3月23日消息,日本存储芯片大厂铠侠于当地时间周三表示,计划与西部数据公司合作,在其位于日本北部的工厂共同建设新的NAND Flash闪存生产线。铠侠在一份声明中表示,位于岩手县北上核电站的新抗震设施的建设计划于2022年4月开始,预计将于2023年完工。据知情人士称,该项目的投资可能达到1万亿日元(约527亿元人民币)左右,两家公司计划讨论包括投资比例在内的合资细节。
超高容量和低成本的固态硬盘(SSD)将加速机械硬盘的消亡。SSD的性能增长已经超越了CPU的性能曲线。当然这会让人们产生疑问:如何才能充分利用闪存的性能?大多数人会做的第一步是在更多系统中共享性能,以提高性能利用率。但是,随着越来越多的系统共享硬盘,容量的需求也在增加,这就促使我们需要更大容量的硬盘。随着高性能的NVMe共享存储在云端和可组合基础设施中变得越来越普遍,我们将看到对大容量和低成本SSD的需求在不断增加——在很多情况下用来取代共享机械硬盘,因为对比机械硬盘,部署闪存能带来更低的总体拥有成本。
据日经新闻报道,位于日本的铠侠、西数合资的闪存工厂已经在周三恢复运营,此前该工厂因为材料污染事件而停止生产。
2月22日,兆易创新通过官方公众号宣布,旗下全国产化38nm SPI NAND Flash——GD5F全系列已通过AEC-Q100车规级认证。
作为美光科技旗下的英睿达(Crucial),面向消费级市场,有美光这闪存巨头在幕后做支撑,其产品是杠杠的,性价比也是很高的。今天我们来体验的是英睿达新推出的MX500 4TB。
在3D闪存方面,三星之前一直是领先的,不过美光去年率先量产了176层堆栈的闪存,要想追赶回来,三星最快今年底能量产224层堆栈的闪存,性能还会提升30%。
据报道,三星在西安的闪存工厂占了三星闪存产能的42.3%,全球产能的15.3%,本次疫情或对三星的闪存生产产生巨大的影响。
近期疫情问题牵动着全国人民的心,由于疫情防控原因,西安地区的工厂也难免受到影响,其中三星在西安投产的闪存工厂占全球产能的15%
Hynix 海力士芯片生产商,源于韩国品牌英文缩写"HY"。海力士即原现代内存,2001年更名为海力士。海力士半导体是世界第三大DRAM制造商
SLC、MLC、TLC、QLC、PLC……NAND闪存的发展大家应该都比较熟悉了,它们代表了每个单元能够存储的比特数据,密度越来越高,容量越来越大,当然可靠性、寿命越来越低。
2020年11月,内存和存储解决方案领先供应商Micron Technology Inc.(美光)宣布推出全球首款 176层3D NAND闪存,一举刷新行业纪录,实现了闪存产品密度和性能的重大提升。得益于在性能、容量、尺寸和成本上的优势,美光176层3D NAND闪存能够满足数据中心、智能边缘平台和移动设备等一系列应用不断提高的存储需求。近日,21IC邀请到美光的技术专家向读者详细解读了176层 3D NAND闪存背后的技术亮点。
发展历史在1984年,东芝公司的发明人舛冈富士雄首先提出了快速闪存存储器(此处简称闪存)的概念。
9月14日,在2021中国闪存市场峰会(CFMS)上,江波龙电子携旗下国际高端消费类存储品牌Lexar雷克沙和行业类存储品牌FORESEE一同亮相,并荣获2021年度“最佳品牌拓展奖”。
2021年中国闪存市场峰会(CFMS2021)已经圆满落幕。CFMS2021齐聚全球领域内核心的存储器厂商、终端厂商、平台应用及网络基础建设厂商等的主要领导和负责人,参会观众更是涵盖了消费类、大数据、行业存储等各领域应用客户。
先进的 3D NAND 技术应用于美光移动存储产品,为用户打造丰富流畅的多媒体体验
保证:继续提供用于老式系统的存储卡 7 年。
6月25日消息,据国外媒体报道,在获得美国、欧盟及韩国的批准之后,SK海力士90亿美元收购英特尔NAND闪存及大部分存储业务的交易,也已获得了巴西反垄断监管部门的批准。
2021年6月2日 – 致力于快速引入新产品与新技术的业界知名分销商贸泽电子,首要任务是提供来自1100多家知名厂商的新产品与技术,帮助客户设计出先进产品,并加快产品上市速度。
AT25EU超低功耗、快速读取NOR Flash产品系列提供显著更快的擦除时间和节能特性,助力降低IoT设备能耗