文章将介绍如何拆焊Flash芯片,设计及制作相应的分线板。该系列将详细讲解及实践对嵌入式设备的非易失性存储的简单有效攻击手段。这些攻击包括:(1)读取存储芯片内容;(2)修改芯片内容;(3)监视对存储芯片的读取操作并远程修改(中间人攻击)。想想,当你拆开一个嵌入式产品,却被挡在F...
(全球TMT2021年8月20日讯)当下,互联网已经渗透到世界的每个角落,与我们的学习、工作、生活等各个领域密切结合,带来便利的同时,也给信息安全带来严重的挑战。服务器作为信息化的基石,关系到信息安
在单机架系统中,用户交换机与Blade通过RJ45的千兆网接口进行连接,用户经用户交换机接入Blade服务器进行数据交换,可以在全球任何地方,由Intemet接入到用户交换机。
下面,瑞生介绍一种方法给大家,只利用一颗FLASH芯片W25Q16即可用你的单片机把图片显示到TFT液晶屏上。原理:W25Q16是一颗FLASH芯片,可以存储数据,共2M字节。把图片搞成二进制bin文件,通过串口调试助手把这个文件
根据研调机构集邦科技旗下存储器储存事业处DRAMeXchange调查显示,NAND Flash合约价在8月上旬下跌6~8%后,8月下旬续跌5~10%,亦即8月合约价较7月重跌11~18%。集邦科技表示
【导读】2007年半导体业充满了不确定因素 半导体芯片厂商都对2008年充满信心,不过,半导体厂商首先得先面对2007年的不确定性。 通常1月份为电子业传是否步入统淡季的指标。若当月份消费性电子商品销售不
IBM预计将在明年利用新创公司Diablo Technologies的技术,为伺服器双列直插式存储器模组(DIMM)插槽加入NAND flash。该公司并计划在DIMM埠中采用自行设计的控制器芯片。此外,IBM并加倍扩增去年从Texas Memory System
受到诸多全球总体经济复苏的不确定变数干扰,2011 部份的NAND Flash终端应用产品出货量将不如预期,及3Q11受过剩库存去化影响而使传统备货旺季效应递延等因素的综合影响下,8月上旬NAND Flash芯片市场买气依然疲弱,
历经过去2个月的不断地交涉协商后,7月底时多数的NANDFlash买卖双方业者,终于就多数的NANDFlash芯片合约价格大致达成了共识。由于6月到7月期间正值记忆卡和UFD通路市场及系统产品OEM客户的传统淡季,再加上2Q季底效
历经过去2个月的不断地交涉协商后,7月底时多数的NAND Flash买卖双方业者,终于就多数的 NAND Flash芯片合约价格大致达成了共识。由于6月到7月期间正值记忆卡和UFD通路市场及系统产品OEM客户的传统淡季,再加上2Q季底
由于智能型手机(Smartphone)和平板计算机(Tablet PC)需求暴增,三星电子(Samsung Electronics)和海力士(Hynix) 2011年双双提升NAND Flash芯片产量。 据韩国电子新闻报导,三星和海力士2011年NAND Flash位元成长率(Bi
据了解,由于智能型手机(Smartphone)和平板计算机(TabletPC)需求暴增,三星电子(SamsungElectronics)和海力士(Hynix)2011年双双提升NANDFlash芯片产量。据韩国电子新闻报导,三星和海力士2011年NANDFlash位元成长率(
二月的深圳,花红草绿,莺歌燕舞。IIC 2011在深圳会展中心隆重开幕,来自国内外半导体厂商汇聚一堂,热闹非凡。 在国内外一线半导体厂商的光芒照耀下,一些国内厂商的展位显得朴实无华,但却也不影响他们的雄心壮
据华尔街日报(WSJ)报导,韩国半导体大厂海力士(Hynix)看好2010年存储器市场表现,将提升资本支出并扩张产能。 海力士执行长金钟甲(Jong-KapKim)表示,2009年12月为第1次DRAM合约价在11月后并未下滑,此外,预期2010
据台湾媒体报道,东芝日前发生日本晶圆厂遭到雷击短暂停电事件,尽管NAND Flash产能并未受到影响,然令业界意外的是,由于该厂房主要生产包含快闪记忆卡控制芯片的逻辑IC产品,因此,使得东芝microSD卡供应量骤降,带
受全球金融风暴重击,NAND型快闪存储器(Flash)买气陷入长期停滞期,然屋漏偏逢连夜雨,继新帝(SanDisk)祭出专利诉讼,近期飞索半导体(Spansion)亦控告三星电子(Samsung Electronics)所生产NAND Flash芯片侵权,并将苹
以Samsung NAND Flash器件K9F1208为例,对比NAND Flash和NOR Flash的异同;介绍大容量NAND Flash在uPSD3234A增强型单片机系统中的应用,完成了硬件接口设计和软件设计,并给出硬件连接图和部分程序代码。