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IMEC与Veeco合作可降低GaN
比利时纳米电子研究中心IMEC与Veeco正在进行项目合作，旨在降低生产硅基氮化镓(GaN-on-Si)功率器件和LED的成本。 IMEC的首席科学家Barun Dutta评论说，“Veeco MOCVD设备的生产力，可重复性，均匀性和
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2018年LED封装市场将达到160亿美元
2012通用照明成为最大的LED封装应用领域，LED这种取代性技术将是增长趋势延续到2018年。除了照明领域，其他LED应用市场也在快速发展。 2018年LED封装市场将达到160亿美元 当下，封装LED市场为139亿美元，未来五年增速
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张乃千：Si基GaN功率器件的发展态势分析
2013年9月5日，首届“第三代半导体材料及应用发展国际研讨会”在深圳成功召开，来自中科院半导体研究所、南京大学、北京大学、科锐公司、西安电子科技大学等研究机构以及企业的近百名人士参加了此次会议。&
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张乃千： Si基GaN功率器件的发展态势分析
LED半导体照明网讯 9月5日，由国家半导体照明工程研发及产业联盟(CSA)、中国国际光电博览会共同主办的“首届第三代半导体材料及应用发展国际研讨会”在深圳成功召开，来自中科院半导体研究所、南京大学、北
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IMEC和Veeco合作力图降低GaN-on-Si生产成本
比利时纳米电子研究中心IMEC与Veeco正在进行项目合作，旨在降低生产硅基氮化镓（GaN-on-Si）功率器件和LED的成本。IMEC的首席科学家BarunDutta评论说，“VeecoMOCVD设备的生产力，可重复性，均匀性和晶体质量为我们在
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德国Azzurro推出“1bin”硅基氮化镓LED晶圆
据报道，德国半导体制造商Azzurro展示了‘1-bin’波长的LED晶圆，该技术可以做到少于3nm波长一致性生产数值，并在开发中得到1nm的结果。该公司表示，该破纪录的1nm成功表明AZZURRO的技术有能力做出‘1bin’硅基氮化镓
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Veeco与IMEC宣布合作 力图降低GaN-on-Si生产成本
比利时纳米电子研究中心IMEC与Veeco正在进行项目合作，旨在降低生产硅基氮化镓(GaN-on-Si)功率器件和LED的成本。 IMEC的首席科学家Barun Dutta评论说，“Veeco MOCVD设备的生产力，可重复性，均匀性和晶体质量为我们
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英国普莱塞推出蓝色硅基LED更高辐射功率
英国普莱塞半导体（PlesseySemiconductors）宣布推出其基于硅基氮化钾制造平台的产品。新产品在420mA的条件下可以提供350mW的辐射功率。早在今年4月，普莱思就宣布将推出可论证硅基氮化镓技术的PL111010LED产品，这些
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更高辐射功率 普莱塞推出蓝色硅基LED
英国普莱塞半导体(Plessey Semiconductors)宣布推出其基于硅基氮化钾制造平台的产品。新产品在420mA的条件下可以提供350mW的辐射功率。 早在今年4月，普莱思就宣布将推出可论证硅基氮化镓技术的PL111010LED产品，这些
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硅基氮化镓在大功率LED的研发及产业化
日前，在广州举行的2013年LED外延芯片技术及设备材料最新趋势专场中，晶能光电硅衬底LED研发副总裁孙钱博士向与会者做了题为“硅衬底氮化镓大功率LED的研发及产业化”的报告，与同行一道分享了硅衬底大功率
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散热技术技术突破 无封装LED将现身
除了从系统角度强化散热性能外，随着LED照明的应用普及，对于散热基板的要求日趋严苛，LED基板材料及技术在近年的开发也有所进展，目前最新的趋势是对于硅基氮化镓(GaN-on-Silicon)的研发。基本上，由于蓝宝石基板面
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散热技术技术突破 无封装LED将现身
除了从系统角度强化散热性能外，随着LED照明的应用普及，对于散热基板的要求日趋严苛，LED基板材料及技术在近年的开发也有所进展，目前最新的趋势是对于硅基氮化镓(GaN-on-Silicon)的研发。基本上，由于蓝宝石基板面
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东芝拟收购美国普瑞白色LED芯片业务
日本东芝公司日前宣布，已经与美国照明行业巨头普瑞公司(Bridgelux)达成协议，将收购普瑞公司白色LED芯片业务相关资产，同时将其旗下的研发部门和研究人员一并接纳。东芝称与普瑞公司达成的协议包括技术和资产购买，
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安森美加入imec项目 开发下一代硅基氮化镓功率器件
安森美半导体(ON Semiconductor)加入了领先纳米电子研究中心imec的多合作伙伴业界研究及开发项目，共同开发下一代硅基氮化镓(GaN-on-Si)功率器件。氮化镓具有优异电子迁移率
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安森美半导体加入imec的硅基氮化镓研究项目
应用于高能效电子产品的首要高性能硅方案供应商安森美半导体(ONSemiconductor，美国纳斯达克上市代号：ONNN)加入了领先纳米电子研究中心imec的多合作伙伴业界研究及开发项目，共同开发下一代硅基氮化镓(GaN-on-Si)功
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安森美加入imec项目 开发下一代硅基氮化镓功率器件
安森美半导体(ON Semiconductor)加入了领先纳米电子研究中心imec的多合作伙伴业界研究及开发项目，共同开发下一代硅基氮化镓(GaN-on-Si)功率器件。氮化镓具有优异电子迁移率、更高击穿电压及良好导热性的特性，使其非
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安森美加入imec硅基氮化镓研究项目
应用于高能效电子产品的首要高性能硅方案供应商安森美半导体(ON Semiconductor，美国纳斯达克上市代号：ONNN)加入了领先纳米电子研究中心imec的多合作伙伴业界研究及开发项目，共同开发下一代硅基氮化镓(GaN-on-Si)功
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安森美半导体加入imec的硅基氮化镓研究项目
21ic讯 安森美半导体(ON Semiconductor)加入了领先纳米电子研究中心imec的多合作伙伴业界研究及开发项目，共同开发下一代硅基氮化镓(GaN-on-Si)功率器件。氮化镓具有优异电子迁移率、更高击穿电压及良好导热性的特性
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新技术：8英寸LED芯片实现突破
领先的LED照明技术及解决方案开发商和制造商普瑞光电公司与世界领先的半导体制造商东芝公司今日宣布，在年初两家公司达成合作协议短短几个月后，两家公司共同研发出了行业顶级8英寸硅基氮化镓LED芯片。该芯片仅1.1毫
