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东芝首款搭载96层3D闪存的XG6固态硬盘
参数方面，东芝XG6固态硬盘采用的是东芝TC58NCP090GSD主控，通过PCI-e 3.0X4通道，支持NVMe 1.3a规范，共有256GB、512GB以及1TB 3种规格。
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明年将有3家国产厂商加入DDR4内存、3D闪存芯片市场！
这几年来国内开始大力发展存储芯片，形成了长江存储、福建晋华及合肥长鑫三大阵营，他们都将在2019年正式量产，DDR4内存、3D闪存芯片市场上明年就有国产厂商加入了。
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美光DRAM/NAND路线图：下半年推96层3D闪存，GDDR6已完成验证
受益于eMMC、eMCP市场，美光高价值移动NAND闪存营收环比几乎翻倍，其中85%都是TLC闪存类型，去年同期比例不足1%。此外，来自数据中心市场的内存、闪存营收同比增长了87%。
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长江存储国产3D闪存拿下第一笔订单：10776颗芯片
我国虽然在半导体芯片行业中落后世界先进水平太多，但也在一步一个脚印地前进，不断取得新突破。据媒体报道，4月11日，由紫光集团联合国家集成电路产业投资基金、湖北集成电路产业投资基金、湖北科投共同投资建设的国
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NAND闪存产能提高，或将不再涨价
今年第三季度，NAND闪存依然处于供给吃紧的状态，主要是颗粒厂面向3D工艺的转型步伐较慢，低于预期。
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东芝芯片出售陷入僵局 中国有望实现3D闪存芯片国产化
存储器作为智能终端产品中的重要元件，一直是芯片行业的重要组成部分，也是我国发展半导体产业的重点方向之一。今年以来在存储器芯片领域受关注的行业事件中，东芝出售存储芯片业务绝对要算在其中，且近日又有关于此
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三星全力量产最强64层3D闪存：SSD可以安心降价了
闪存、内存的疯狂涨价，让三星今年大赚特赚，当然他们在新技术上的投入也没有手软，今天官方公布的消息显示，三星将在韩国投资186.3亿美元，以巩固其在内存芯片和下一代智能手机领域的领先地位。之前我们曾报道了三
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国产32层堆栈3D闪存2019年量产，2020年赶超国际先进技术
紫光公司主导的长江存储科技在武汉投资240亿美元建设国家存储芯片基地，该公司CEO杨士宁日前表态3D闪存晶圆厂的安装设备将在2018年Q1季度完工，2019年全速量产，预计2020年会在技术赶超国际领先的闪存公司。
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分析：半导体设备和材料未来替代空间广阔
今年以来，由于下游需求旺盛，半导体设备订单密集增加。当前半导体设备和材料的国产化程度不断提升，龙头企业受益半导体产业发展大机遇，值得投资者关注。
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3D闪存将优先于RRAM技术进入市场
基于金属氧化物的非挥发性存储器 ──电阻式RAM(RRAM)，在11nm节点前不可能进入市场;在此之前，堆叠式浮闸NAND闪存相对较具潜力，而且很可能会朝向2~4Tbit的独立型整合芯片
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东芝佳能研发3D闪存
据新华社电为了掌握大容量存储器新技术，增强与韩国三星等公司的竞争能力，日本东芝和佳能两家公司决定联合研发高性能3D闪存，力争在2016年投入量产。3D闪存是下一代闪存技术，相对于2D闪存技术，3D闪存把存储单元垂
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海力士、SanDisk、美光相继推出3D闪存
三星电子率先量产了3D垂直堆叠的NAND闪存，并宣布了基于它的首款固态硬盘，而在日前的闪存峰会上，SK海力士、SanDisk、美光也不甘示弱地宣告了自己的3D闪存技术。 还是首先看看三星的吧。 现在已经能够做到24层堆叠
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海力士、SanDisk、美光：我们也有3D闪存
三星电子率先量产了3D垂直堆叠的NAND闪存，并宣布了基于它的首款固态硬盘，而在日前的闪存峰会上，SK海力士、SanDisk、美光也不甘示弱地宣告了自己的3D闪存技术。还是首先看看三星的吧。现在已经能够做到24层堆叠，单
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3D闪存将优先于RRAM技术进入市场
基于金属氧化物的非挥发性存储器 ──电阻式RAM(RRAM)，在11nm节点前不可能进入市场；在此之前，堆叠式浮闸NAND闪存相对较具潜力，而且很可能会朝向2~4Tbit的独立型整合芯片发展，IMEC研究所存储器研究专案总监Laith
