2016年成立的长江存储,于2017年通过自主研发和国际合作的方式,设计制造了首款3D NAND闪存。2019年,长江存储晶栈 Xtacking架构的第二代3D TLC闪存量产,2020年,第三代TLC/QLC研发成功,推进到128层3D堆叠。
据台湾《电子时报》援引消息人士的话报道称,长江存储最近已向一些客户交付了其自主研发的192层3D NAND闪存的样品,预计将在今年年底前正式推出相应产品。
在NAND闪存行业,随着长江存储在2019年量产自研的64层闪存,国内厂商已经杀进了这个行业,自研的Xtacking晶栈技术不熟三星等五大原厂,连续推出了64层、128层产品之后,今年要量产192层闪存了。
据外媒消息,美国政府正在调查中国闪存商长江存储向华为提供芯片的指控,如果属实,长江存储可能会因为违反美国针对华为的出口禁令而遭到制裁。
2022年4月19日,中国武汉,长江存储科技有限责任公司(简称“长江存储”)宣布推出UFS 3.1通用闪存——UC023。这是长江存储为5G时代精心打造的一款高速闪存芯片,可广泛适用于高端旗舰智能手机、平板电脑、AR/VR等智能终端领域,以满足AIoT、机器学习、高速通信、8K视频、高帧率游戏等应用对存储容量和读写性能的严苛需求。UC023的上市标志着长江存储嵌入式产品线已正式覆盖高端市场,将为手机、平板电脑等高端旗舰机型提供更加丰富灵活的存储芯片选择。
2022年4月8日,长江存储推出新款消费级固态硬盘产品致态TiPlus5000。该产品采用基于晶栈 2.0(Xtacking® 2.0)架构的长江存储第三代三维闪存芯片,支持PCIe Gen3x4接口、NVMe 1.3协议,顺序读取速度高达3500 MB/s,大幅提升PCIe Gen3平台用户在电竞、设计和视频制作等多元化应用场景下的使用体验。大容量足容设计、持久的写入寿命,给消费者带来更多存储选择。TiPlus5000将以新颗粒、新技术以及满满的诚意服务成熟平台用户。
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基于Xtacking®2.0架构的第三代三维闪存芯片,让闪存潜能再释放
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本文将主要介绍一些国内的清华系芯片公司(由清华大学电子系、物理系等院系毕业生创办或掌舵的芯片公司 27位清华学霸,扛起了中国芯片的半壁江山!)的现状,不含华为海思。
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