BICMOS

全差分BiCMOS采样 保持电路仿真设计

一种BiCMOS工艺的AB类自适应偏置输出级

(1．重庆邮电学院　重庆　400065；2．信息产业部电子二十四所　重庆　400060) 摘　要：介绍了一种采用BiCMOS工艺技术制造的具有较大的驱动能力、转换速率和较低的功耗的AB类输出级。他是利用跨导线性原理实现自适应偏

全差分BiCMOS采样 保持电路仿真设计

意法半导体与Mikron二度联手开发90nm生产线

【导读】该Fab将耗资4亿美元，预计每月投产3000片，此前的0.18微米生产线将主要专注于电源管理类、双极类以及BiCMOS类芯片，而新Fab将主要用来生产RFD、智能卡以及工业级芯片。 摘要： 该Fab将耗资4亿美元，预计

集成电路产业细分领域行业概况分析之IC制造

2012年，面临国内外半导体市场增速大幅放缓的不利影响，中国IC制造业整体仍然保持了稳定增长的势头，销售规模已超过500亿元，达到501.1亿元，较2011年的431.6亿元，增长了16.1%。2013年前三季度，IC制造业规模达到45

LM358和LMV358有什么区别?

LM358和LMV358有什么区别?LMV358为低电压，但应该不能算mos器件。工艺上叫BICMOS工艺。具体区别可以查看对比一下两者的datasheet。

采用TDA7388调频立体声解码器

采用TDA7388调频立体声解码器

ST28纳米CMOS制程开发向客户开发

意法半导体(STMicroelectronics，ST)与CMP(Circuits Multi Projets®)携手宣布，大专院校、研究实验室及企业可通过CMP提供的芯片中介服务使用意法半导体的28纳米(nm)CMOS制程开发芯片设计。双方在上一代CMOS合作项

ST通过CMP提供28纳米CMOS制程

意法半导体（STMicroelectronics，ST）与CMP（Circuits Multi Projets?）携手宣布，大专院校、研究实验室及企业可通过CMP提供的芯片中介服务使用意法半导体的28纳米（nm）CMOS制程开发芯片设计。双方在上一代CMOS合作

新型BiCMOS集成运算放大器设计

为了提高运算放大器的驱动能力，依据现有CMOS集成电路生产线，介绍一款新型BiCMOS集成运算放大电路设计，探讨BiCMOS工艺的特点。在S-Edit中进行“BiCMOS运放设计”电路设计，并对其电路各个器件参数进行调

基于0．5μm CMOS工艺的一款新型BiCMOS集成运算放大器设计

摘要：为了提高运算放大器的驱动能力，依据现有CMOS集成电路生产线，介绍一款新型BiCMOS集成运算放大电路设计，探讨BiCMOS工艺的特点。在S-Edit中进行“BiCMOS运放设计”电路设计，并对其电路各个器件参数

俄罗斯Mikron与意法二度联手 开发90nm生产线

据国外媒体报道，日前，俄罗斯芯片制造商JSCMikron宣布与意法半导体合资的90nm8寸生产线将于2011年年底前投片。此前双方曾于2006年合资开展0.18微米制程工艺。该Fab将耗资4亿美元，预计每月投产3000片，此前的0.18微

俄罗斯Mikron与意法联手开发90nm生产线

据国外媒体报道，日前，俄罗斯芯片制造商JSC Mikron宣布与意法半导体合资的90nm 8寸生产线将于2011年年底前投片。此前双方曾于2006年合资开展0.18微米制程工艺。该Fab将耗资4亿美元，预计每月投产3000片，此前的0.18

Mikron与意法二度联手 开发90nm生产线

据国外媒体报道，日前，俄罗斯芯片制造商JSC Mikron宣布与意法半导体合资的90nm 8寸生产线将于2011年年底前投片。此前双方曾于2006年合资开展0.18微米制程工艺。该Fab将耗资4亿美元，预计每月投产3000片，此前的0.18

Mikron 意法二度联手 开发90nm生产线

据国外媒体报道，日前，俄罗斯芯片制造商JSC Mikron宣布与意法半导体合资的90nm 8寸生产线将于2011年年底前投片。此前双方曾于2006年合资开展0.18微米制程工艺。 该Fab将耗资4亿美元，预计每月投产3000片，此前的0.

新型BiCMOS带隙基准电路的设计

　　在模拟及数/模混合集成电路设计中，电压基准是非常重要的电路模块之一，而通过巧妙设计的带隙电压基准更是以其与电源电压、工艺、温度变化几乎无关的特点，广泛应用在LDO及DC-DC集成稳压器、射频电路、高精度A/D

新型BiCMOS带隙基准电路的设计

　　在模拟及数/模混合集成电路设计中，电压基准是非常重要的电路模块之一，而通过巧妙设计的带隙电压基准更是以其与电源电压、工艺、温度变化几乎无关的特点，广泛应用在LDO及DC-DC集成稳压器、射频电路、高精度A/D

一种高精度BiCMOS电流模带隙基准源

采用Xfab O．35μm BiCMOS工艺设计了一种高电源抑制比(PSRR)、低温漂、输出0．5 V的带隙基准源电路。该设计中，电路采用新型电流模带隙基准，解决了传统电流模带隙基准的第三简并态的问题，且实现了较低的基准电压；增加了修调电路，实现了基准电压的微调。利用Cadence软件对其进行仿真验证，其结果显示，当温度在-40～+120℃范围内变化时，输出基准电压的温度系数为15 ppm／℃；电源电压在2～4 V范围内变化时，基准电压摆动小于O．06 mV；低频下具有-102．6 dB的PSRR，40

一种高精度BiCMOS电流模带隙基准源

采用Xfab O．35μm BiCMOS工艺设计了一种高电源抑制比(PSRR)、低温漂、输出0．5 V的带隙基准源电路。该设计中，电路采用新型电流模带隙基准，解决了传统电流模带隙基准的第三简并态的问题，且实现了较低的基准电压；增加了修调电路，实现了基准电压的微调。利用Cadence软件对其进行仿真验证，其结果显示，当温度在-40～+120℃范围内变化时，输出基准电压的温度系数为15 ppm／℃；电源电压在2～4 V范围内变化时，基准电压摆动小于O．06 mV；低频下具有-102．6 dB的PSRR，40

基于BiCMOS宽动态可变增益放大器的设计

基于栅压控制MOS管等效电阻实现放大器输出电阻和射极电阻同时改变的原理，构造一种新型可变增益放大器，通过控制电路和稳压电路提高了增益动态范围和电路稳定性。采用UMC O．5μm BiCMOS工艺，使用HSpice软件仿真，结果表明该放大器可在O～70μA的较小控制电流下实现增益在O～66 dB宽范围内连续变化，带宽超过73 MHz，具有良好的线性度。