Adrian Cosoroaba和Terry Magee在本月MemCon上给出了关于DDR4 SDRAM接口的详细展示,该演示应用于赛灵思UltraScale All Programmable FPGA上。接口设计将DDR SDRAM提升至2400Mbps甚至以上,同时降低接口功耗。为了达
历经六年的开发时间,DDR4终于踏上征程,扬帆起航。近日英特尔服务器处理器Xeon E5-2600系列,正式推出采用Haswell新运算架构的第三代产品Xeon E5-2600 v3,开始支持时钟频
三星电子今日宣布已开始量产全球首款20纳米8Gb DDR4企业级服务器用DRAM。今年下半年适用于DDR4的服务器中央处理器已经上市,此时量产该款DRAM产品将推动高端服务器市场从DDR3向DDR4的转换。基于20纳米8Gb DDR4的服
历经六年的开发时间,DDR4终于踏上征程,扬帆起航。近日英特尔服务器处理器Xeon E5-2600系列,正式推出采用Haswell新运算架构的第三代产品Xeon E5-2600 v3,开始支持时钟频
转自台湾digitimes的消息,DDR4以前瞻性的高传输速率、低功耗与更大记忆容量,在2014年下半将导入英特尔工作站/伺服器以及高端桌上型电脑平台,并与LP-DDR3存储器将同时存在一段时间;至于NAND Flash快闪存储器也跨
21ic讯 是德科技公司日前宣布推出用于 Infiniium 系列示波器的 DDR4 球形栅格阵列(BGA)内插器探测解决方案。DDR4 BGA 探头与示波器结合使用,可以让工程师调试和表征他们的 DDR4 内存设计,以及验证器件与 JEDEC D
韩国三星电子今天正式宣布,目前已经开始正式量产全球首款采用3D TSV立体硅穿孔封装技术打造的DDR4内存条,单条容量高达64GB。该DDR4内存采用三星自家先进的2xnm工艺,所采用的TSV技术,是一种穿透硅晶
高大上的新一代Haswell-E旗舰桌面处理器和X99主板都已经登场一星期了,与此同时也带来了一大波DDR4内存,这次可能会让你吃惊,因为热门硬件厂商影驰也将要推出HOF系列DDR4内存。其实影驰在年中的Comput
在IDF14前夕,英特尔正式发布全新的服务器处理器产品E5 v3,虽然看上去这只是一次例行公事的升级,但这对于英特尔继续巩固目前的服务器市场无疑是有益的。另外E5 v3针对软件定义SDI进行优化,可以进行更
在IDF14前夕,英特尔正式发布全新的服务器处理器产品E5 v3,虽然看上去这只是一次例行公事的升级,但这对于英特尔继续巩固目前的服务器市场无疑是有益的。另外E5 v3针对软件定义SDI进行优化,可以进行更智能的资源调
JEDEC固态技术协会今天公布了DDR4内存标准中的部分关键属性,并宣布将在2012年年中正式发布新一代内存标准规范,相比于DDR3取得重大性能提升,同时继续降低功耗。JEDEC固态
21ic讯 领先市场的高速、高容量、无需电池的非易失性存储解决方案供应商,赛普拉斯半导体公司的子公司 AgigA Tech公司日前宣布,开始向主要OEM和开发合作伙伴提供业界首款DDR4 非易失性 DIMM (NVDIMM)的样品。AGIGA
三星电子今天宣布,已经完成了历史上第一款DDR4 DRAM规格内存条的开发,并采用30nm级工艺制造了首批样品。时至今日,DDR4内存的标准规范仍未最终定夺。三星这条样品属于UDI
21ic讯 Molex公司现推出DDR4 DIMM插座产品,具有气动及标准两种型款,为设计工程师提供更多的选项和更高的性能,同时保持成本竞争力。气动插座产品具有通孔端接类型和流线型的锁闩及外壳, 提供更好的气流及节省空间
21ic讯 安捷伦科技公司(NYSE: A)日前推出ADS先进设计系统 DDR4 一致性测试平台,为工程师提供从仿真设计到测量原型产品的完整工作流程。无论是开发 DDR 控制器 IP 的半导体公司、开发 DRAM 芯片和 DIMM 的存储器厂商
【导读】微电子产业标准机构JEDEC固态技术协会发布广为业界期待的DDR4内存标准。JEDEC DDR4 (JESD79-4) 内存标准的制定旨在提高性能与可靠性的同时降低功耗。因此,相较于此前的DRAM内存技术,DDR4代表着实质性的进步
虽然支持DDR4内存的Haswell-E还不见任何踪影,但内存厂商们早就等不及了,从今年初就开始发布各种规格的DDR4内存,但初期的规格均不是特别好看,直到美光Eallistix Elite的出现。美光Eallistix Elite DDR4内存隶属于
随着2014年台北国际电脑展(Computex)6月3日登场,记忆体模组大厂威刚科技(3260)将于现场中盛大展出首款自行研发的工业用固态硬碟(SSD)全方位解决方案、及全系列最新款SSD产品。同场也将展出领先业界的DDR4超频
Cadence设计系统公司近日宣布,立即推出基于台积电16纳米FinFET制程的DDR4 PHY IP(知识产权)。16纳米技术与Cadence创新的架构相结合,可帮助客户达到DDR4标准的最高性能,亦即达到3200Mbps的级别,相比之下,目前无
21ic讯—2014年5月20日,全球电子设计创新领先企业Cadence设计系统公司(NASDAQ: CDNS)今天宣布,立即推出基于台积电16纳米FinFET制程的DDR4 PHY IP(知识产权)。16纳米技术与Cadence创新的架构相结合,可帮助客户