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将 FET 用于电压控制电路的指南，第 3 部分
如果我们将前面图 3 至图 17 中任何一个中的电位器 VR1 替换为交流信号加直流偏置信号，压控衰减器就可以变成幅度调制器电路。例如，在图 15(P 沟道 MOSFET)中，如果输入信号 Vin 是高频载波信号和 VR1 的信号 Vcont 替换为负直流偏置信号加低频正弦波信号，则输出信号 Vout 将具有如图18所示的调幅载波信号。
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将 FET 用于电压控制电路的指南，第 2 部分
之前我们研究了 FET 压控电阻器、基本压控电阻器电路以及平衡或推挽压控电阻器 (VCR) 电路。接下来，我们来看看带反馈的 N 沟道 JFET 衰减器电路(图 8)。
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将 FET 用于电压控制电路的指南，第 1 部分
我很高兴在我们的行业中仍然有一些公司在制造精密、分立的晶体管;线性集成系统是我遇到过的最好的系统之一。有如此多的应用需要使用优质分立元件而不是集成电路来设计电路。
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如何量化 SiC FET 的脉冲电流能力
宽带隙 (WBG) 半导体器件，例如碳化硅 (SiC) 场效应晶体管 (FET)，以其最小的静态和动态损耗而闻名。除了这些特性之外，该技术还可以承受高脉冲电流，在固态断路器等应用中特别有优势。本文深入探讨了 SiC FET 的特性，并与传统硅解决方案进行了比较分析。
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一文详解MOSFET结构及其工作原理
MOSFET的工作基于栅极电压对导电沟道的控制。当栅极电压达到一定值时，会在半导体中形成导电沟道，从而控制源极和漏极之间的电流流动。
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在 1000 V 反激式变压器中驱动高压硅 FET
800 V 汽车系统可使电动汽车性能更强大，一次充电即可行驶超过 400 英里，充电时间最快可达 20 分钟。800 V 电池很少在 800 V 的准确电压下运行，最高可达 900 V，而转换器输入要求高达 1000 V。
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抑制电磁干扰EMI的实用电路技术
一般来说，转换器应在合理范围内超出传导 EMI 一定的裕度，为达到辐射限值预留空间。幸运的是，多数减少传导发射的步骤对于抑制辐射 EMI 同样有效。
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Transphorm推出TOLL封装FET，将氮化镓定位为支持高功率能耗人工智能应用的最佳器件
三款新器件为SMD的高功率系统带来了SuperGaN的常闭型(Normally-Off D-Mode)平台优势，此类高功率系统需要在高功率密度的情况下实现更高的可靠性和性能，并产生较低的热量
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什么是场效应管？它的作用是什么？
以下内容中，小编将对场效应管的相关内容进行着重介绍和阐述，希望本文能帮您增进对场效应管的了解，和小编一起来看看吧。
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如何使用 5V 电源去驱动10V FET？
我们将在电机驱动器电路和开关稳压器中看到的一种非常常见的结构使用两个功率 FET，一个堆叠在另一个之上。在操作中，上下 FET 轮流导通。首先，上部 FET 开启，下部 FET 关闭。然后他们切换状态。
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适用于 CSP GaN FET 的简单且高性能的热管理解决方案
由于具有更好的品质因数，氮化镓等宽禁带半导体提供比硅更高的功率密度，占用的芯片面积更小，因此需要更小尺寸的封装。假设器件占用的面积是决定热性能的主要因素，那么可以合理地假设较小的功率器件会导致较高的热阻。3,4本文将展示芯片级封装 (CSP) GaN FET 如何提供至少与硅 MOSFET 相同(如果不优于)的热性能。由于其卓越的电气性能，GaN FET 的尺寸可以减小，从而在尊重温度限制的同时提高功率密度。这种行为将通过 PCB 布局的详细 3D 有限元模拟来展示，同时还提供实验验证以支持分析。
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高端 FET 负载开关入门第 2 部分
栅极控制块或电平转换块控制 MOSFET 的 V G 以将其打开或关闭。门控的输出直接由它从输入逻辑块接收的输入 决定。 在导通期间，栅极控制的主要任务是对 EN 进行电平转换，以产生高(N 沟道)或低(P 沟道)V G 以使开关完全导通。类似地，在关断期间，栅极控制产生低(N 沟道)或高(P 沟道)V G 以将开关完全关断。
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高端 FET 负载开关入门第 1 部分
高端负载开关及其操作仍然是许多工程师和设计师的热门选择，适用于电池供电的便携式设备，例如功能丰富的手机、移动GPS设备和消费娱乐小工具。本文采用一种易于理解且非数学的方法来解释基于 MOSFET 的高侧负载开关的各个方面，并讨论在整个设计和选择过程中必须考虑的各种参数。
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在电机控制应用中如何选择 MOSFET器件
我们研究了如何在最终应用未知时为 FET 建议适当的交叉参考。在本博客和本系列即将发布的文章中，我们将开始研究针对特定最终应用需要考虑哪些具体考虑因素，从最终应用中用于驱动电机的 FET 开始。 电机控制是 30V-100V 分立 MOSFET 的一个巨大（且快速增长的）市场，特别是对于驱动直流电机的许多拓扑结构。在这里，我将专注于选择正确的 FET 来驱动有刷、无刷和步进电机。虽然硬性规则很少，而且可能有无数种不同的方法，但我希望这篇文章能让我们了解根据我们的最终应用从哪里开始。
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了解 MOSFET 数据表，热阻抗相关内容
关于 FET 数据表的问题，尤其是热信息表中的那些参数，大家不一定知道有什么作用。这就是为什么今天，我想解决数据表中结到环境热阻抗和结到外壳热阻抗的参数，这似乎是造成很多混乱的原因。 首先，让我们准确定义这些参数的含义。在热阻抗方面，很难在 FET 行业内找到这些参数命名的一致性——有时甚至在同一家公司内也是如此。为了这篇文章，我将使用图 1 和表 1 中定义的参数。如果您认为热流类似于电流，那么很容易想象出热量可以从所示结或芯片消散的电阻网络在图 1 中。这个网络的总和就是我们所说的器件的结到环境热阻抗 (R θJA )。
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想要一款智能功率级产品?这款新品或得你芳心!
今天，小编将在这篇文章中为大家带来ADI智能功率级产品LTC7050的有关报道，通过阅读这篇文章，大家可以对它具备清晰的认识，主要内容如下。
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先进FinFET工艺的多项流片巩固了世芯电子的业界领先地位
上海2022年4月14日 /美通社/ -- 世芯电子完整体现了其在先进FinFET（先进鳍式场效电晶体）的技术组合并且成功完成在台积电7/6/5纳米的流片。除了先进FinFET的技术组合，世芯的ASIC整体设计解决方案更是涵盖了全方位一流的IP种类和先进封装技术。世芯在7/6/5...
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世芯电子先进FinFET工艺成功完成流片
（全球TMT2022年4月14日讯）世芯电子完整体现了其在先进FinFET（先进鳍式场效电晶体）的技术组合并且成功完成在台积电7/6/5纳米的流片。除了先进FinFET的技术组合，世芯的ASIC整体设计解决方案更是涵盖了全方位一流的IP种类和先进封装技术。世芯在7/6/5纳米的...
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Arasan为格芯12nm FinFET工艺节点提供MIPI D-PHY IP
（全球TMT2022年3月9日讯）面向当今片上系统（SoC）行业的Total IPTM解决方案提供商Arasan Chip Systems宣布，立即为GlobalFoundries 12nm FinFET制造节点提供其超低功耗的独立MIPI D-PHYSM仅Tx IP和仅Rx ...
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集成氮化镓(GaN) 功率 FET正在改变传统电源方案
作为一名电力电子工程师，有句话说得好，没有从电力设备爆炸中吸取的教训，就没有成功。在我多年使用硅基 MOSFET 调试开关模式电源的经验中，这似乎是正确的。通过反复试验和对设备故障的研究，我们可以学习如何设计可靠工作的转换器。
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