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集成肖特基二极管的30V N沟道功率MOSFET（安森美）
安森美半导体(ON Semiconductor)扩充N沟道功率MOSFET器件阵容，新推出带集成肖特基二极管的30 V产品。NTMFS4897NF、NTMFS4898NF及NTMFS4899NF在10 V时分别拥有2 毫欧(mΩ)、3 mΩ及5 mΩ的最大导通阻
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超小型肖特基二极管(特瑞仕)
特瑞仕半导体推出了世界上最小级别的 0603尺寸 超小型肖特基二极管。特瑞仕半导体针对便携式仪器市场向小型化、薄型化进步的需要、开发了两种世界上最小级别的肖特基二极管产品。XBS013V1DR-G和XBS013R1DR-G是超小型
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肖特基二极管的结构与封装及应用
肖特基二极管分为有引线和表面安装（贴片式）两种封装形式。肖特基二极管在结构原理上与PN结二极管有很大区别，它的内部是由阳极金属（用钼或铝等材料制成的阻挡层）、二氧化硅（SiO2）电场消除材料、N-外延层（砷材
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单片MOSFET和肖特基SkyFET产品（Vishay）
日前，Vishay Intertechnology, Inc.宣布，推出使用该公司最新TrenchFET®技术的第一款单片MOSFET和肖特基SkyFET®产品 --- Si4628DY。通过第三代TrenchFET硅技术，Si4628DY提供了在SO-8封装的同类产品中前所未
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单片MOSFET和肖特基SkyFET产品（Vishay）
日前，Vishay Intertechnology, Inc.宣布，推出使用该公司最新TrenchFET®技术的第一款单片MOSFET和肖特基SkyFET®产品 --- Si4628DY。通过第三代TrenchFET硅技术，Si4628DY提供了在SO-8封装的同类产品中前所未
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第五代肖特基二极管（Vishay）
日前，Vishay推出四款第五代高性能 45 V 和 100V 肖特基二极管 --- 6CWT04FN、10WT10FN、20CWT10FN 和 20WT04FN 。Vishay此次推出的器件将 D-Pak 的电流能力扩展至高达 20 A，从而确定了业界的新标准。这些器件采用次
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第三代碳化硅肖特基二极管（英飞凌）
率先推出碳化硅（SiC）肖特基二极管的功率半导体供应商英飞凌科技股份有限公司近日在应用电源电子大会暨展览会（APEC）上推出第三代thinQ!™ SiC肖特基二极管。全新thinQ!二极管在任何额定电流条件下都具备业界
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第三代碳化硅肖特基二极管（英飞凌）
率先推出碳化硅（SiC）肖特基二极管的功率半导体供应商英飞凌科技股份有限公司近日在应用电源电子大会暨展览会（APEC）上推出第三代thinQ!™ SiC肖特基二极管。全新thinQ!二极管在任何额定电流条件下都具备业界
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新型20V n通道功率MOSFET+肖特基二极管（Vishay）
日前，Vishay Intertechnology, Inc.宣布推出业界最小的 20V n 通道功率 MOSFET＋肖特基二极管--- SiB800EDK，该器件采用 1.6mm×1.6mm 的热增强型 PowerPAK® SC-75 封装。这款新型器件的推出，意味着Vishay将其
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新型20V n通道功率MOSFET+肖特基二极管（Vishay）
日前，Vishay Intertechnology, Inc.宣布推出业界最小的 20V n 通道功率 MOSFET＋肖特基二极管--- SiB800EDK，该器件采用 1.6mm×1.6mm 的热增强型 PowerPAK® SC-75 封装。这款新型器件的推出，意味着Vishay将其
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FlipKY芯片级封装肖特基二极管（Vishay）
Vishay Intertechnology, Inc当前正在提供目前市场上最小的业界首款 FlipKY® 芯片级肖特基二极管。
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Si整流器与SiC二极管：谁与争锋
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Si整流器与SiC二极管：谁与争锋
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凌力尔特用N沟道MOSFET取代肖特基二极管
凌力尔特公司(LinearTechnologyCorporation)推出的双路理想二极管“或”控制器LTC4355允许在高可用性系统中用N沟道MOSFET取代肖特基二极管，并具有广泛的故障监视功能以诊断电源故障。以这种方式形成的输入电源二
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IR推出0.5A和1.0A CSP 肖特基二极管
世界功率管理技术领袖国际整流器公司（InternationalRectifier，简称IR）近日推出四款新型FlipKY™肖特基二极管。与业界普通标准的肖特基器件相比，它们的体积更小，工作效率更高。这些新型0.5A和1.0A器件采用节
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IR 0.5A和1.0A CSP 肖特基二极管
