碳纳米管

同方威视研制的世界首套静态CT系统入选核技术应用领域十件大事

北京2022年9月23日 /美通社/ -- 9月21日，国家原子能机构在京举办2022年第三季论坛，发布核技术应用领域十件大事，展示了核技术近年来在国民经济领域的重大应用成果。同方威视自主研发的世界首套基于碳纳米管冷阴极分布式X射线源的静态CT智能安检系统成功入选。 入选核技术...

碳纳米管使固体热界面材料成为可能

当今市场需要具有先进功能和日益紧凑尺寸的电子设备。小型化趋势使设计人员面临艰巨的挑战，这首先与所需组件的集成密度不断提高以及不可避免的过热问题有关。 在本文中，我们将了解 Carbice 公司开发的基于碳纳米管的方法如何能够创建一个有效的冷却系统，该系统将液体和固体热界面材料 (TIM) 的特性结合在一个单一的解决方案。

2022年日内瓦国际发明特别展公布获奖名单，同方威视获一金三银

（全球TMT2022年4月20日讯）近日，2022年日内瓦国际发明特别展对外公布获奖名单，同方威视申报的参赛项目全部获奖，斩获1项金奖、3项银奖，核心技术成果得到国际权威认可。日内瓦国际发明展创办于1973年，由瑞士联邦政府、日内瓦州政府、日内瓦市政府、世界知识产权组织共同举办...

一金三银，同方威视首次亮相日内瓦国际发明展收获满满

北京2022年4月20日 /美通社/ -- 近日，2022年日内瓦国际发明特别展对外公布获奖名单，同方威视申报的参赛项目全部获奖，斩获1项金奖、3项银奖，核心技术成果得到国际权威认可。 同方威视参加日内瓦国际发展获奖证书 日内瓦国际发明展创办于1973年，由瑞士联邦政府、日内...

碳纳米管场发射电流密度衰减特性的研究进展

摘要:从1995年碳纳米管场发射实验研究报道以来,碳纳米管因其优异的电学特性、大长径比,被认为是21世纪最具有应用潜力和研究价值的场发射电子源。然而,碳纳米管的发射电流密度不稳定问题严重困扰着人们对其进一步开发应用,在高电压下高电流密度维持不稳定、寿命短等问题一直是器件应用的主要障碍。现主要从碳纳米管场发射电流密度的影响因素入手,介绍接触电阻、空间电荷效应以及相邻碳纳米管间的相互作用等3种可能导致场发射电流密度不稳定、降低的物理机理,对碳纳米管场发射器件分析和应用具有参考意义。

LG化学将加速进军极富前景的碳纳米管市场

关于现在的锂离子电池负极材料的特点以及发展方向

随着全球多样化的发展，我们的生活也在不断变化着，包括我们接触的各种各样的电子产品，那么你一定不知道这些产品的一些组成，比如锂离子电池负极材料。

物联网智能设备带动传感器快速发展

　　在物联网的智能设备将使用越来越多的传感器，这些传感器将于过去的传感器发生巨大变化。在小型化，集成和材料科学的进展推动灵敏度的限制，空间和成本，用于定义和传感器可以使用哪些功能，他们可以执行。

一分钟快速了解碳纳米管芯片：超长手机续航 皮肤贴合传感器等

近日，国内科技产业缺少核心芯片技术一事引发关注。此前据媒体2017年报道，北京大学教授彭练矛带领团队成功使用碳纳米管制造出芯片晶体管，工作速度5-10倍于同尺寸的硅基晶体管，能耗只有其10分之1

中国研发出超强碳纳米管纤维，甚至能用于制造通往太空的电梯

港媒称，中国清华大学的一个研究团队称，他们研发了一种高强度的纤维，甚至能用于制造一台通往太空的电梯。据香港《南华早报》网站10月26日报道，他们说，仅1立方厘米的用碳纳米管制成的纤维就能承受16

高密度、高纯度半导体碳纳米管阵列

近期，美国咄咄逼人的打压华为，中国半导体领域会强势崛起，还是就此落后?对于西方对中国的技术封锁，我们也已经不是第一次遇到了，面对打压，我们始终是越挫越勇。因此，毫无疑问，美国对中国半导体的打压，将会倒逼半导体提速国产化进程。

碳纳米管由实验室走向工业场景

现代微处理器是世界上最复杂的系统之一，但其核心是一个非常简单而优美的器件——晶体管。微处理器中有数十亿个近乎完全相同的晶体管。因此，提高晶体管的性能和密度是促使微处理器及受其驱动的计算机更高效工作的最直接的方法。

SABIC 沙特基础工业公司收购储能用碳纳米管公司多数股权

沙特基础工业公司(SABIC)今天宣布已收购2014年成立的纳米技术公司Black Diamond Structures(“BDS”)的多数股权。BDS主要从事改性碳纳米管专有技术MOLECULAR REBAR®的生产和商业化，该技术可显著提高铅酸和锂离子电池的性能水平，在储能领域拥有极大的应用前景。

我国科学家首次制备出米级尺寸单壁碳纳米管薄膜

中科院金属研究所孙东明团队联合刘畅团队，研发了一种连续合成、沉积和转移单壁碳纳米管薄膜的技术，首次在世界范围内制备出米级尺寸高质量单壁碳纳米管薄膜，并基于此构建出高性能的全碳薄膜晶体管(TFT)和集成电路(IC)器件。

低成本太阳能可期！中科院碳纳米管复合薄膜太阳能电池研究获进展

目前，传统硅基太阳能电池依然占据主流光伏市场，然而，限制硅基光伏产业发展的主要因素是其生产成本偏高、制备过程繁琐。所以发展高效率、低成本、大面积和适合大规模生产的太阳能电池已迫在眉睫。宏观碳纳米管薄膜具有良好的力学、电学、光学等性质，而且是柔性的。通过调节生长参数，可以获得高透光率(可达95%)、高电导率(105 S m-1)的碳纳米管薄膜。碳纳米管和硅可以在室温下形成p-n结，无需传统硅基太阳能电池中的高温掺杂，这种新型的低成本太阳能电池易大规模生产，具有非常广阔的应用前景。有机导电聚合物可以通过溶液方

碳纳米管在相同尺寸上的性能超过硅晶体管

硅基互补金属氧化物半导体(CMOS)晶体管已经很难再继续缩小下去，碳纳米管是替代硅的候选纳米材料之一，碳纳米管晶体管的主要技术挑战过去几年已被陆续得到解决。

石墨烯强势领跑2016中国国际碳材料大会！

如果说20世纪是硅材料的时代，那么21世纪毫无疑问将是碳材料的时代。碳纤维、石墨烯、碳纳米管等碳材料已经成为新材料家族非常重要的成员。2016年12月8日，2016中国国际碳

碳纳米管望催生超级锂电池：充电速度提百倍

据媒体目前报道，日本钟化公司与爱知工业大学的研究小组开发出了充电速度提高100多倍的锂离子电池。电池使用研究小组独立开发的有机材料让手机充电仅需要10分钟。研究人员争

IBM研制9nm碳纳米管

如果IBM Research的碳纳米管晶体管研究能有所突破，国际半导体技术蓝图(ITRS)的2028年硅材料“末日预言”时间将得以延续。根据IBM表示，研究人员们已经找到一种可将通道长度缩短至1.8nm节点(4个技术世代后)的方式，预计最终还将超越埃(angstrom;纳米的十分之一)等级。果真如此，摩尔定律(Moore's Law)就能沿用相同极紫外光(EUV)微影互补金属氧化物半导体(CMOS)工艺技术，顺利地延续到次纳米级(埃)工艺。

IBM宣布碳纳米管将替代硅晶体管 延续摩尔定律

当价格不变时，集成电路上可容纳的元器件的数目，约每隔18-24个月便会增加一倍，性能也将提升一倍。——摩尔定律近年来，摩尔定律似乎已经走到了其尽头，业界唱衰声不断。然而，当前IBM正在开发一种非常非