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中芯注资武汉新芯 获主导权
上海晶圆代工厂中芯国际（SMIC）昨（12）日宣布，将以总额10亿美元资金注资武汉12寸厂新芯半导体，中芯未来将拥有新芯66.66％股权及经营主导权，该厂未来将成为中芯为NOR快闪存储器大厂飞索（Spansion）代工65纳米芯
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NAND Flash大厂积极制程转换 下半年20纳米当道
2011年全球NAND Flash中，全球三星电子(Samsung Electronics)仍是位居全球NAND Flash市场龙头，市占率高达36.2%，紧追在后的是东芝(Toshiba)，市占率达35.1%，两者合计掌握70%以上NAND Flash市场；根据市调机构Tren
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NAND Flash大厂积极制程转换 下半年20纳米当道
2011年全球NANDFlash中，全球三星电子(SamsungElectronics)仍是位居全球NANDFlash市场龙头，市占率高达36.2%，紧追在后的是东芝(Toshiba)，市占率达35.1%，两者合计掌握70%以上NANDFlash市场；根据市调机构TrendForc
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智能电表设计中如何应用相变存储器PCM
5月初，美光斥资12亿美元收购恒忆，完成收购后美光成为同时拥有DRAM、NAND以及NOR技术的记忆体晶片大厂。对于这么大的收购举动，有传言，是英特尔在后面起到的推动作用，因为三星的快速崛起，不想一家独大的局面在存
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台DRAM产业破洞大 台当局否决出资整并
针对存储器模块龙头厂金士顿(Kingston)创办人孙大卫呼吁政府出面集成DRAM厂，甚至应先拿出20亿美元(约新台币580亿元)集成现有 DRAM厂，经济部长施颜祥对此表示，政府对于DRAM产业已有2套方案，包括与日厂尔必达(Elp
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台湾DRAM厂商陷入被动 传美光欲收购华亚剩余股份
据美台商会（US-TaiwanBusinessCouncil）的一份报告称，美光公司可能会收购其参与合资的台湾内存公司华亚的剩余股份，使之成为自己的全资控股子公司。报告称：“美国内存芯片厂商美光与南亚和华亚两家内存芯片公司的
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台湾DRAM厂商陷入被动 传美光欲收购华亚剩余股份
据美台商会（US-Taiwan Business Council）的一份报告称，美光公司可能会收购其参与合资的台湾内存公司华亚的剩余股份，使之成为自己的全资控股子公司。报告称：“美国内存芯片厂商美光与南亚和华亚两家内存芯
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美光：不排除授权华亚科代工NAND Flash
由于智能型手机等行动装置应用驱动NANDFlash需求成长，加上日本强震造成东芝(Toshiba)5、6月NANDFlash供货锐减50%，美光(Micron)看好NANDFlash产业将持续供不应求，除与英特尔(Intel)合资新加坡厂取得多数股权和产能
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东芝-Sandisk叫板英特尔-美光 推出19纳米工艺NAND闪存
近日英特尔和美光发表联合声明推出了采用20nm制造工艺的NAND闪存芯片产品，不过就在英特尔和美光发布新工艺的NAND闪存没几天之后Sandisk和东芝就联合宣布19nm制造工艺的NAND闪存已经诞生，这两家公司在日本的芯片制造
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Intel美光合资新加坡闪存厂正式开张
Intel与美光的闪存合资企业IMFT近期动作频频。继上周宣布20nm闪存工艺后，本周两家公司又共同宣布，位于新加坡的新闪存晶圆厂IM Flash Singapore正式开张。 这家300mm晶圆厂总投资为30亿美元，雇员1200名。实际
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美光半导体西安新测试项目厂房落成
近日美国美光科技有限公司半导体新测试项目在西安出口加工区B区正式落成，标志着美光在我市高新区建设的超大规模集成电路加工生产基地再次扩产成功。市委副书记、市长陈宝根，市委常委、高新区管委会主任赵红专，副市
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美光半导体新测试项目厂房落成
本报讯 （记者 王燕） 昨日，美国美光科技有限公司半导体新测试项目在西安出口加工区B区正式落成，标志着美光在我市高新区建设的超大规模集成电路加工生产基地再次扩产成功。市委副书记、市长陈宝根，市委常委、高新
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Intel与美光将NAND Flash推向20nm制程
在去年，Intel与美光的NAND合资的IMFT公司迈入25nm，不过一向崇尚摩尔定律的半导体业界又怎可能把技术卡在这里，而果不其然，它们又再度携手，将技术推至20nm，并且打造出仅118mm平方大小的8GBMLC Flash，比
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英特尔美光合约结束 IM新加坡厂动向成关键
英特尔(Intel)和美光(Micron)在2005年底携手抢进NAND Flash领域且成立合资公司IM Flash Technologies(IMFT)至今，传出5年合约已届期满，将于近日宣布最新的合作方向；由于2010年底美光独自启动新加坡厂IM Flash Tech
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Intel与美光将NAND Flash推向20nm制程
在去年，Intel与美光的NAND合资的IMFT公司迈入25nm，不过一向崇尚摩尔定律的半导体业界又怎可能把技术卡在这里，而果不其然，它们又再度携手，将技术推至20nm，并且打造出仅118mm平方大小的8GB MLC Flash，比起25nm更
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英特尔、美光合约将尽 IM新加坡厂动向成关键
英特尔(Intel)和美光(Micron)在2005年底携手抢进NAND Flash领域且成立合资公司IM Flash Technologies(IMFT)至今，传出5年合约已届期满，将于近日宣布最新的合作方向；由于2010年底美光独自启动新加坡厂IM Flash Tec
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海力士看好记忆体价格反弹 台厂注入强心针
南韩记忆体大厂海力士(Hynix)对DRAM及NANDFlash产业后市，发表脱离谷底的看法，对于台系DRAM厂而言，可望注入强心针。在矽晶圆部分，海力士与台厂目前都有1~2个月不等库存，短期仍可支应生产，但中长线来看，日本地震
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美韩台厂挂保证 DRAM产业春燕将至
美光执行长SteveAppleton表示，看好3~5月的DRAM报价逐渐触底反弹；再者，日前三星电子(SamsungElectronics)也开始调涨DRAM合约价，南亚科也认为4月合约价将会续涨，市场弥漫春燕将至的气氛。美系记忆体大厂美光(Micr
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四大重要因素制约DRAM八大厂商排名
据IHSiSuppli公司的最新研究，根据过去、现在及未来的表现，三星电子不但在DRAM市场占有最大份额，而且竞争力最强。这项新的分析考虑了四个因素：DRAM厂商的现金余额，销售现金比率，总体市场份额和产品组合实力。综
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左右DRAM厂商排名的重要因素
根据过去、现在及未来的表现，三星电子不但在DRAM市场占有最大份额，而且竞争力最强。这项新的分析考虑了四个因素：DRAM厂商的现金余额，销售现金比率，总体市场份额和产品组合实力。综合考虑这些因素，韩国三星名列
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