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频率3.37THz太赫兹肖特基二极管及电路已研制出
【导读】据了解，我国科学院微电子研究所微波器件与集成电路研究室太赫兹器件研究组研制出截止频率达到3.37THz的太赫兹肖特基二极管和应用于太赫兹频段的石英电路。其中，该器件作为太赫兹倍频器核心元件，经中电集团
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碳化硅肖特基二极管功率器件量产意义重大
在电能的产生、输送和分配过程中，电力传送效率和使用效率至关重要。当前，电力传输功率器件主要是基于硅材料，由于发展了30年，硅材料的物理性能已经发掘殆尽。碳化硅作为半导体界公认的“一种未来的材料”，具有巨
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科锐推出业界更高性能碳化硅肖特基二极管
6日，科锐（Nasdaq: CREE）宣布推出新款CPW5 Z-Rec?高功率碳化硅肖特基二极管以及业界首款商业化量产50A碳化硅整流器。新款二极管产品经过优化设计，使得碳化硅技术能够在50kW至超过1MW的高功率系统中得到应用
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第三代半导体实现量产 概念股有望爆发
中国首次实现碳化硅大功率器件的批量生产，在以美、欧、日为主导的半导体领域形成突破。业内专家指出，这一突破有望缓解中国的能源危机。据中新网报道，泰科天润半导体科技(北京)有限公司G2S06010碳化硅肖特基二极管
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肖特基二极管与TVS管
(1)肖特基(Schottky)二极管是一种快恢复二极管，它属一种低功耗、超高速半导体器件。其显著的特点为反向恢复时间极短(可以小到几纳秒)，正向导通压降仅0.4V左右。其做工比普通二极管要精细复杂，价格也要贵，但在外在
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碳化硅肖特基二极管在电源中的应用
功率因数校正(PFC)市场主要受与降低谐波失真有关的全球性规定影响。欧洲的EN61000-3-2是交直流供电市场的基本规定之一，在英国、日本和中国也存在类似的标准。EN61000-3-2规
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标准CMOS工艺集成肖特基二极管设计与实现
随着射频无线通讯事业的发展，高性能低成本的射频设计方案越来越受到人们的亲睐。肖特基势垒二极管在射频电路中是重要的元件组成，属于一种多数载流子器件，高频性能非常优越。本文主要介绍一种在标准CMOS工艺的基础上，提出的集成肖特基二极管设计方法，并且该方法在charted 0.35μm工艺中以MPW的方式得以实现。
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肖特基二极管组成的电荷泵多电压输出电路
概要在需要价格便宜的多电源输出的方案或者一个简单的负电压、高电压输出回路的时候, 用二极管和电容组成的电荷泵很有用.在不用芯片和电感线圈的情况下,二极管电荷泵能够高
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利用开关器件提高PFC效率的实现
为了满足能源之星(ENERGY STAR)等规范的要求以及消费者降低碳排放的愿望，功率电子产品设计团队正在不断努力提高系统效率，以求尽量接近额定100%效率的终极目标。此外，目前
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Diodes推出首款采用晶圆级芯心尺寸封装的肖特基二极管 实现双倍功率密度
21ic讯 Diodes公司 (Diodes Incorporated) 推出首款采用了晶圆级芯心尺寸封装的肖特基(Schottky) 二极管，为智能手机及平板电脑的设计提供除微型DFN0603器件以外的又一选择
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Diodes芯片尺寸封装的肖特基二极管实现双倍功率密度
21ic讯 Diodes公司 (Diodes Incorporated) 推出首款采用了晶圆级芯心尺寸封装的肖特基(Schottky) 二极管，为智能手机及平板电脑的设计提供除微型DFN0603器件以外的又一选择。新器件能够以同样的电路板占位面积，实现
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肖特基二极管与普通二极管的区别
工作多年了，但对肖特基(Schottky)二极管的工作机理却不太明了，网上收集资料，整理如下：两种二极管都是单向导电，可用于整流场合。区别是普通硅二极管的耐压可以做得较高，但是它的恢复速度低，只能用在低频的整流
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肖特基二极管作用
肖特基二极管是贵金属(金、银、铝、铂等)A为正极，以N型半导体B为负极，利用二者接触面上形成的势垒具有整流特性而制成的金属-半导体器件。因为N型半导体中存在着大量的电子，贵金属中仅有极少量的自由电子，所以电子
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GaN和SiC功率半导体将以18%的速度稳增
在未来十年，受电源、光伏(PV)逆变器以及工业电动机的需求驱动，新兴的碳化硅(SiC)和氮化镓(GaN)功率半导体市场将以18%的惊人速度稳步增长。据有关报告称，至2022年SiC和GaN功率半导体的全球销售额将从2012年的1.43亿
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功耗为4mW的低工作周期LED闪灯
电池供电设备通常都有一个电源指示灯。但这个指示灯可能消耗不小的功率。用低工作周期的闪灯，可提供对开机状态的适当提示，这种情况下可使用本文所描述的简单电路。SN74AH
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美高森美公司推出全新1200V肖特基二极管系列
21ic讯 美高森美公司(Microsemi Corporation) 推出采用碳化硅(SiC)材料和技术的全新1200 V 肖特基二极管系列，新的二极管产品瞄准广泛的工业应用，包括太阳能逆变器、电焊机、等离子切割机、快速车辆充电、石油勘探
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我国科学家研制出太赫兹肖特基二极管及电路
近日，中国科学院微电子研究所微波器件与集成电路研究室太赫兹器件研究组研制出截止频率达到3.37THz的太赫兹肖特基二极管和应用于太赫兹频段的石英电路。该器件作为太赫兹倍频器核心元件，经中电集团41所验证，性能与
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1P-104P超级电容器太阳能草坪灯的设计与实现
随着经济的发展和社会的进步，人们对能源提出了越来越高的要求，寻找新能源已成为当前人类面临的迫切课题。由于太阳能发电具有火电、水电、核电所无法比拟的清洁性、安全性、资源的广泛性和充足性，太阳能被认为是二
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Diodes公司推出首款微型无引线DFN0603封装肖特基二极管
21ic讯 Diodes公司 (Diodes Incorporated) 推出首款采用了微型无引线DFN0603封装的肖特基二极管。该30V、0.1A额定值的SDM02U30LP3包含了开关、反向阻断及整流功能，从而满足智能手机与平板电脑等超便携产品更高密度的
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双通道理想二极管控制器取代两个肖特基二极管
21ic讯 凌力尔特公司推出 0V 至 18V 双通道理想二极管控制器 LTC4353，该器件可取代两个大功率肖特基二极管，以低损耗实现多个电源 “或”，且对电源电压的干扰最小。LTC4353 调节外部 N 沟道 MOSFET 的正
