在半导体产业盛会Semicon West 2010上,GlobalFoundries公布了该公司推动极紫外(EUV)光刻技术投入量产的一些规划细节。按照这份计划书,GF将在 2014-2015年左右将极紫外光刻技术推向商用,届时半导体制造工艺也会进化
专家呼吁应对LED灯进行“光生物安全”强制检测 “光生物安全性”可以理解为“光学辐射”,在一些光源或灯具发出的光谱中,除了可见光外,还有紫外光和红外光,对人的眼睛和皮肤会产生不同程度的光化学紫外危害和红外
在新式半导体光刻技术中,极紫外光刻(EUV)被认为是最有前途的方法之一,不过其实现难度也相当高,从上世纪八十年代开始探寻至今已经将近三十年,仍然未能投入实用。 极紫外光刻面临的关键挑战之一就是寻找合适的光
大家买灯具多数会关注其漏电安全,但另一种安全——“光生物安全”实际上也值得重视。从负责光电检验的专家处了解到,“光生物安全”检测不合格的灯具可能将人照伤,还可能伤害人的眼睛。特别是利用蓝光或者紫外光发
这项设备将安装于台积电的超大晶圆厂——台积十二厂,用以发展新世代的工艺技术。台积电也将成为全球第一个可以在自身晶圆厂发展超紫外光微影技术的专业集成电路制造服务业者。 【IT商业新闻网讯】(记者 周元英)2
摩尔定律预测,2015年16奈米的晶体管将迈入量产,然而16奈米目前却有着难以突破的瓶颈。国家奈米组件实验室研发的创新技术,让整个微影制程缩减为只需一个步骤就可以完成,而且不需光罩、光阻,可大幅省下制程成本
TSMC与荷兰艾司摩尔(ASML)公司共同宣布,TSMC将取得ASML公司TWINSCAN NXE:3100 - 超紫外光(Extreme Ultra-violet,EUV)微影设备,是全球六个取得这项设备的客户伙伴之一。 这项设备将安装于TSMC的超大晶圆厂(G
晶圆代工大厂台积电(TSMC)日前与荷兰半导体设备业者艾司摩尔(ASML)共同宣布,台积电将取得ASML的TWINSCAN NXE:3100超紫外光(Extreme Ultra-violet,EUV)微影设备,是全球六个取得这项设备的客户伙伴之一。 该套AS
〔记者洪友芳/新竹报导〕虎年开市,晶圆双雄股价持稳上涨,带动晶圆代工类股皆收红,夺得新春好采头,台积电(2330)并宣布取得荷商ASML公司的超紫外光微影设备,以发展新世代制程技术,有机会降低生产成本。 台
台积电与荷兰艾司摩尔(ASML)公司今(22)日共同宣布,台积公司将取得ASML公司TWINSCAN? NXE:3100 超紫外光(Extreme Ultra-violet,EUV)微影设备,是全球六个取得这项设备的客户伙伴之一。 台积电指出,这项设备将
全球晶圆代工霸主台积电(TSM-US;2330-TW)虎年持续跃进,今(22)日与荷兰艾司摩尔(ASML;ASML-US)共同宣布,台积电将取得ASML公司的TWINSCAN NXE:3100超紫外光(Extreme Ultra-violet,EUV)微影设备,将安装于台积电
TSMC与荷兰艾司摩尔(ASML)公司今日共同宣布,TSMC将取得ASML公司TWINSCAN™ NXE:3100 - 超紫外光(Extreme Ultra-violet,EUV)微影设备,是全球六个取得这项设备的客户伙伴之一。这项设备将安装于TSMC的超大晶圆
全球最大半导体微显影设备业者ASML表示,目前客户订单增加相当多,但主是来自半导体业者制程微缩而非产能扩充的需求,半导体业者仍持续微缩半导体制程,摩尔定律预料将持续延续。以目前ASML最先进的浸润式微显影机种
22纳米制程微显影曝光设备业者Mapper传出设备进度递延,Mapper目前是与台积电在新世代半导体曝光设备合作最密切的业者之一,Mapper的进度递延已经让原本预期进驻台积电的22纳米多重电子束(Multiple E-beam)设备向后延
欧洲研究机构IMEC计划扩充其12吋旗舰晶圆厂以提升产能,并计划在2010年出开始提供试产用的超紫外光微影(extremeultravioletlithography)工具。该研究机构的总裁暨执行长GilbertDeclerck亦透露,IMEC位于比利时Leuven
在第九届高交会上,广东雪莱特光电科技股份有限公司推出自己的紫外光激发平面光源(UFL)技术,UFL是一种以紫外光源激发外部荧光层,形成均匀平面光源的全新背光技术。有别于传统的设计,UFL拥有非常出色的广色域色彩
曾经看来大有希望的远紫外(EUV)光刻技术面临着重重困难,193纳米沉浸式技术似乎成为了必然的选择,但成本高昂,而且很难延伸到16纳米节点以下。半导体光刻工艺正面临着技术和成本方面的双重压力。 半导体光刻工艺面临
介绍了单片机内部密码破解的常用方法,重点说明了侵入型攻击/物理攻击方法的