4月12日,北京。戴安公司应用技术讲座在北京翠宫饭店举行,来自中科院各研究机构、清华北大等高校、质检机构、各大医院、药检所的分析工作者和专家,以及网络和新闻媒体的170多位嘉宾参加了本次会议。 提到戴安公司,
罗丹明B,也称玫瑰红B,俗称花粉红,是一种碱性荧光染料。光度测定金、镓、汞、锑(V)、铊(III);荧光测定锰、钴等,比色测定镉;氧化还原指示剂用以滴定锡、锑、铌、钽的沉淀剂;生物染色剂;系列激光染料。我国和欧
人类的各种用电器,从电灯泡到iPod都是通过电子来传输信息,而人体和其他生物自身却是用离子和质子来传输信号并执行任务。据美国物理学家组织网近日报道,华盛顿大学材料科学家制造出一种能传输质子流的新式晶体管,
由于现今的电子产品不仅需要高效率的散热装置,还必须在比以往更小、更薄的空间内运作,但是较小型的散热风扇要产生更大的工作量及更快的转速,才能达到如大型风扇一样的空气流通量。只是提高转速的同时也意味着噪音
伊利诺伊大学厄巴纳—香槟分校(University of Illinois at Urbana-Champaign)材料科学和工程教授Paul Braun同硕士生于新迪(Xindi Yu)、博士后研究员张惠刚(Huigang Zhang)研制出了拥有三维纳米结构电极的电
从月球卫星变成太阳系的探测器,这可能么?当然可能,虽然要克服很多困难,但是我国的嫦娥二号还是做到了。目前,嫦娥二号已经到达拉格朗日L2点,并稳定运行了5天。而之后的一年中,围绕拉格朗日L2点看展一系列探测活
Johnson Controls, Inc.和Saft已达成协议,结束其合资公司 Johnson Controls-Saft。该合资公司建于 2006 年,主营锂离子汽车电池的开发和制造。据协议条款,Johnson Controls 将现金收购Saft所占 $1.45 亿美元的公司
量产 “上海先进”(ASMC /上海先进半导体制造股份有限公司)在MEMS(微机电系统)代工领域取得重大进展,在打造国内MEMS工艺生产平台的同时首条MEMS工艺生产线已进入量产。“上海先进”MEMS 生产线可以代工的器件包
“上海先进”(ASMC/上海先进半导体制造股份有限公司)在MEMS(微机电系统)代工领域取得重大进展,在打造国内MEMS工艺生产平台的同时首条MEMS工艺生产线已进入量产。“上海先进”MEMS生产线可以代工的器件包括:三轴
稀土掺杂TiO2纳米晶敏化发光和上转换发光示意图 稀土离子和半导体纳米晶(或量子点)本身都是很好的发光材料,二者的有效结合能否生出新型高效发光或激光器件一直是国内外学者关注的科学问题。与绝缘体纳米晶相
“上海先进”(ASMC /上海先进半导体制造股份有限公司)在MEMS(微机电系统)代工领域取得重大进展,在打造国内MEMS工艺生产平台的同时首条MEMS工艺生产线已进入量产。 “上海先进”MEMS 生产线可以代工的器件包括:
“上海先进”(ASMC/上海先进半导体制造股份有限公司)在MEMS(微机电系统)代工领域取得重大进展,在打造国内MEMS工艺生产平台的同时首条MEMS工艺生产线已进入量产。“上海先进”MEMS 生产线可以代
目前,我国印制电路板(PCB)产量位居世界第一,产品质量及技术水平也得到很大提升。然而要使PCB行业实现可持续发展,企业必须在节能减排、清洁生产上下工夫。日前在江苏大丰召开的“2011年环保技术研讨会”
近日,日本研究人员开发出“超离子”固态锂电池,这种高导电性的固态锂电池能在更宽的温度范围下供电,抵抗物理损伤和高温的能力更强,如果大量生产有望降低消费型电子设备的价格。目前高能效、高密度的化学电池只能
摘要:硅在微电子学领域有着极其广泛的应用,但它是一种间接能隙半导体,发光器件领域是它的缺项。利用在硅中掺入铒发光中心,研制出一种新的发光二极管(Si:Er LED),它的发光波长为1.54 μm,恰好满足石英光纤通
摘要:硅在微电子学领域有着极其广泛的应用,但它是一种间接能隙半导体,发光器件领域是它的缺项。利用在硅中掺入铒发光中心,研制出一种新的发光二极管(Si:Er LED),它的发光波长为1.54 μm,恰好满足石英光纤通
近年来,在政府的大力推动下,国内外企业纷纷参与led开发和应用,抢滩潜力巨大的中国LED照明市场,一场来势汹涌的LED大潮已经迅速席卷了整个中国照明行业。然而,尽管LED照明市场炙手可热,但与光伏产业类似,处于成
大发工业于近日宣布开发出了可在JC08模式下实现30km/L燃效的技术“e:s Technology”。据大发工业介绍,通过改进动力传动系统和车身构造等,燃效可比原来提高约40%。预定2011年9月上市的新款车,将配备此
展示的样品为了便于观察,由150mm和75mm不同尺寸(直径)的晶圆接合而成。对各自表面上形成的铜层进行了常温接合。笔者拍摄。(点击放大) 在形成有硅贯通电极(TSV)的LSI的三维积层中,晶圆表面上形成的金属层之