FET

对更高功率密度的需求推动电动工具创新解决方案

德州仪器（英语：Texas Instruments，简称：TI），是全球领先的半导体跨国公司，以开发、制造、销售半导体和计算机技术闻名于世，主要从事创新型数字信号处理与模拟电路方面的研究、制造和销售。除半导体业务外，还提供包括传感与控制、教育产品和数字光源处理解决方案。

新日本无线推出J-FET输入运算放大器NJM2749/274...

为集成型 FET 欢呼！

对于电源设计人员来说，PCB 布局是最重要的工作之一。每位从事电源工作的工程师都犯过导致电源无法正常工作的相关 PCB 错误。此外，如果让对电源一无所知的人尝试执行电路板

FET是电压控制器件

我们如何设计一部以无线方式供电的电视机

作者：宜普电源转换公司（EPC）Michael A. de Rooij博士及张远哲博士面向不同种类的家电，eGaN FET技术在推动无线充电市场的发展扮演着重要的角色 这里展示出由无线充电推动

如何使低功耗放大器在便携式产品中提高性能

作者：John Ardizzoni，美国ADI公司 自我年青时代使用7个晶体管的对讲机和AM收音机以来，我们已走过了很长的路。单一功能的设备已不能满足要求，现在便携式电子产品已兼

德州仪器1.5A 线性电池充电器可最大化AC 适配器与USB 输入功率

日前，德州仪器 (TI) 宣布针对智能电话及其它便携式电子产品应用推出四款具备集成型 FET 的 28V、1.5A 线性充电管理 IC － bq2407x系列。bq2407x 系列锂离子电池充电器即便

正确的同步降压FET时序设计

由于工程师们都在竭尽所能地获得其电源的最高效率，时序优化正变得越来越重要。在开关期间，存在两个过渡阶段：低压侧开关开启和高压侧开关开启。低压侧开启开关至关重要，

电源设计小贴士46：正确地同步降压FET时序

由于工程师们都在竭尽所能地获得其电源的最高效率，时序优化正变得越来越重要。在开关期间，存在两个过渡阶段：低压侧开关开启和高压侧开关开启。低压侧开启开关至关重要，

如何针对反向转换器的FET关断电压而进行缓冲

本文来研究如何对反向转换器的FET关断电压进行缓冲。 图1显示了反向转换器功率级和一次侧MOSFET电压波形。该转换器将能量存储于一个变压器主绕组电感中并在MOSFET关闭时

设计一款超低噪声的S频段放大器

工程师们一般都把RF低噪声放大器设计视为畏途。要在稳定高增益情况下获得低噪声系数可能极具挑战性，甚至使人畏惧。不过，采用最新的GaAs(砷化镓)异质结FET，可以设计出有高

eGaN FET与硅功率器件比拼之六：隔离型PoE-PSE转换器

隔离型砖式转换器被广泛应用于电信系统，为网络设备供电，这些转换器可以提供各种标准尺寸及输入/输出电压范围。它们的模块性、功率密度、可靠性和多功能性简化了隔离式电源

独特的栅极驱动应用支持高功率放大器快速开启/关闭

本文提出了一种独特但简单的栅极脉冲驱动电路，为快速开关 HPA 提供了另一种方法，同时消除了与漏极开关有关的电路。实测切换时间小于 200 ns，相对于 1 μs 的目标还有一些裕量。其他特性包括：解决器件间差异的偏置编程能力，保护 HPA 免受栅极电压增加影响的栅极箝位，以及用于优化脉冲上升时间的过冲补偿。

EPC eGaN®技术在性能及成本上实现质的飞跃

全球增强型氮化镓晶体管领袖厂商、致力于开发创新的硅基功率场效应晶体管(eGaN FET)及集成电路的宜普电源转换公司(EPC)宣布推出全新的EPC2045(7 mΩ、100 V)及EPC2047(10 mΩ、200 V)晶体管，在提升产品性能之同时也可以降低成本。而EPC2046(25 mΩ、200 V)比等效MOSFET小型化12倍!

TI推出业界首款 100 V 高压侧 FET 驱动器 可驱动高电压电池

具备前所未有的灵活性和电源保护适用于先进的工业电池应用21ic电源网讯 近日，德州仪器(TI)推出了首款面向高功率锂离子电池应用的单芯片100V高压侧 FET 驱动器。该驱动器可

EPC推出面向扩增实景和全自动驾驶汽车应用的eGaN FET

宜普电源转换公司宣布推出EPC2040功率晶体管，它是一种超小型、具备快速开关性能的氮化镓功率晶体管，面向高速终端应用，可实现优越的分辨率、更快速的响应时间及更高准确度。此外，由于在整个工作温度范围内，器件具有高准确度门限，因此当镭射受热，可确保系统的稳定性。例如该晶体管在LiDAR技术所采用的脉冲式镭射驱动器是理想的器件。LiDAR技术是全自动驾驶汽车的导航系统及扩增实景平台的重要技术。EPC2040的优越性能在这些系统中可以实现更高准确度及分辨率。

GaN FET与硅FET的比较

功率GaN落后于RF GaN的主要原因在于需要花时间执行数个供货商所使用的成本缩减策略。最知名的就是改用6英寸的硅基板，以及更低成本的塑料封装。对于电源设计人员来说，理解

双十一送货慢？这些机器人应该排上用场

在双十一这堪称春运的节日里，即使增加成倍的快递员也无法承担运送如此量度的包裹，所以往往这个这个时候，我们收到快递的时间比平时晚，甚至是晚上几倍。

基于4CCM的场效应晶体管源极输出电路图

场效应晶体管(Field Effect Transistor缩写(FET))简称场效应管。由多数载流子参与导电，也称为单极型晶体管。它属于电压控制型半导体器件。具有输入电阻高(108～109Ω

基于4CCM的场效应晶体管源极输出电路图

场效应晶体管(Field Effect Transistor缩写(FET))简称场效应管。由多数载流子参与导电，也称为单极型晶体管。它属于电压控制型半导体器件。具有输入电阻高(108～109Ω