8月10日晚间消息,中芯国际今日晚间公布其截至2011年6月30日的第二财季报告。第二财季营收为3.524亿美元,与第一财季3.706亿美元相比下降4.9%,较去年同期下降5.9%。第二财季毛利率为14.3%,较第一财季的18.6%有所下
近日,中科院苏州纳米技术与纳米仿生研究所与德国AIXTRON SE签订了“MOCVD培训中心”共建合作协议。苏州纳米所所长杨辉与德国AIXTRON SE首席财务官Wolfgang Breme进行了签约。双方将发挥各自优势,培训高端
据本周四纽约州当地的某媒体援引工会官员的话爆料称,GlobalFoundries可能正悄悄在纽约州兴建另外一所新的芯片厂(或至少是对Fab8芯片厂的规模进行超出原计划的扩建)。据这位官员称:“我们听说GlobalFoundries正
意法半导体(STMicroelectronics,简称ST)与CMP(Circuits Multi Projets)携手宣布,大专院校、研究实验室及企业可通过CMP提供的芯片中介服务使用意法半导体的28纳米(nm)CMOS制程开发芯片设计。 双方在上一代CM
据国外媒体报道,以色列工业和贸易部周日称,英特尔正计划再一次扩建在以色列南部的芯片厂并且要求以色列政府提供一部分资金。 以色列工业和贸易部称,英特尔计划投入48亿美元扩建在以色列南部的Kiryat Gat市的第28芯
昨日,省科技投资集团与中芯国际集成电路制造公司正式签署合资合同,标志着双方的合作迈上新台阶:双方将对武汉新芯集成电路制造有限公司12英寸芯片生产线项目实施合资经营,五年内,武汉新芯的年产能将扩产至4.5万片
李鸿忠等出席省科投与中芯国际合资签约 武汉新芯年产能将达4.5万片 本报讯(记者李晓萌 郑新荣)昨日,省科技投资集团与中芯国际集成电路制造公司正式签署合资合同,标志着双方的合作迈上新台阶:双方将对武汉
台湾积体电路制造股份有限公司(Taiwan Semiconductor Manufacturing Co.,TSM,简称:台积电)周四表示,在2D芯片容量达到极限之前,公司不会启用3D晶体管技术生产半导体,而且3D技术的基础条件尚不成熟。英特尔(Intel
台湾积体电路制造股份有限公司(Taiwan Semiconductor Manufacturing Co., TSM, 简称:台积电)周四表示,在2D芯片容量达到极限之前,公司不会启用3D晶体管技术生产半导体,而且3D技术的基础条件尚不成熟。 英特尔(
4月27日,艾诗缇护肤品冠名中央电视台第六届CCTV电视节目主持人大赛,将业界的目光再次吸引到“ASTALIFT艾诗缇”,这个源自于世界500强企业富士胶片集团的护肤品牌身上。 很多消费者对富士公司的认识都源于富士
中芯国际集成电路制造有限公司(以下简称“中芯国际”),中国规模最大、技术最先进的集成电路代工厂,日前宣布截至二零一零年十二月三十一日止年度的经审核合并业绩。 摘要资料包括: 销售额由二零零九年的
为了减少原始用料的浪费和环境污染,科学家们推出了一种新型照明技术,可以不必另行铺设电源线路和架设照明灯具,而是让街道两旁的树木为夜晚的街面提供光源。台湾的苏博士称,给树木注射的金纳米粒子可以诱导植物叶
为了减少原始用料的浪费和环境污染,科学家们推出了一种新型照明技术,可以不必另行铺设电源线路和架设照明灯具,而是让街道两旁的树木为夜晚的街面提供光源。台湾的苏博士称,给树木注射的金纳米粒子可以诱导植物叶
日本名古屋大学的Yutaka Ohno教授、芬兰阿尔托大学的EskoI.Kauppinen教授及其研究团队最近发现了一种新方法,可以在塑料基底上快速、简单地制造高性能薄膜晶体管,并且已经成功利用这种新技术制造了世界上第一个由碳
中芯国际集成电路制造有限公司于2011年12月17日公布截至二零一零年十二月三十一日止三个月的综合经营业绩。 二零一零年第四季概要 二零一零年第四季的总销售额,由二零一零年第三季的四亿一千零一十万元上升
半导体代工制造商中芯国际今日发布截至2010年12月31日的第四季度财报。财报显示,第四季度中芯国际总销售额达到4.12亿美元,同比增长23.6%;股东所占净利润为6857万美元,去年同期亏损6.18亿美元。第四季度,毛利率由
半导体代工制造商中芯国际今日发布截至2010年12月31日的第四季度财报。财报显示,第四季度中芯国际总销售额达到4.12亿美元,同比增长23.6%;股东所占净利润为6857万美元,去年同期亏损6.18亿美元。第四季度,毛利率由
半导体代工制造商中芯国际今日发布截至2010年12月31日的第四季度财报。财报显示,第四季度中芯国际总销售额达到4.12亿美元,同比增长23.6%;股东所占净利润为6857万美元,去年同期亏损6.18亿美元。第四季度,毛利率由
近日,瑞士洛桑联邦理工学院(EPFL)纳米电子学与结构(LANES)实验室称,用一种名为辉钼(MoS2)的单分子层材料制造半导体,或用来制造更小、能效更高的电子芯片,在下一代纳米电子设备领域,将比传统的
近日,瑞士洛桑联邦理工学院(EPFL)纳米电子学与结构(LANES)实验室称,用一种名为辉钼(MoS2)的单分子层材料制造半导体,或用来制造更小、能效更高的电子芯片,在下一代纳米电子设备领域,将比传统的硅材料或富勒