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中兴通讯去年专利申请数第一 华为第三
世界知识产权组织(WIPO)公布的最新数据显示，2011年国际专利申请数量达到181900件，比上年增长10%，创历史新高。WIPO总干事Francis Gurry表示：“尽管全球经济表现低迷，但全球企业的发明创新活动并没有因此受到影响
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世界知识产权组织：中国专利申请去年增33%
据路透社报道，一位联合国官员在周一表示，全球范围的专利申请数在去年达到了一个历史性高度，这其中主要的增长是来自于中国及其它中等收入的国家和地区。世界知识产权组织公布2011年全球专利申请总数为181900项，较
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中国专利申请去年增33% 中兴通讯申请数第一
北京时间3月6日消息，世界知识产权组织(WIPO)公布的最新数据显示，2011年国际专利申请数量达到181900件，比上年增长10%，创历史新高。WIPO总干事Francis Gurry表示：“尽管全球经济表现低迷，但全球企业的发明创
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策略布局见效果 张忠谋：台积电20奈米最快明年起贡献营收
台积电 (2330-TW)(TSM-US) 董事长暨总执行长张忠谋今(5)日出席临时董事会决议说明记者会强调，28/20奈米营收贡献将逐年攀升。其中20奈米部分，最快明(2013)年可望开始贡献营收。 他指出，就台积电技术与营运事业发
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解读夏普与奇美电子合作的意义
2011年2月4日，《日本经济新闻》等媒体报道了夏普与台湾奇美电子（Chi Mei Innolux）合作的消息。报道指出两家公司的主要合作内容包括：（1）夏普向奇美转让最新液晶面板技术，（2）夏普采购奇美制造的20～39英寸液晶
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中国国际科学仪器及实验室装备展览会今日开幕
今天，第九届中国国际科学仪器及实验室装备展览会在北京拉开帷幕，此次展会将持续到4月27日。此次展会共有700家国内外科学仪器及实验室装备的相关企业参与，展出面积达30000平方米。 展会将更加重点突出国际化和专业
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肯尼亚推迟非法手机禁令最后期限
北京时间12月21日早间消息（蒋均牧）据国外媒体报道，肯尼亚电信监管机构CKK已推迟运营商禁止非法手机入网的期限直至2012年4月，理由是网络中缺乏探测非法手机的必须设备。该项禁令的生效期已从今年9月底延至年底前
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医院HIS升级 卫生信息化加快进展
一二线城市各级医院HIS升级契机来临 笔者通过对一二线城市的三级医院、二级医院及部属医院进行调研发现，近期HIS系统在一二线城市的各级医院渗透率已经较高，但上线时间较长。一般三级医院HIS系统的上线时间已经超过
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移动应用驱动BSI加速发展
智能型手机、平板计算机等手持式装置当道，且对于相机画素规格要求愈来愈高，不但是画素规格朝800万迈进，预期2012年起1,200万画素CIS将成为主流趋势，CIS技术纷纷导入背照式(Backside Illumination;BSI)制程，Omniv
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移动应用驱动BSI加速发展
智能型手机、平板计算机等手持式装置当道，且对于相机画素规格要求愈来愈高，不但是画素规格朝800万迈进，预期2012年起1,200万画素CIS将成为主流趋势，CIS技术纷纷导入背照式(Backside Illumination；BSI)制程，Omni
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移动应用驱动BSI加速发展
智能型手机、平板计算机等手持式装置当道，且对于相机画素规格要求愈来愈高，不但是画素规格朝800万迈进，预期2012年起1,200万画素CIS将成为主流趋势，CIS技术纷纷导入背照式(Backside Illumination；BSI)制程，Omni
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移动设备盛行半导体/设备厂抢进BSI制程
连于慧／台北 智慧型手机、平板电脑等手持式装置当道，且对于相机画素规格要求愈来愈高，不但是画素规格朝800万迈进，预期2012年起1,200万画素CIS将成为主流趋势，CIS技术纷纷导入背照式(Backside Illumination；BSI
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CMOS与CCD图像传感器
CCD（Charge Coupled Device）图像传感器（以下简称CCD）和CMOS图像传感器（CMOS Image Sensor以下简称CIS）的主要区别是由感光单元及读出电路结构不同而导致制造工艺的不同。CCD感光单元实现光电转换后，以电荷的方
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CMOS与CCD图像传感器
CCD（Charge Coupled Device）图像传感器（以下简称CCD）和CMOS图像传感器（CMOS Image Sensor以下简称CIS）的主要区别是由感光单元及读出电路结构不同而导致制造工艺的不同。CCD感光单元实现光电转换后，以电荷的方
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CMOS与CCD图像传感器
CCD（Charge Coupled Device）图像传感器（以下简称CCD）和CMOS图像传感器（CMOS Image Sensor以下简称CIS）的主要区别是由感光单元及读出电路结构不同而导致制造工艺的不同。CCD感光单元实现光电转换后，以电荷的方
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CMOS与CCD图像传感器
CCD（Charge Coupled Device）图像传感器（以下简称CCD）和CMOS图像传感器（CMOS Image Sensor以下简称CIS）的主要区别是由感光单元及读出电路结构不同而导致制造工艺的不同。CCD感光单元实现光电转换后，以电荷的方
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2011年中国市场电子元器件领军厂商隆重揭晓
在工信部和中国电子学会的支持下，由中国电子展组委会主办，电子元件技术网组织实施的“2011年度中国电子制造商采购行为调查暨中国市场电子元器件领军厂商评选”结果在本届电子展期间隆重揭晓。共有28家国际和国内电
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法国CIS薄膜太阳能电池发电站运转
日本昭和壳牌石油公司旗下从事太阳能电池生产及销售业务的子公司Solar Frontier公司在法国首次建成配备其独自开发生产的CIS(铜铟硒)薄膜太阳能电池的光伏电站，并已投入运转。该公司与光伏发电系统全球建设承包商Bel
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法国电信拟1.5亿欧元新建IT合资公司
北京时间11月8日下午消息（苏玛丽）据外国媒体报道，法国电信（France Telecom SA）与广告公司阳狮集团（Publicis Groupe SA）周一宣布将合资创建一个IT公司，投资1.5亿欧元。同时，双方公司都有意邀请其他投资者加
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昭和壳牌传明年将量产高转换率CIS薄膜太阳能电池
日经新闻9日报导，日本昭和壳牌石油(Showa Shell Sekiyu KK)旗下全资子公司Solar Frontier计画于2012年下半年开始量产具备高光电转换率的CIS薄膜太阳能电池，其转换率将达13-14%(指模组的转换率;以下同)。报导指出
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