美系存储器大厂美光(Micron)交出连续4季获利财报,美光近几年多角化发展十分成功,目前DRAM营收比重有仅剩下25%,受到下半年标准型DRAM价格重挫的冲击已大幅减少;然值得注意的是,与存储器龙大厂三星电子(Samsung El
根据华尔街日报(WSJ)报导指出,美国存储器大厂美光(Micron)日前除了报出亮眼的财报结果以外,还获得三星电子(Samsung Electronics)长达10年交叉授权的协议,美光将取得权利金2.75亿美元。彭博(Bloomberg)则报导指出,
北京时间9月28日早间消息,据国外媒体报道,甲骨文已经起诉美光科技,称其垄断计算机内存芯片价格。甲骨文周五在指控中称,美光科技与其他芯片厂商勾结,人为推高DRAM内存价格。2010年,甲骨文以70亿美元的价格收购了
甲骨文在美加州圣何塞联邦法院起诉美光科技,指控其与其他公司合谋操纵内存芯片价格,使Sun付出高昂的代价。 甲骨文在9月24日提交的反垄断诉讼中称,美光和其他DRAM(动态随机存储)芯片制造商合谋,人为地虚报出售给
甲骨文通过美国子公司在加州北区法院起诉美光科技,指控其涉嫌操纵内存芯片价格,使Sun微系统付出了更高的代价。甲骨文指控美光与其他内存制造商勾结,人为抬高DRAM(动态随机存储)芯片价格。诉讼书称,在1998年至200
据国外媒体报道,甲骨文通过美国子公司在加州北区法院起诉美光科技,指控其涉嫌操纵内存芯片价格,使Sun微系统付出了更高的代价。甲骨文指控美光与其他内存制造商勾结,人为抬高DRAM(动态随机存储)芯片价格。诉讼书
美光和英特尔开发出64Gb NAND闪存 美光(Micron)和英特尔最近联合开发出64Gb(或8GB) 25nm NAND闪存,它可在每单元上提供3位的信息容量,而传统技术只能提供1位或2位。该器件的尺寸与美光和英特尔容量相同的25nm
据业界消息,美光(Micron)正在洽谈接手中芯国际(SMIC)位于中国湖北武汉的12寸晶圆厂;该座晶圆厂名为武汉新芯集成电路制造有限公司,所有权属于武汉市政府,委托中芯经营管理。饱受亏损所苦、力图摆脱赤字的中芯,据说
根据业界消息,美光(Micron)正在洽谈接手中芯国际(SMIC)位于中国湖北武汉的12寸晶圆厂;该座晶圆厂名为武汉新芯集成电路制造有限公司,所有权属于武汉市政府,委托中芯经营管理。 饱受亏损所苦、力图摆脱赤字的
这是最好的时代,也是最坏的时代。多少年后,当我们仰望星空,回眸历史,会发现这句话是对2010年中国半导体产业最好的注解:今年中国半导体产业增长达30%多,但设计公司却纷纷找不到产能,被国外的代工厂家“加
每经记者刘晓杰发自武汉 继中芯国际原托管的成都成芯半导体工厂被美国德州仪器洽购之后,日前,关于武汉新芯集成电路制造有限公司(以下简称武汉新芯)即将被纳入国际闪存巨头美光科技旗下的传言又甚嚣尘上。不过
这是最好的时代,也是最坏的时代。多少年后,当我们仰望星空,回眸历史,会发现这句话是对2010年中国半导体产业最好的注解:今年中国半导体产业增长达30%多,但设计公司却纷纷找不到产能,被国外的代工厂家“加价不
这是最好的时代,也是最坏的时代。多少年后,当我们仰望星空,回眸历史,会发现这句话是对2010年中国半导体产业最好的注解:今年中国半导体产业增长达30%多,但设计公司却纷纷找不到产能,被国外的代工厂家“加价
这是最好的时代,也是最坏的时代。多少年后,当我们仰望星空,回眸历史,会发现这句话是对2010年中国半导体产业最好的注解:今年中国半导体产业增长达30%多,但设计公司却纷纷找不到产能,被国外的代工厂家“加价不加
根据业界消息,美光(Micron)正在洽谈接手中芯国际(SMIC)位于中国湖北武汉的 12吋晶圆厂;该座晶圆厂名为武汉新芯集成电路制造有限公司(Wuhan Xinxin Semiconductor Manufacturing Corp.),所有权属于武汉市政府,
对于武汉新芯集成电路制造有限公司(以下简称“武汉新芯”),这显然又是一个十字路口。 9月2日,有消息人士对本报记者透露,全球最大的半导体储存及影像产品制造商美光科技欲购买武汉新芯。“武汉新芯将成为美
这是最好的时代,也是最坏的时代。多少年后,当我们仰望星空,回眸历史,会发现这句话是对2010年中国半导体产业最好的注解:今年中国半导体产业增长达30%多,但设计公司却纷纷找不到产能,被国外的代工厂家“加价
根据市调机构iSuppli最新报告显示,全球最大存储器业者三星电子(SamsungElectronics)在积极扩产动作下,2010年第2季的全球DRAM市占率再下一城,从上季的32.6%进一步攀升到第2季的35.4%市占率。三星电子第2季的DRAM营
英特尔和美光当地时间周二公布了存储密度更高的NAND闪存芯片。新型芯片不仅能减少存储芯片所占空间,还能增加消费电子产品的存储容量。新NAND芯片每个存储单元可以存储3位信息,存储容量高达64G位(相当于8GB)。英特尔
美光科技公司 (Micron Technology Inc.) 和英特尔公司 (Intel Corporation)今天联合推出25纳米 (nm) 制程的3-bit-per-cell (3bpc) NAND 闪存,该 NAND 设备拥有业界最大的容量和最小的尺寸。两家公司已将初始产品样品