美国窃听海底光缆的丑闻最近被曝光。日媒称美国曾请求日本协助监听中国海底光缆。美国如何窃听?中方又可以怎样应对?目前,防止信息被窃听的最有效方法是进行加密,中国在量子通信领域已经走在世界前列,并在潜艇上先
根据全球市场研究机构TrendForce旗下内存储存事业处DRAMeXchange调查显示,受惠于第三季智能型手机出货升温,以及SK 海力士无锡厂火灾影响,所有行动式内存产品线当季价格下跌幅度均有收敛。第三季营收总值达到约33亿
讯:市调机构集邦科技旗下存储器储存事业处DRAMeXchange调查显示,受惠第3季智能手机出货升温,以及SK海力士无锡厂火灾影响,所有移动存储器(Mobile DRAM)产品线当季价格下跌幅度均有收敛。第3季营收总值达到
美光早在今年年初就放话,自家的DDR4内存年内发布,然后就没有了动静,现在离2014年还剩不到2个月了,说好的DDR4还来不来了?根据最近在美光网站上的一张路线图,DDR4今年是肯定有的。作为DDR3的继任者,DDR4内存运行
TrendForce表示,2013年第三季全球行动式存储器营收季增14%,至32.95亿美元,占总DRAM营收比例逾三成,预估2014年将正式超越标准型存储器,首度成为出货主流产品。台系厂华邦电(2344)、南科(2408)也积极拟定策略抢市
市调机构集邦科技旗下存储器储存事业处DRAMeXchange调查显示,受惠第3季智能型手机出货升温,以及SK海力士无锡厂火灾影响,所有行动式存储器(Mobile DRAM)产品线当季价格下跌幅度均有收敛。第3季营收总值达到约
美光早在今年年初就放话,自家的DDR4内存年内发布,然后就没有了动静,现在离2014年还剩不到2个月了,说好的DDR4还来不来了?根据最近在美光网站上的一张路线图,DDR4今年是肯定有的。作为DDR3的继任者,DDR4内存运行
岛内DRAM厂第3季获利亮眼,公司慷慨发给员工季奖金,其中台湾美光(原瑞晶)平均0.75个月薪最高,南科、华亚科平均各有0.5个月,力晶也不低,由于DRAM产业第4季还是很旺,预期今年全年奖金总额可望达到2个月,
获利亮眼【范中兴╱台北报导】国内DRAM厂第3季获利亮眼,公司慷慨发给员工季奖金,其中台湾美光(原瑞晶)平均0.75个月薪最高,南科(2408)、华亚科(3474)平均各有0.5个月,力晶也不低,由于DRAM产业第4季还是很旺
【导读】Spansion公司除宣布整合富士通半导体MCU及相关业务外,还宣布与中国大陆300mm晶圆厂XMC共同签署一项技术许可协议。据该协议,XMC将获得Spansion浮栅NOR闪存技术授权。在XMC现有300mm晶圆产能基础上,双方将进
南科 (2408)、华亚科 (3474)于今(18)日召开重大讯息说明会,说明已于17日完成与美光重新签订合约,南科发言人李培瑛副总表示,南科将集中资源专注消费性及低功率等高附加价值产品的研发与经营,未来将减少向华亚科进
北美最大的光伏产业展会“2013年美国国际太阳能展览会(SPI2013)”于2013年10月21~24日在美国芝加哥举行。此次SPI已是第10届,有来自各国的1万2000多人参加。这10年中,美国光伏市场实现了巨大飞跃。在10年前的2003年
根据全球市场研究机构 TrendForce 旗下记忆体储存事业处 DRAMeXchange 表示, 2013年第三季 NAND Flash 价格涨幅不若第二季明显,但由于下半年 NAND Flash 供应商产出成长依旧相当有限,加上智慧型手机与平板电脑成长
讯:南韩DRAM大厂SK海力士昨(29)日宣布,9月工安事故停工的无锡厂复工时间,可能从原订11月延后至12月。业界预期,未来两季DRAM仍将短缺,价格看涨,华亚科、威刚等业者营运持续看俏。SK海力士昨日公布第3季
根据市调公司IHS表示,动态随机存取记忆体(DRAM)市场近来历经快速成长,写下近三年来的利润率新高记录。全球DRAM的营运利润率从今年第一季的11%大幅成长,最近在第二季已经
根据市调公司IHS表示,动态随机存取记忆体(DRAM)市场近来历经快速成长,写下近三年来的利润率新高记录。全球DRAM的营运利润率从今年第一季的11%大幅成长,最近在第二季已经达到27%了──这也是自2010年以来的最高水准
关于SK海力士无锡厂火灾影响后续追踪,全球市场研究机构TrendForce旗下储存事业处DRAMeXchange表示,无锡厂双子星设计架构一部分是由原先八吋厂改建完成,此区块产能较小,而此次火灾起火点为新厂区部份,以无锡厂的
10月8日,外媒报道称,美国太阳能板制造商Energy Conversion Devices的破产管理人John Madden对三家中国企业提出诉讼,要求赔偿9.5亿美元。这三家中国公司分别是尚德太阳能
HMC(混合内存立方体)内存是美光联合IBM以及三星等产业巨头共同开发的新一代超高速内存技术,它使用TSV(硅穿孔)技术堆叠多层DRAM芯片,从而达到提升内存速度以及密度的双重目的。据称HCM内存的带宽能够达到DDR3标准的
HMC(混合内存立方体)内存是美光联合IBM以及三星等产业巨头共同开发的新一代超高速内存技术,它使用TSV(硅穿孔)技术堆叠多层DRAM芯片,从而达到提升内存速度以及密度的双重目的。据称HCM内存的带宽能够达到DDR3标准的