CRC

Xilinx Virtex-5 FPGA 中的CRC模块

PIC单片机CRC校验程序

浅析嵌入式中通讯协议设计的规律

公司里做项目，嵌入式系统大大小小，到处都是。因为都是一个系统里的，所以都需要通讯，既然通讯就涉及到协议问题。

STM32F4学习笔记11——CRC循环冗余校验

关于CRC校验有以下几个方面1.模2除（也就是异或）。2.多项式与二进制关系（x的最高幂次对应二进制数的最高位，以下各位对应多项式的各幂次，有此幂次项对应1，无此幂次项对应0，x的最高幂次为R，转换成对应的二进制数

Xilinx Virtex-5 FPGA 中的CRC模块

嵌入式系统开发不难，保证可靠性有这几大技巧

目前嵌入式系统开发应用非常的广泛，在很多领域都有应用，而且技术更新很快。嵌入式系统是以应用为中心，以计算机技术为基础，并且软硬件可裁剪，适用于应用系统对功能、可

关于嵌入式系统开发的小技巧

嵌入式系统的设计技术主要包括硬件设计技术和软件设计技术两大类。其中，硬件设计领域的技术主要包括芯片级设计技术和电路板级设计技术两个方面。

CRC循环冗余校验的原理与算法及FPGA实现

CRC基本原理在串行数据流的最有效的检错方案是CRC(Cyclic Redundancy check)循环冗余检验，CRC循环冗余校验最根本的原理就是将原始数据除以某个固定的数，然后所得的余数就

有趣的线性反馈移位寄存器(LFSR)

最近一直在研究信道编码，发现在信道编码里面有一个电路比较重要也比较有趣，那就是线性反馈移位寄存器 LFSR ，相信大家对 LFSR 电路也不陌生了，在通信领域lfsr有着很广泛

CRC校验原理与程序设计——(RS485总线系统应用之1)

1.CRC校验原理1.1 CRC的基本概念：CRC是英文Cyclical Redundancy Check的缩写，翻译成中文通常称作循环冗余校验或简称为CRC校验。它是数据传输领域中最常用的一种差错校验

工业通信中的检错码技术

0 引言在变频器等工业现场，在传输数据的过程中，往往由于噪声或瞬时中断等干扰，使接收到的信息出现错误。如果信息传输出现错误而不被发现，会引起灾难性的后果，可以采取

一种简化的MCU程序保护设计

受电磁干扰影响，单片机的程序读取时会出错，最终造成程序走飞和数据出错。目前广泛采用的看门狗技术只对部分程序走飞现象有效，而对程序执行错造成的数据错无效。根据报道的受干扰而造成数据错概率统计数据，计算出引起MCU系统失效的概率已远大于功能安全要求的失效率。为了解决这一问题，需要对读取的程序指令加以检验。国外有的单片机已经添加了这一功能，即纠错编码(ECC)。本文建议一种简化的检验功能，它基于并行的CRC检验，提出了求取并行CRC检验逻辑的方法。

2013年彩电研究发布会将召开 彩电多元化成大趋势

2014年1月15日,由工业与信息化部指导、中国电子视像协会和奥维咨询(AVC)联合主办的2013年度中国电子信息产业经济运行暨彩电行业研究发布会将在北京召开。作为彩电行业资深的专业研究成果发布会议,本次会议将以&ldquo

CAN协议的错帧漏检率改进

当数据在传送中出错，且错帧被漏检时，就意味着错误的数据被送到应用层，除非应用层有额外的数据识别措施，这个数据就可能引起不可预测的结果。CAN协议声称有很低的错帧漏检率(4.7×10-11×出错率)[1]，有

TS流的CRC译码器设计

TS流的CRC译码器设计 潘家顶，杨光杰 (桂林理工大学信息科学与工程学院，广西 桂林 541004) 摘要：TS流是数字电视信号传输的主要方式，由于其采用的是广播方式且信道中存在着许多干扰，因此是不可靠传输。为了保证

基于SATAII协议的CRC32并行算法的研究

摘要：在介绍CRC校验原理和传统CRC32串行比特算法的基础上，由串行比特型算法推导出一种CRC32并行算法、并结合SATAⅡ协议的要求，完成了SATAⅡ主控制器设计中CRC生成与校验模块的设计。最后通过在ISE平台上编写Veril

交流通路与放大原理

有信号输入时，放大电路的工作状态称为动态。动态时，电路中既有代表信号的交流分量，又有代表静态偏置的直流分量。是交、直流共存状态，尽管电路中既有交流分量，又有直流分量。由于电路中含有电抗性元件，因此，交

PIC单片机CRC校验程序

用PIC单片机和Dallas的iButtON通讯时，编了段产生和校验CRC的子程序。#include;-------------------------------cblock 0x20datBuff:8 ;assign 8 byte data bufferbit_cnt ;bit countingCRC_COUNT ;number of bytes

解读CRC的校验原理

解读CRC的校验原理

Vishay发布4款新型D/CRCWe3厚膜片式电阻的工程设计包

21ic讯 日前，Vishay Intertechnology, Inc.（NYSE 股市代号：VSH）宣布，推出其下一代TrenchFET® Gen IV系列30V n沟道功率MOSFET中的首款器件。SiRA00DP、SiRA02DP、SiRA04DP和SiSA04DN采用了新型高密度设计，在