EPC公司宣布推出EPC2045及EPC2047氮化镓场效应晶体管(eGaN® FET),对比前一代的产品,这些晶体管的尺寸减半,而且性能显著提升。
宜普电源转换公司(EPC)宣布位于美国弗吉尼亚州的Blacksburg应用中心落成。该中心进一步支持增强型氮化镓晶体管及集成电路的研发及应用,从而扩大潜在市场的覆盖率。除了基于传统的场效应晶体管及集成电路的功率转换应用外,氮化镓技术推动新兴应用的出现,包括无线电源传输、应用于全自动驾驶车辆的激光雷达技术及 支持4G和5G通信标准的包络跟踪应用。
EPC9126开发板基于具备超快速的转换速度特性的eGaN FET,可通过大电流脉冲及低至5 ns的总脉宽来驱动激光二极管,从而提高激光雷达系统的侦测资料的质素,包括侦测资料的准
EPC公司将于国际消费电子展CES® 2017在Mandalay Bay酒店与客户见面的Hospitality Suite展示氮化镓(GaN)技术是众多最新应用的主要技术,包括自动驾驶汽车、不使用电源线的未来家居、互联汽车及于药丸内的微型X光系统以非侵入式方法进行结肠镜检查等应用。
宜普电源转换公司(EPC)宣布加快推出基于磁共振技术的无线充电系统。该系统采用WiTricity的参考设计,内含基于氮化镓器件的ASD解决方案,可以满足客户和终端系统生产商对基于氮化镓技术的无线充电产品不断增长的需求。
宜普电源转换公司(EPC)发布第八阶段可靠性测试报告。该报告表明,在累计超过800万个器件-小时的应力测试后,没有器件发生失效的情况。该报告详细探讨EPC器件在被确认为合格产品前所经受的各项应力测试,并且分析器件失效的物理原因。
前面说过在EPC中,PS域是重点,因此接下来就简单介绍一下PS域的一些接口。S1接口对核心网来说,S1接口可能是很多种接口之一,但是对LTE人来说,这就是天字号第一接口,因为
EPC与ASD公司启动增值合作伙伴计划,携手为客户共创美好未来,支持客户利用基于eGaN®技术,从概念开发到产品制造,共同开发出全新的无线充电应用及其它的新兴应用。
具备优越特性的eGaN® FET与集成电路可以实现的低成本解决方案是在发射端采用单个功率放大器,而在接收端无论是采用什么标准,也可以实现无线充电。
宜普电源转换公司制作了6个视频,于网上分享采用eGaN® FET及集成电路(IC)并面向最终用户的应用。这些视频展示出氮化镓技术如何改变了我们的生活方式及挑战功率系统设计工程师如何在他们的新一代功率系统设计中发挥氮化镓场效应晶体管的卓越性能。
EPC公司的全新开发板可以被配置为一个降压转换器或ZVS D类放大器,展示出基于eGaN FET、采用同步自举电路的栅极驱动器在高频工作时可以减少损耗。
宜普电源转换公司发布第七阶段可靠性测试报告,展示出在累计超过170亿器件-小时的测试后的现场数据的分布结果,以及提供在累计超过700万器件-小时的应力测试后的详尽数据。各种应力测试包括间歇工作寿命[(IOL)[、早期寿命失效率[(ELFR)、高湿偏置、温度循环及静电放电等测试。报告提供受测产品的复合0.24 FIT失效率的现场数据。这个数值与我们直至目前为止所取得的现场评估的结果是一致的,证明在商业化的功率开关应用中,eGaN FET已经准备好可以替代日益老化的等效硅基器件。
宜普电源转换公司宣布推出EPC2040功率晶体管,它是一种超小型、具备快速开关性能的氮化镓功率晶体管,面向高速终端应用,可实现优越的分辨率、更快速的响应时间及更高准确度。此外,由于在整个工作温度范围内,器件具有高准确度门限,因此当镭射受热,可确保系统的稳定性。例如该晶体管在LiDAR技术所采用的脉冲式镭射驱动器是理想的器件。LiDAR技术是全自动驾驶汽车的导航系统及扩增实景平台的重要技术。EPC2040的优越性能在这些系统中可以实现更高准确度及分辨率。
张远哲博士将为业界的包络跟踪应用创建设计基准及帮助客户利用氮化镓场效应晶体管(eGaN® FET)实现高频、高性能的电源转换系统。宜普电源转换公司(EPC)宣布张远哲(Yuanzhe Zhang)博士加入EPC的应用工程团队,担任
《无线电源手册》第二版是全新增订本,旨在帮助工程师如何发挥氮化镓功率晶体管的卓越性能以设计出面向无线电源传送系统的高效放大器。宜普电源转换公司宣布推出《无线电源
宜普公司的《DC/DC转换手册》与工程师分享如何在数据通信设备及其它功率转换应用中利用氮化镓(GaN)功率晶体管提高效率及功率密度。
宜普电源转换公司推出增强型氮化镓IC系列的最新成员-- EPC2110。EPC2110是一种具有120 VDS、20 A的双路共源极器件,它采用非常纤薄的封装(1.35 mm x 1.35 mm),于栅极施加5 V电压时的最高RDS(on) 为 60 mΩ。由于EPC2110具备超高开关频率、超低RDS(on)、异常低的QG及采用非常纤薄的封装,因此这种氮化镓IC可以实现高性能。
2015年11月11日-13日,为期三天的年第86届中国电子展将在上海新国际博览中心隆重开幕。本届展会将是全中国乃至全亚洲电子行业的盛会,展会以“信息化推动工业化,电子技术促进产业升级”为主题,计划展会规模60000平方米,1200家展商、60000名买家和专业观众,在这里远大创新电子作为一家国内知名的贸易公司,将携新代理的多种新产品亮相展会。
全新eGaN FET (EPC2039)具备优越性能、大功率及采用超小型封装的优势,其价格也可以支付得起。 宜普电源转换公司宣布推出EPC2039功率晶体管。该产品是一种具备高功率密度的增强型氮化镓((eGaN)功率晶体管,其尺寸只是1.82 mm2、80 VDS、6.8 A及在栅极上施加5 V电压时的最大阻抗为 22 mΩ。 由于它在超小型封装内具备高开关性能,因此它在电源转换系统具备高性能优势。
氮化镓功率晶体管 -- EPC2106为功率系统设计师提供的解决方案可以在2 MHz以上频率开关,从而不会干扰AM频段及降低过滤成本,因此是具备低失真性能的D类音频放大器的理想选择。 宜普电源转换公司宣布推出单片半桥式增强型氮化镓晶体管 -- EPC2106。通过集成两个eGaN®功率场效应晶体管而成为一个集成电路可以去除互感及PCB板上器件之间所需的间隙空间,从而提高效率(尤其是在更高频时)及提高功率密度而同时降低终端用户的功率转换系统的组装成本。