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首款采用UFS 3.0存储的手机即将亮相
三星Galaxy Fold原本应该是第一款配备UFS 3.0存储的手机，然而，大家都知道，该机屏幕以及其他问题迫使三星推迟其首款可折叠手机的上市时间。这会让另一款手机夺得这个头衔，根据XDA消息，该机是即将发布的一加7 Pro。一加7系列将于5月14日亮相，预计在8天后上市销售。
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STM32笔记SD卡的读写和FatFS文件系统
因为要用，学习了一下SPI操作SD卡，同时移植了一个免费开源的FAT文件系统：FatFS。感觉挺好，在单片机上实现了读写文件的操作，接下来就可以解释我的G代码咯！ 我的SD卡底层操作参考了网上几种常见的代码，但又对
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AT24C128 EEPROM的读写
记录AT24C128 eeprom的多字节读写#define_EEPROM_DEBUG_LEVEL0#if_EEPROM_DEBUG_LEVEL==1#defineEEPROM_DEBUG(fmt,args...)do{\\printf(fmt,##args);\\}while(0)#elif_EEPROM_DEBUG_LEVEL==2#defineEEPROM_DEBUG(fmt,a
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CPU对存储器的读写（一、地址总线）
CPU对于内存的读写是通过导线和内存进行传输数据，这些导线和平常电子元件常见的铜线一样只是做的细罢了，这些导线在一起通常成为总线，为了区分这些总线传输的内容逻辑上分为3类，地址总线（传输的是内存地址）
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51单片机内部EEPROM的读写解析及例程
STC89C51、52内部都自带有2K字节的EEPROM，54、55和58都自带有16K字节的EEPROM，STC单片机是利用IAP技术实现的EEPROM，内部Flash擦写次数可达100，000 次以上，先来介绍下ISP与IAP的区别和特点。ISP：In System Prog
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CPU对存储器的读写（二、数据总线、控制总线）
二、数据总线CPU与内存或其他器件的数据传输是通过数据总线来进行的，CPU数据总线的针脚数决定了一次可传输的位数，因为数据总线连接方式为并口所以8根针脚那么一次可传输8位既1个字节，16根针脚那么CPU是通过16跟导
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24C01的IIC 读写的C51程序
/*------------------------------------------------------------------------------为了安全起见,程序中很多NOP是冗余的,希望读者能进一步精简,但必须经过验证。 Atmel 24C01 比较特殊,为简约型. 51晶振为11.059
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PIC内部EEPROM读写
从EEPROM中读取数据步骤： 1、把地址写入到地址寄存器EEADR中，注意该地址不能超过所用PIC1687X型号单片机内部EEPROM实际容量。 2、把控制位EEPGD清零，以选定读取对象为EEPROM数据存储器。 3、把控制位RD置1，启
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51proteus仿真：I2c总线和EEPROM2404的读写
仿真电路图：仿真程序：#include#include#define uchar unsigned char#define uint unsigned intsbit SCL=P1^0;sbit SDA=P1^1;void delay(void){_nop_();_nop_();_nop_();_nop_();}void InitI2C(void){ SDA = 1; SCL
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读写STM32内部flash读写代码
由于老师的要求，所以写了一份读写STM32内部FLASH的代码，这样的话就可以把STM32里面没有用来保存代码段的部分用来存储数据了。由于《stm32flash编程手册》是很久很久以前看的，现在也没心情去仔细看那份手册了。大概
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STM32的库如何实现对同一组IO口的一部分引脚进行读写
以写数据为例，提供的函数有GPIO_SetBitsGPIO_ResetBitsGPIO_WriteBitGPIO_Write比如我在PD口的高八位接了个并行的数据线，低八位为控制，有输入有输出。怎么实现对高八位写任意数而第八位不受影响呢。前两个函数肯定
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S3C2440读写大容量SD卡
先了解一下SD卡协议方面的东西一、SD卡协议概要命令（Command）：在CMD线上，由主机发出响应（Response）：在CMD线上，由被寻址的卡发出。数据（data）: 在数据线上，用DAT0或DAT0~DAT3。CRC校验响应及忙指示（The C
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心得：1602液晶模块使用归纳
对1602的操作只有两种，就是读和写，读可以分为读状态(状态寄存器)和读数据(RAM中的)，写可以分为写指令和写数据(写入RAM中)，所有的操作时序只要遵循下表即可。
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给囚犯标配苹果iPad 英国咋想的？
给囚犯提供iPad，帮助他们在监狱中学习并且和家人联系。
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SD卡的管脚排列和总线读写方式
SD卡的引脚定义： 管脚排列和总线读写方式" name="image_operate_52221302162801312" real_src="http://s12.sinaimg.cn/middle/5e374701ga04f0776e47b&690" src="http://
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如何让linux服务器磁盘io性能翻倍
一 机械磁盘的io的速度主要受“寻道速度”的限制，所以在访问小文件时io性能会极差。如果不在乎成本，可以通过使用固态硬盘来解决这个问题。二 linux的主流文件
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Sidense采用16nm工艺成功演示1T-OTP的读写能力
和20纳米标准晶体管比较，3D 16纳米 FinFET具有更高性能、更低动态功耗，更小晶体管体积等优点。近日，Sidense公司就采用16纳米CMOS FinFET工艺技术制造的测试芯片，成功演示了1T-OTP位单元架构的读写能力。Sidense
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纳米铁电技术有新法
【导读】铁电材料（Ferroelectric）是次世代非挥发记忆体FeRAM的关键成分，它是一种介电质，拥有自发性和可反转的双电极，能给记忆体在耐用度和读写功能有大幅提升。日前日本国家材料科学研究所研发出一种新的铁电生
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上海华虹1亿元出售北京华虹
【导读】上海联合产权交易所消息，上海华虹集成电路有限责任公司近日挂牌出售北京华虹集成电路设计有限责任公司90%股权，挂牌价为10757.51万元。 上海联合产权交易所消息，上海华虹集成电路有限责任公司近日挂牌出
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铁电存储器提高智能表存储的可靠性
【导读】随着仪器仪表信息化、智能化的发展，传统机械计量设备已经无法满足信息及时采集的要求。而铁电存储器将ROM的非易失性数据存储特性和RAM的无限次读写、高速读写以及低功耗等优势结合在一起，它的广泛应用为仪
