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常用可控硅、双向可控硅电路设计
电力电子系统必须以极高的能效作为其首要要求。换句话说，电源电路必须有效，并且它产生的热量必须由卓越的冷却系统带走。
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Microchip推出压接式端子电源模块SP1F和SP3F 实现自动化安装过程，为大批量生产提供免焊接解决方案
SP1F和SP3F电源模块采用碳化硅(SiC)或硅 (Si)技术，可配置性高并适配压接式端子
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华为、哈工大联手：基于硅和金刚石的三维集成芯片专利公布
11月21日消息，据企查查显示，近日，华为技术有限公司、哈尔滨工业大学申请的“一种基于硅和金刚石的三维集成芯片的混合键合方法”专利公布。
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双向可控硅型号及其命名介绍
双向可控硅是一种重要的半导体器件，可以在交流电路上控制双向导通和关断。是一种以硅单晶为基本材料的P1N1P2N2四层三端器件，创制于1957年，由于它特性类似于真空闸流管，所以国际上通称为硅晶体闸流管，简称可控硅T。又由于可控硅最初应用于可控整流方面所以又称为硅可控整流元件，简称为可控硅SCR。
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TrendForce集邦咨询：光伏上游材料价格3月进入反转态势，下游模块厂对后市乐观看待
Mar. 8, 2023 ---- 据TrendForce集邦咨询研究显示，为抑制2022年12月以来硅料价格断崖式的下跌，领头的一线厂开始节制硅料市场供给量，使硅料价格在春节前已开始止跌反弹，急速回升至目前每公斤220~240人民币。但与此同时，硅料企业并未明显下调开工率，已开始出现库存堆积，价格也出现停涨，3月起将转跌，月跌幅约3.2%。
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从概念到现状，一文读懂FD-SOI
全耗尽型绝缘体上硅（FD-SOI）是一种平面工艺技术，依赖于两项主要技术创新。首先，在衬底上面制作一个超薄的绝缘层，又称埋氧层。
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2022年第三季度，全球硅晶圆出货量创下3741百万平方英寸 (MSI) 的新纪录
国际半导体产业协会SEMI今天(7日)在其半导体行业年度硅出货量预测报告中指出，今年全球硅晶圆出货量将同比增长4.8%，达到近14700百万平方英寸的历史新高。
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硅芯片的巨大突破，格罗方德90nm硅光子工艺
据业内信息，今年Q1季度的时候，格罗方德发布了FotonixTM新平台用300mm芯片生产的规模效率控制工艺，芯片集成了高性能射频、数字CMOS以及硅光子(SiPH)电路，而硅光子是硅芯片的巨大突破。
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硅晶圆出货近147亿平方英寸，半导体产品创新高
据业内信息，国际半导体产业协会预计今年的硅晶圆出货量会达到146.94亿平方英寸，相比于2021年140.17亿平方英寸增长4.8%。
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宽带隙半导体
室温下，Si的带隙为1.1eV，GaAs的带隙为1.43eV，一般把室温下带隙大于2.0eV的半导体材料归类于宽带隙半导体，宽带隙半导体在蓝、紫光和紫外光电子器件，高频、高温、高功率电子器件及场发射器件方面应用广泛。
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多晶硅及其生产方法
多晶硅，是单质硅的一种形态。熔融的单质硅在过冷条件下凝固时，硅原子以金刚石晶格形态排列成许多晶核，如这些晶核长成晶面取向不同的晶粒，则这些晶粒结合起来，就结晶成多晶硅。
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硅的应用领域
高纯的单晶硅是重要的半导体材料。在单晶硅中掺入微量的第IIIA族元素，形成p型硅半导体
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泛林硅部件推动产业发展
通过推动相关材料的创新，泛林能够提供更优秀的刻蚀设备，在满足高深宽比相关苛刻要求的同时，保障卓越性能和成本效益。
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赢创加入欧盟ReProSolar研究项目，参与光伏组件回收工艺开发
赢创近日宣布加入欧盟ReProSolar研究项目，该项目旨在开发一种高效、特殊的工艺来回收报废的光伏组件。
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当碳化硅变成地摊货
碳(C)是元素周期表中第六号元素，在生活中比较常见，在有机化学中也扮演者重要角色。碳形成的物质性质差异很大，有自然界硬度最大的金刚石，也有质地非常柔软的石墨。硅(Si)与碳处于周期表中的同一列，所以二者化学性质也相似。硅在自然界中主要以硅酸盐或二氧化硅的形式存在，储量丰富。提取到纯度99%以上的硅单质开创了“信息时代”，硅制成的集成电路与晶体管等半导体器件的生产大大加速了信息化的进程，而二氧化硅制造的光纤更是将世界连接了一起。碳与硅比较常见，那你有没有想过碳+硅是什么呢?
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硅3D集成技术的新挑战与新机遇
从低密度的后通孔TSV硅3D集成技术，到高密度的引线混合键合或3D VSLI CoolCubeTM解决方案，研究人员发现许多开发新产品的机会。
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半导体中的silicon为何翻译成硅而非矽？这还得从民国说起
提到半导体，大家都知道各种处理器、闪存、内存等芯片都是基于半导体技术的，而我们现在常用的半导体实质上是硅基半导体，硅是这个行业最重要的材料。说到硅，很多人也见过另一个词矽，为什么国内现在翻译成硅而不是
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中国研制出垂直结构“硅-石墨烯-锗晶体管”，超高速晶体管再获突破
11月10日，记者今天从中国科学院金属研究所获悉，该所沈阳材料科学国家研究中心先进炭材料研究部科研人员首次制备出以肖特基结作为发射结的垂直结构晶体管“硅-石墨烯-锗晶体管”，成功将石墨烯基区晶体管
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氮化镓是未来的硅？
相对硅，氮化镓拥有跟宽的带隙，宽带隙也意味着，氮化镓能比硅承受更高的电压，拥有更好的导电能力，并且可以承受比硅更高的电压。简而言之，相同体积下，氮化镓比硅的效率高出不少。
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急需自主发展，我国集成电路用硅几乎完全依赖进口
据陈全训介绍，2017年，我国集成电路进口额1.76万亿元人民币，远超过石油和天然气的1.1万亿元，是最大的进口商品，但集成电路用12英寸硅片几乎完全依赖进口。
