近来有网络媒体称,“中微半导体自主研制的5纳米等离子体刻蚀机,性能优良,将用于全球首条5纳米芯片制程生产线”,并评论说“中国芯片生产技术终于突破欧美封锁,第一次占领世界制高点”“中国弯道超车”等等。
1月27日,上海市第十五届人民代表大会第二次会议正式开幕,上海市市长应勇作政府工作报告,报告中回顾了2018年上海市的发展状况,并对2019年的重点工作及任务作出规划。上海市作为全国集成电路产业重要集聚区,其2019年政府工作报告中多处提及集成电路。
3D打印作为具有代表性的前沿技术之一,其在多个领域的应用状况一直受到世界各国的高度关注。近几年,在世界各国的共同推动下,3D打印前沿技术研发速度不断加快,这些技术在各行业的应用程度也日益深入。目前,3D打印的应用场景已经从工艺品设计、文物修复拓展至工业制造、生物医疗等领域,并为相关领域的发展提供了有力的技术支撑。
虽然还不能让人类像“蚁人”或“黄蜂女”那样缩小,但麻省理工的研究人员们,已经掌握了纳米级的“内爆制造”(Implosion Fabrication)工艺,可以“打印”出各种常见形状的微型版本。据悉,负责该项目的 MIT 团队,发明了一种捕捉物体形状并进行复制的方法,可在将它干燥后进一步缩小至纳米级。
近日,中国科学院深圳先进技术研究院研究员喻学锋课题组在黑磷电化学制备及其储能应用领域取得新突破。相关工作\"Synthesis of High-Quality Black Phosphorus Sponges for All-Solid-State Supercapacitor\"(《高质量黑磷海绵的制备及其在全固态超级电容器中的应用》)发表于化学材料领域刊物Materials Horizons(DOI: 10.1039/c8mh00708j)。论文共同第一作者是课题组博士后温敏和研究助理刘丹妮,通讯作者
日前才正式发表新一代显示卡的绘图芯片大厂辉达 (NVIDIA),日前又公告未来绘图芯片的发展路线图。其中,针对再下一代的代号 Ampere 的显示卡,除了制程将升级到 7 纳米节点之外,虽然性能还是未知数,但是藉由 7 纳米制程技术将会把绘图芯片的芯片核心面积大幅降低,从现在 754㎜2 的 GV102 或者 TU102 的核心面积,将降低到 440㎜2 左右的核心面积。
前者理论是清楚的,但从器件发展到电路,所需的技术仍处于发展之中,要进入到比较普遍的应用估计仍需一二十年的时间。至于纳米器件,目前多以原子和分子自组装技术与微电子超深亚微米加工技术相结合的方法进行,特别
莱迪思半导体公司日前公布了其第三代非易失FPGA器件,LatticeXP2系列。LatticeXP2具有增强的性能,双倍增加的逻辑容量达40K查找表(LUT)、性能改进了25%、还加入了专用DSP块,而每个功能的价格减少达50%。对1.2伏加
Synopsys推出了具备工艺识别功能的可制造性设计(DFM)新系列产品PA-DFM,用于分析45纳米及以下工艺定制/模拟设计阶段的工艺变异的影响。随着工艺尺寸的日益减小,先进硅技术将引起更多如应力工程的变异问题,这将越来
莱迪思半导体公司公布了其第三代非易失FPGA器件,LatticeXP2系列。LatticeXP2具有增强的性能,双倍增加的逻辑容量达40K查找表(LUT)、性能改进了25%、还加入了专用DSP块,而每个功能的价格减少达50%。对1.2伏加工工
北京时间10月8日晚间消息,据国外媒体今日报道,日本最大闪存芯片制造商尔必达表示,可能投资至多400亿日元(约合4.52亿美元)提高40纳米芯片的产量,达到公司芯片总产量的一半。尔必达发言人表示,公司计划今年开始大