS Semiconductors (ALLOS)达成了一项战略举措,展示了200mm硅基氮化镓晶圆用于蓝/绿光microLED的生产。维易科和ALLOS合作将其专有外延技术转移到Propel® 单晶圆MOCVD系统,从而在现有的硅生产线上实现生产micro-LED。
近日,日本东芝(Toshiba)宣布将于2015年度末(2016年3月底)退出白光LED领域。而去年7月,东芝宣布计划在2014~2016年度期间投资500亿日元引进新设备,旨在于2016年结束前将白光LED的月产能扩增至15亿件,占据全球白光L
近日,日本东芝(Toshiba)宣布将于2015年度末(2016年3月底)退出白光LED领域。而去年7月,东芝宣布计划在2014~2016年度期间投资500亿日元引进新设备,旨在于2016年结束前将白
核心提示:日本住友电气工业株式会社所属Sumitomo Electric Device Innovations, Inc. (SEDI)已订购一套4 英寸晶圆规格AIXTRON 爱思强CRIUS? MOCVD 系统,以推动用于高频数据传输应用的碳化硅基氮化镓器件产品的生产
据外媒EETasia报道,统计机构HIS预测称2020年硅基氮化镓LED市场占有率将达到40%,目前该种LED市场占有率仅为1%据HIS的统计数据,硅基氮化镓(GaN-on-Si)晶片在LED市场2013-2020年间复合年渗透增长率将会达到69%,届
据外媒EETasia报道,统计机构HIS预测称2020年硅基氮化镓LED市场占有率将达到40%,目前该种LED市场占有率仅为1%据HIS的统计数据,硅基氮化镓(GaN-on-Si)晶片在LED市场2013-2
LEDinside译 英国普莱思半导体(Plessey)宣布推出新一代硅基氮化镓LED。型号为PLW114050,目前正在出样,这是Plessey该系列中首款入门级LED照明产品。Plessey提供被锯成晶圆裸片形式的蓝光PLB010050。
英国普莱思半导体(Plessey)宣布推出新一代硅基氮化镓LED。型号为PLW114050,目前正在出样,这是Plessey该系列中首款入门级LED照明产品。Plessey提供被锯成晶圆裸片形式的蓝光PLB010050。该0.2W器件的光通量最高可达
据报道,德国半导体制造商Azzurro展示了‘1-bin’波长的LED晶圆,该技术可以做到少于3nm波长一致性生产数值,并在开发中得到1nm的结果。该公司表示,该破纪录的1nm成功表明AZZURRO的技术有能力做出‘
据外媒报道,东芝已经开始出售硅基氮化镓白光LED封装产品,期待利用成本竞争优势替代目前市面上的LED器件。LED芯片通常是在昂贵的蓝宝石衬底上制作2英寸或4英寸的晶圆。东芝与普瑞公司已经开发出一种更低成本的制程—
东芝公司(ToshibaCorporation)宣布推出第二代采用硅基氮化镓(GaN-on-Si)工艺打造的白色LED产品。“TL1F2系列”是在200mm硅晶圆上使GaN结晶生长制造而成。新产品计划于2013年11月投入量产。此前,东芝于2012年12月
东芝电子欧洲(TEE)近日推出采用硅基氮化镓(GaN-on-Si)制程研发的第二代LETERASTM白光LED,相比当下的LED器件,1W TL1F2系列的LED是具有成本竞争优势的,可为通用和工业LED照明制造商降低成本。 高性能白光LED通常被
2012通用照明成为最大的LED封装应用领域,LED这种取代性技术将是增长趋势延续到2018年。除了照明领域,其他LED应用市场也在快速发展。当下,封装LED市场为139亿美元,未来五年增速平缓,并将在2018年达到峰值——160