新春过后不久,Spansion又带来了它的得意新作——Spansion® HyperBus™ 接口和基于该新接口的产品家族HyperFlash™ NOR闪存设备。据悉,搭载了新
东芝公司旗下半导体与存储产品公司今日宣布推出“SG5系列”客户端SSD,该SSD集成有采用15nm TLC工艺技术制造的NAND芯片。包括大容量1024GB型号在内的新产品将提供2.5-型和M.2 2280型(单面和双面)两种外形,以满足不断扩张的SSD应用领域的各种封装要求。样品发货即日启动。
MAX16070/MAX16071闪存可配置系统监测器能够对多个系统电压进行管理。MAX16070/MAX16071还可通过专用的高边电流检测放大器精确监测(±2.5%)一路电流通道。MAX16070可
O 引言Linux系统自诞生以来,不断发展壮大,支持越来越多的硬件体系,获得了日益广泛的应用,从服务器、桌面计算,到机顶盒、手机、路由器等,可以说无处不在。虽然都是Lin
21ic讯 全球微控制器(MCU)及触控技术解决方案领域的领导者Atmel® 公司今日在“2016年德国嵌入式系统展”(Embedded World 2016)上宣布,推出全球性能最高,带有1kB闪存的低功耗8位MCU。全新ATtiny102/
自问世以来,NAND闪存对ECC(纠错码)纠错能力的要求越来越高。虽然这不是一个新问题,但是支持最新的多层单元(MLC)架构和每单元存储三位数据(three-bit-per-cell)技术所需的
全球嵌入式系统解决方案领导者赛普拉斯半导体公司日前宣布,推出一款256Mb NOR HyperFlash™ 产品。该器件为3.0V S26KL256S HyperFlash, 是业界首创支持高带宽、少引脚的HyperBus™接口的闪存中的最新一款。该器件是高性能应用的理想选择,例如汽车仪表盘、工业自动化、通讯系统,以及医疗设备等需要最高读取带宽来快速启动的即时开机设备,这些设备还需要通过引脚数较少的接口减小封装尺寸和PCB成本。
21ic讯 Altera公司开发了基于其Arria® 10 SoC的存储参考设计,与目前的NAND闪存相比,NAND闪存的使用寿命将加倍,程序擦除周期数增加了7倍。参考设计在经过优化的高性价
美光科技有限公司今天宣布,其丰富的闪存产品系列又添新成员——为寻求高性能和高可靠性,且极其注重成本的消费类应用提供了量身定制的解决方案。新型TLC NAND是基于16纳米(nm)工艺制造而成,能让U盘和消费类固态硬盘等应用的各方面功能取得理想平衡。预计市场在整个2015年都将对TLC有强劲需求,占到NAND存储总量的几乎一半。
支持“command queuing”和“secure write protection”特性东京—东芝公司(TOKYO:6502)旗下的半导体&存储产品公司今天宣布推出符合JEDEC(电子元件工业联合会) e∙MMC™ 版 5.
SLC、MLC和TLCX3(3-bit-per-cell)架构的TLC芯片技术是MLC和TLC技术的延伸,最早期NAND Flash技术架构是SLC(Single-Level Cell),原理是在1个存储器储存单元(cell)中存放1位元(bit)的资料,直到MLC(Multi-Level Ce
1 引言如何更好的获得监控现场的图象数据一直是棘手的一个问题,传统的方法是采用CCD摄象机获取现场的视频信息,这种方法易于实现,但成本较高。随着 ARM系列处理器应用的
21ic讯 意法半导体的STM32F3系列微控制器再添新产品,满足市场对高性能、创新功能和价格实惠的需求。新微控制器的片上存储容量增至512KB闪存 (Flash) 以及80KB静态随机存取记忆体 (SRAM),并集成丰富的外设接口,其
2013年 08月02日,中国北京 — 行业领先的嵌入式市场闪存解决方案创新厂商Spansion 公司(纽约证交所代码:CODE)今天宣布已经完成对富士通半导体有限公司微控制器和模
LSI SandForce详细介绍了其下一代固态硬盘(SSD)控制器内置的全新纠错方法,称为SHIELD。SandForce在在加利福尼亚州圣克拉拉召开的Flash Memory Summit峰会上披露了这项全
2013年 08 月 15 日,中国北京 — 行业领先的嵌入式市场闪存解决方案创新厂商Spansion 公司(纽约证交所代码:CODE)今日宣布起诉台湾旺宏电子股份有限公司,控告其在