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Intel 14nm全新架构海量细节：4W！！

Intel将在未来一年内连续推出两套14nm工艺主流处理器，其中Broadwell主打笔记本移动平台，Skylake则会为桌面平台带来全新升级，无论架构、技术都将有质的飞跃，尤其是支持DDR4。今天，我们又获悉了关于Skylake的大量

智能硬件
2014-06-27

Intel SKYLAKE DDR3 内存
AgigA 推出业界高存储密度的 DDR3 解决方案

赛普拉斯半导体公司的子公司AgigA技术公司日前宣布，推出业界最高存储密度的DDR3解决方案，成为其无需电池供电的高速非易失性RAM系列产品中新的一员。AGIGARAM™非易失

嵌入式硬件
2014-06-22

电池供电存储密度 GB DDR3
AMD先发制人携手SimpleTech合推DDR3模块对抗英特尔

【导读】AMD先发制人携手SimpleTech合推DDR3模块对抗英特尔 Advanced Micro Devices公司(AMD)与SimpleTech公司宣布合作定义面向基于DDR3的SDRAM存储模块的寄存器和其它规范，有望给对手英特尔一先发制人

半导体
2014-06-09

英特尔 AMD SIMPLE DDR3
DRAM迎来希望之光年底将“春光灿烂”

【导读】在DRAM市场的历史上，2009年初可能是最黑暗的时期之一，当时厂商能活下来就不错了。在DRAM市场的历史上，2009年初可能是最黑暗的时期之一，当时厂商能活下来就不错了。但是，继春季温和复苏之后，DRAM

半导体
2014-06-09

DRAM 三星美光 DDR3
DRAM产业回升，以胜利姿态挥别2009

据iSuppli公司，2009年DRAM市场摇摆不定，从一个极端到另一个极端，但第四季度克服了年初时的疲弱局面，高调结束全年，自2007年以来首次实现盈利。2009年第一季度创下2001年

嵌入式硬件
2014-06-07

DRAM ATOM ISUPPLI DDR3
尔必达瑞晶垂直晶体管结构DDR3芯片试产成功

【导读】日本尔必达与台湾瑞晶公司近日发表联合声明称两家公司已经成功完成了4F2架构设计1Gbit密度DDR3 DRAM芯片的试产，这次试产是由瑞晶的研发中心主导的。瑞晶的研发中心自去年开始正式运作，他们一直在和尔必达公

半导体
2014-06-06

晶体管芯片尔必达 DDR3
高效率双通道同步降压型控制器提供完整的 DDR 电源解决方案并符合 DDR1 / DDR2 / DDR3 标准要求

【导读】加利福尼亚州米尔皮塔斯 (MILPITAS， CA) – 2011 年 12 月 16 日 – 凌力尔特公司 (Linear Technology Corporation) 推出高效率双输出同步降压型 DC/DC 控制器 LTC3876，该器件为 DDR1 / DDR2 / DDR3 以及未

半导体
2014-06-06

控制器双通道同步降压 DDR3
SK海力士无锡厂机台故障DRAM现货价涨逾9%

市场17日传出，全球第三大DRAM厂韩国SK海力士无锡厂机台发生问题，导致对OEM厂商DRAM供货可能大减，昨天晚间DRAM现货价最高涨幅逾7%，24小时内涨逾9%，有助南科（2408）、华亚科等业者营运。SK海力士无锡厂机台出状况

半导体
2014-04-24

DRAM SK海力士 OEM DDR3
细节很重要，笔记本内存升级注意事项

笔记本电脑内存看似简单，其实在升级、更换时也有很多需要注意的情况，并不是自己上淘宝买根内存然后简单换上就行了。那么在笔记本更换升级内存时到底需要注意哪些细节呢？本文将会为大家一一解答。笔

智能硬件
2014-04-21

GB HZ DDR3 内存
SK海力士无锡厂机台故障DRAM现货价涨逾9%

市场17日传出，全球第三大DRAM厂韩国SK海力士无锡厂机台发生问题，导致对OEM厂商DRAM供货可能大减，昨天晚间DRAM现货价最高涨幅逾7%，24小时内涨逾9%，有助南科（2408）、华亚科等业者营运。SK海力士无锡厂机台出状况

模拟
2014-04-18

DRAM SK海力士 OEM DDR3
三星量产业界最尖端20纳米4Gb DDR3

作为尖端半导体解决方案的全球领先企业，三星电子今日宣布已从本月起开始正式量产采用20纳米制程技术的世界最小型4Gb DDR3 DRAM。三星电子利用现有的ArF浸入式光刻机，克

嵌入式硬件
2014-04-12

三星 4G GB DDR3
Intel Quark照片曝光，“夸克”原来长这样

“夸克”Quark X1000系列处理器是Intel针对物联网、可穿戴领域推出的一种微型处理器，以当年的32位奔腾架构为基础打造。在最新公布的一份文档中，Intel首次给出了“Quark”的真身照片(严格来说是渲染照

智能硬件
2014-04-09

BOOT Intel DDR3 内存
泰克推出面向DDR4、DDR3和DDR3L内存的实时一致性分析仪

中国北京，2013年10月24日 –测试、测量及监测仪器的全球领导厂商—泰克公司日前宣布，推出实时内存执行验证解决方案，以提供针对JEDEC DDR4、DDR3和DDR3L内存

嵌入式硬件
2014-04-05

泰克 DDR4 DDR3 内存
新型技术内存或改善2014年苹果产品电池表现

威锋网讯，据外媒报道，由于美光公司对 LPDDR4 动态内存技术的改进，苹果于 2014 年发布的产品，消费者很有可能会感受到性能的提升和电池寿命的改善。注：Micron（美国美光）半导体是全球第二大内存芯片厂，是全球著

半导体
2014-04-05

苹果电池 DDR3 内存
三星电子量产业界最尖端20纳米4Gb DDR3

作为尖端半导体解决方案的全球领先企业，三星电子今日宣布已从本月起开始正式量产采用20纳米制程技术的世界最小型4GbDDR3DRAM。三星电子利用现有的ArF浸入式光刻机，克服了20纳米DRAM微细化的技术限制，开创了内存存

半导体
2014-03-16

三星电子 4G GB DDR3
三星下一代20nm 4G DDR3内存已量产

今天，韩国三星公司宣布下一代4G DDR3内存开始量产，采用20nm制程工艺。三星一年前就开始筹划该款新型闪存芯片。据内存产品参数来看，相比旧版25nm工艺DDR3内存，新款20nm DDR3内存芯片提升30%的运行效

智能硬件
2014-03-16

三星 4G DDR3 内存
三星电子量产20纳米4Gb DDR3 DRAM

三星电子成功量产20纳米DRAM，展示了在半导体领域的主导地位。三星电子3月11日发布称“公司在全球率先启动了20纳米4Gb DDR3 DRAM的量产工作”。1纳米等于十亿分之一米，20纳米仅相当于头发丝粗细的2500分之

通信技术
2014-03-13

DRAM 三星电子 GB DDR3
21ic新闻大爆炸：三星电子量产20纳米4Gb DDR3

1、三星电子量产20纳米4Gb DDR3三星电子近日宣布正式量产采用20纳米制程技术的世界最小型4Gb DDR3 DRAM。三星电子利用现有的ArF浸入式光刻机，克服了20纳米DRAM微细化的技术限制，创新性地研发出“改良版双重照

21ic专访
2014-03-13

三星电子 IC GB DDR3
三星电子量产世界最小型20纳米4Gb DDR3 DRAM

三星电子日前宣布已从本月起开始正式量产采用20纳米制程技术的世界最小型4Gb DDR3 DRAM。三星电子利用现有的ArF浸入式光刻机，克服了20纳米DRAM微细化的技术限制。NAND闪存的基本存储单元由一个晶体管构

消费电子
2014-03-13

DRAM 三星电子 GB DDR3
三星量产最先进20nm 4Gb DDR3 DRAM

作为尖端半导体解决方案的全球领先企业，三星电子今日宣布已从本月起开始正式量产采用20纳米制程技术的世界最小型4Gb DDR3 DRAM。三星电子利用现有的ArF浸入式光刻机，克服了20纳米DRAM微细化的技术限制

消费电子
2014-03-13

DRAM 三星 GB DDR3

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DDR3

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