一直以来,MOSFET都是大家的关注焦点之一。因此针对大家的兴趣点所在,小编将为大家带来MOSFET的相关介绍,详细内容请看下文。
功率MOSFET将是下述内容的主要介绍对象,通过这篇文章,小编希望大家可以对功率MOSFET的相关情况以及信息有所认识和了解,详细内容如下。
如果在漏极-源极间外加超出器件额定VDSS的电涌电压,而且达到击穿电压V(BR)DSS (根据击穿电流其值不同),并超出一定的能量后就发生破坏的现象。
小到选N型还是P型、封装类型,大到MOSFET的耐压、导通电阻等,不同的应用需求千变万化,工程师在选择MOS管时,一定要依据电路设计需求及MOS管工作场所来选取合适的MOS管,从而获得最佳的产品设计体验。
在看到MOSFET数据表时,你一定要知道你在找什么。虽然特定的参数很显眼,也一目了然(BVDS、RDS(ON)、栅极电荷),其它的一些参数会十分的含糊不清、模棱两可(IDA、SOA曲线)
汽车电子模块要求采取反向电池保护措施,以避免不良电池操作可能导致的损坏风险。肖特基二极管是这种应用的首选器件,因为它们具有很低的前向压降性能。虽然肖特基二极管能