高启全表示,长江存储将在2019年开始量产64层堆栈的3D NAND闪存,这个消息无疑让人振奋,而在今年他们还将出样32层NAND闪存。
在定增计划失败后,紫光集团加强了集团内资源整合的力度,以期加快推进存储器的发展计划。日前,紫光国芯发布重大资产重组进展公告,将以增资的方式收购存储器生产厂商长江存储全部或部分股权。这显示出紫光集团未来将以上市公司紫光国芯作为平台,布局存储器这个重点业务领域。
近日,紫光国芯股份有限公司(下称“紫光国芯”)发布公告表示,拟以发行股份的方式收购长江存储科技控股有限责任公司(下称“长江存储”)全部或部分股权。
这几天的赵伟国一定相当焦虑,紫光股份和紫光国芯都发出了最新公告,前者决定停止收购通信基础设施服务类公司的标的,后者在连续与台湾南茂、力成失之交臂的情况下,这次公告明示收购标的为关联公司长江存储。 列位看
紫光旗下的长江存储科技已经研发出了国产32层堆栈的3D NAND闪存,预计2018-2019年间量产,2020年技术上有望赶超国际先进水平。
NAND闪存是一种比硬盘驱动器更好的存储设备,在不超过4GB的低容量应用中表现得犹为明显。随着人们持续追求功耗更低、重量更轻和性能更佳的产品,NAND被证明极具吸引力。NAND闪存是一种非易失性存储技术,即断电后仍能保存数据。它的发展目标就是降低每比特存储成本、提高存储容量。
近期,长江存储和中科院微电子研究所联合承担的3D NAND Flash存储器研发项目取得新进展,向产业化道路迈出关键一步。业内人士表示,国内厂商积极开展存储芯片相关研发和产业化工作,并取得了阶段性进展。政策支持之下,随着技术等逐渐成熟,行业发展将迎来拐点。在此背景下,上市公司纷纷发力拓展存储芯片业务。
在大数据需求驱动下,存储器芯片已是电子信息领域占据市场份额最大的集成电路产品。我国在存储器芯片领域长期面临市场需求大而自主知识产权和关键技术缺乏的困境,开展大容量存储技术的研究和相关产品研制迫在眉睫。传统平面型NAND存储器在降低成本的同时面临单元间串扰加剧和单字位成本增加等技术瓶颈。寻求存储技术阶跃性的突破和创新,是发展下一代存储器的主流思路。
近日,总投资300亿人民币的紫光南京半导体产业基地和总投资300亿人民币的子港国际城项目正式开工。这是紫光集团继长江存储项目之后的另一个大“动作”。据报道,紫光南京半导体产业基地项目由紫光集团投资建设,主要产品为3D-NAND Flash、DRAM存储芯片,占地面积为1500亩。其中项目一期投资约100亿美元,月产芯片10万片。
今日,由紫光集团联合国家集成电路产业基金、湖北省地方基金、湖北省科投共同投资240亿美元建设的国家存储器基地项目正式动工,预计 2018年建成投产,2020年完成整个项目,初期计划以先进的3D NAND为策略产品。
对于中国发展存储器产业,业界目前最为关注的仍是专利技术的获取。相信,在紫光集团与武汉新芯携手之后,将加大新公司与技术授权来源美光的谈判优势,一定程度上有望加速获得如美光的第三方技术授权。