2018年全球十大国家半导体产业有哪些发展亮点?它们的核心竞争力是什么?本文带您来一探究竟。
按照摩尔定律,芯片可容纳的晶体管数量每两年提高一倍。然而,摩尔定律不只是在同一颗芯片上将晶体管数量增加一倍的技术问题。摩尔定律暗示,随着芯片集成密度翻倍,功耗和性能都将会实现大幅度改进。在过去50年里,
按照摩尔定律,芯片可容纳的晶体管数量每两年提高一倍。然而,摩尔定律不只是在同一颗芯片上将晶体管数量增加一倍的技术问题。摩尔定律暗示,随着芯片集成密度翻倍,功耗和性能都将会实现大幅度改进。在过去50年里,
按照摩尔定律,芯片可容纳的晶体管数量每两年提高一倍。然而,摩尔定律不只是在同一颗芯片上将晶体管数量增加一倍的技术问题。摩尔定律暗示,随着芯片集成密度翻倍,功耗和性能都将会实现大幅度改进。在过去50年里,
目前日本日亚公司垄断了蓝宝石衬底上GaN基LED专利技术,美国CREE公司垄断了SiC衬底上 GaN基LED专利技术。因此,研发其他衬底上的GaN基LED生产技术成为国际上的一个热点。南昌大学与厦门华联电子有限公司合作承担了国
根据最新消息,ARM与台积电宣布签署一项长期合作协议,两家公司将以ARMv8微处理器为研发对象,探索用FinFET工艺制程技术来研发ARMv8的生产工艺实现方法。根据该协议,两家公司合作的技术领域将涵盖20nm以下工艺技术节
根据最新消息,ARM与台积电宣布签署一项长期合作协议,两家公司将以ARMv8微处理器为研发对象,探索用FinFET工艺制程技术来研发ARMv8的生产工艺实现方法。根据该协议,两家公司合作的技术领域将涵盖20nm以下工艺技术节
6月19日消息,据媒体报道,AMD公司高级副总裁兼首席技术官Mark Papermaster表示,AMD在2013年芯片生产工艺将有重大变化,将完全从现有的SOI制造工艺切换到28nm Bulk CMOS工艺。至于GPU制造,AMD并不打算作出任何改变
来自国外媒体的报道,AMD高级副总裁兼首席技术官马克佩特马斯特(MarkPapermaster)日前透露,AMD芯片制造工艺在2013年将迎来重大变化,或将从现有的SOI制造工艺切换到28nmBulkCMOS工艺。在GPU生产方面,AMD并没有打
6月19日消息,据媒体报道,AMD公司高级副总裁兼首席技术官Mark Papermaster表示,AMD在2013年芯片生产工艺将有重大变化,将完全从现有的SOI制造工艺切换到28nm Bulk CMOS工艺。至于GPU制造,AMD并不打算作出任何改变
来自国外媒体的报道,AMD高级副总裁兼首席技术官马克佩特马斯特(MarkPapermaster)日前透露,AMD芯片制造工艺在2013年将迎来重大变化,或将从现有的SOI制造工艺切换到28nmBulkCMOS工艺。在GPU生产方面,AMD并没有打
来自国外媒体的报道,AMD高级副总裁兼首席技术官马克佩特马斯特(MarkPapermaster)日前透露,AMD芯片制造工艺在2013年将迎来重大变化,或将从现有的SOI制造工艺切换到28nmBulkCMOS工艺。在GPU生产方面,AMD并没有打
AMD副总裁:芯片制造工艺2013年将有重大变化
新浪科技讯 北京时间6月13日上午消息,据国外媒体报道,以色列工业贸易部(Industry and Trade Ministry)表示,英特尔正筹备再度扩建位于以色列南部的芯片厂,并寻求政府拨款以解决部分融资问题。 英特尔此次扩建和
据国外媒体报道,IBM和三星当地时间周三宣布,两家公司将在新型芯片材料、制造工艺等技术的基础研究领域开展合作。IBM和三星表示,根据协议,两家公司将联合开发可以用于智能手机、通信设备等产品中的芯片制造工艺。
据国外媒体报道,英特尔、东芝和三星电子将联手开发新技术,在2016年前将芯片制造工艺提升到10纳米级别。据《日经新闻》报道,全球排名前两位的NAND闪存制造商三星电子和东芝将与最大的芯片厂商英特尔结成合作伙伴,
GlobalFoundries今天宣布,已经取消了32nm Bulk HKMG(高K金属栅极)制造工艺,改而直接上马28nm。 当然这里说的32nm工艺针对的是图形和无线芯片,而面向微处理器的32nm SOI工艺仍将按原计划发展,应该会在明年初批
TI 发布45纳米芯片制造工艺
NEC研发出55纳米芯片制造工艺 07年投产