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CMOS与CCD图像传感器
CCD（Charge Coupled Device）图像传感器（以下简称CCD）和CMOS图像传感器（CMOS Image Sensor以下简称CIS）的主要区别是由感光单元及读出电路结构不同而导致制造工艺的不同。CCD感光单元实现光电转换后，以电荷的方
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CCD图像传感器在光栅传感器中的研究与应用
光栅传感器的作用是能够实现精密测量，其测量原理建立在莫尔条纹的基础上。由于光的干涉效应，将等栅距的两块光栅以微小夹角重叠在一起，可以看到在近似垂直栅线方向上出现明暗相间的条纹，称为莫尔条纹，如图1所示：
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CCD图像传感器在光栅传感器中的研究与应用
光栅传感器的作用是能够实现精密测量，其测量原理建立在莫尔条纹的基础上。由于光的干涉效应，将等栅距的两块光栅以微小夹角重叠在一起，可以看到在近似垂直栅线方向上出现明暗相间的条纹，称为莫尔条纹，如图1所示：
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光电传感器的应用?
1. 火焰探测报警器? 图 8 - 23 是采用硫化铅光敏电阻为探测元件的火焰探测器电路图。 硫化铅光敏电阻的暗电阻为1 MΩ， 亮电阻为 0.2 MΩ(光照度 0.01 W/m2下测试的)，峰值响应波长为2.2μm。 硫化铅光
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CCD图像传感器TCD1206结构特点及引脚
TCD1206是一款高灵敏度、低暗电流、2 160像元的双沟道线阵CCD图像传感器。由2 236个PN结光电二极管构成光敏元阵列，其中前64个和后12个是用作暗电流检测而被遮蔽的，中间2 160个光电二极管是曝光像敏单元，每个光
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监控用CMOS与CCD图像传感器对比
CCD（Charge Coupled Device）图像传感器（以下简称CCD）和CMOS图像传感器（CMOS Image Sensor以下简称CIS）的主要区别是由感光单元及读出电路结构不同而导致制造工艺的不同。CCD感光单元实现光电转换后，以电荷的方
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监控用CMOS与CCD图像传感器对比
CCD（Charge Coupled Device）图像传感器（以下简称CCD）和CMOS图像传感器（CMOS Image Sensor以下简称CIS）的主要区别是由感光单元及读出电路结构不同而导致制造工艺的不同。CCD感光单元实现光电转换后，以电荷的方
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监控用CMOS与CCD图像传感器对比
CCD（Charge Coupled Device）图像传感器（以下简称CCD）和CMOS图像传感器（CMOS Image Sensor以下简称CIS）的主要区别是由感光单元及读出电路结构不同而导致制造工艺的不同。CCD感光单元实现光电转换后，以电荷的方
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监控用CMOS与CCD图像传感器对比
CCD（Charge Coupled Device）图像传感器（以下简称CCD）和CMOS图像传感器（CMOS Image Sensor以下简称CIS）的主要区别是由感光单元及读出电路结构不同而导致制造工艺的不同。CCD感光单元实现光电转换后，以电荷的方
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CCD传感器，打开五彩世界的电子眼
瑞典皇家科学院6日宣布，将2009年诺贝尔物理学奖授予英国华裔科学家高锟以及美国科学家威拉德·博伊尔和乔治·史密斯。伴随着数码相机、带有摄像头的手机等电子设备风靡全球，人类已经进入了全民数码影像
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基于CPLD的全帧型CCD图像传感器驱动系统设计
0 引 言 电荷耦合器件(Charge Coupled Devices，CCD)是20世纪70年代初发展起来的新型半导体集成光电器件。作为一种新型的MOS器件，与普通MOS器件相比，具有集成度更高、功耗更低、设计更简单、制造工序更少等优
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基于CPLD的全帧型CCD图像传感器驱动系统设计
0 引 言 电荷耦合器件(Charge Coupled Devices，CCD)是20世纪70年代初发展起来的新型半导体集成光电器件。作为一种新型的MOS器件，与普通MOS器件相比，具有集成度更高、功耗更低、设计更简单、制造工序更少等优
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线阵CCD图像传感器驱动电路的设计
随着CCD性能的不断提高，CCD技术在军、民用领域都得到了广泛的应用。介绍了TCDl501C线阵CCD的驱动电路设计，详细介绍了用VHDL完成的CCD图像传感器驱动时序设计和视频输出差分信号驱动电路的设计。
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TC237B型CCD图像传感器的原理及应用
详细介绍TC237的主要特点，引脚功能和结构原理，最后给出TC237B在嵌入式图像采集系统中的具体应用实例。
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线阵CCD图像传感器驱动电路的设计
本文以TCD1501C型CCD图像传感器为例．介绍了其性能参数及外围驱动电路的设计．
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μPD3575D CCD图像传感器的原理及应用
μPD3575D是NEC公司生产的一种高灵敏度、低暗电流、1024像元的内置采样保持电路和放大电路的线阵CCD图像传感器。
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CCD图像传感器在微光电视系统中的应用
阐述了CCD图像传感器在微光电视系统中的应用
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