前瞻布局下一代存储市场 台北2024年10月28日 /美通社/ -- 神盾集团旗下IP公司—乾瞻科技,宣布其基于JESD 230G规范设计的ONFI 5500 MT/s IP,已成功通过N6/N7矽验证。该ONFI IP解决方案涵盖完整的I/O、PHY及PLL设计,在高速存储应...
随着科技的飞速发展,尤其是物联网、自动驾驶、人工智能等领域的蓬勃兴起,对存储技术的需求日益增长。传统的存储器如DRAM和Flash虽已占据市场主流,但其在性能、功耗、耐久性和可靠性等方面已逐渐接近物理极限。因此,新兴存储器技术如磁阻随机存取存储器(MRAM)和电阻式随机存取存储器(ReRAM)开始崭露头角,特别是在嵌入式市场中展现出巨大的潜力。
深圳2024年9月4日 /美通社/ -- 随着消费者对电子产品耐用性和性能的期望日益增长,市场上对元器件的选择标准也在不断提高。在众多关键组件中,NAND Flash因其在数据存储和处理速度上的核心作用,成为了厂商们尤为重视的焦点。在这一背景下,NAND Flash不仅需要满足基...
随着现代电子技术的飞速发展,现场可编程门阵列(FPGA)因其高度的灵活性和可重配置性,在多个领域得到了广泛应用。其中,Flash型FPGA以其独特的数据存储方式,在保持高集成度的同时,提供了更为稳定的性能。然而,Flash型FPGA的配置问题一直是研究和应用的难点。本文将详细介绍一种用于Flash型FPGA的阶梯式配置方法,旨在解决传统配置方法中的不足,提高FPGA的性能和稳定性。
在FPGA(现场可编程门阵列)的应用中,Flash下载速度是一个关键的性能指标。特别是在需要频繁更新FPGA配置或进行大量数据传输的场景下,提高Flash下载速度显得尤为重要。Xilinx作为全球领先的FPGA供应商,其FPGA产品在各个行业中得到了广泛应用。本文将围绕Xilinx FPGA的Flash下载速度提升,探讨相关的技术方法、实践经验和优化策略。
在讨论SPI 数据传输时,必须明确以下两位的特点及功能:(1) CPOL: 时钟极性控制位。
西班牙塞维利亚,2024年3月12日 — Teledyne Technologies旗下公司、全球成像解决方案创新者Teledyne e2v宣布扩展其Flash™ CMOS图像传感器系列,推出Flash 2K LSA,该产品专门适用于需要使用大沙伊姆弗勒角度(LSA)的激光轮廓应用。
在这篇文章中,小编将为大家带来JTAG接口与Flash的相关报道。如果你对本文即将要讲解的内容存在一定兴趣,不妨继续往下阅读哦。
近日,第11届EEVIA年度中国硬科技媒体论坛暨产业链研创趋势展望研讨会在深圳召开,兆易创新Flash事业部产品市场经理张静在会上发布了主题为“持续开拓,兆易新一代存储产品助力行业创新”的演讲。
随着信息技术的快速发展,存储器的需求日益增长。Flash存储器作为一种非易失性存储器,具有重要的应用价值和广泛的应用领域。本文将详细介绍Flash存储器的基本原理、工作方式和作用,帮助读者更好地了解这一重要的存储器技术。
随着信息时代的到来,数据存储成为了一项基本需求。Flash存储器成为了一种常见的存储设备,用于存储各种类型的数据,如文档、图片、视频等。本文将详细介绍如何使用Flash存储器以及如何写入数据,帮助读者了解Flash存储器的操作方法和注意事项。
随着科技的不断发展,Flash存储器已经成为存储设备中最常用的一种类型。它具有非易失性、高密度、低功耗和快速读写等特点,广泛应用于各种领域,如移动设备、嵌入式系统和存储芯片等。本文将介绍Flash存储器的编程设计以及一些常见的解决方案,以帮助读者更好地理解Flash存储器的工作原理和应用。
(全球TMT2023年7月28日讯)2023年7月28日,江波龙上海总部项目封顶仪式在中国(上海)自由贸易试验区临港新片区举行。江波龙上海总部位于临港新片区滴水湖科创总部湾核心区,项目于2021年启动建设,占地面积约14亩,总建筑面积约4.3万平方米,可容纳超过800名研发人员...
昨天下午,中国市场监管总局附加限制性条件批准了美国半导体公司迈凌(MaxLinear)对全球最大 NAND Flash 控制芯片供应商慧荣科技(SMI)的收购。
Flash存储器,也称为闪存存储器,是一种非易失性存储器(Non-Volatile Memory,NVM),用于在设备断电后仍然能够保持存储的数据。它的名称来源于一种称为“闪存技术”的特殊电子存储技术。Flash存储器的基本工作原理是通过多层存储单元的电荷累积和流动来存储和擦除数据。每个存储单元由一个FET(场效应晶体管)和一个电荷贮存器组成,电荷贮存器内累积的电荷表示二进制数据的不同状态,通常是0和1。当需要修改某个存储单元的值时,Flash存储器可以通过向其中注入或者释放电荷来改变其电荷状态。
据业内信息统计数据,2023 年第一季度 NAND-Flash 存储市场的营收或将持续下滑,除了传统的淡季影响之外,还和过去两年的市场影响以及双边制裁等因素有关。据悉,NAND-Flash 存储市场去年不断下跌,最后一个季度下滑近 25%。
全新服务器将满足平衡式NUMA架构中高密度PB级储存系统的迫切需求 2023年3月14日加州圣何塞 /美通社/ -- Supermicro, Inc. (NASDAQ: SMCI) 为云端、AI/ML、储存和5G/智能边缘...
上海2022年11月17日 /美通社/ -- 业内领先的电子设计和制造商环旭电子股份有限公司(USI,简称"环旭电子")旗下子公司Asteelflash在2022年慕尼黑国际电子元器件展(Electronica 2022)上展示其解决方案,该展会于11月15日...
据业内消息,近期三星电子宣布已经开始大规模量产236层3D NAND闪存芯片(第八代V-NAND闪存)。
我们知道 Flash 读时序里有五大子序列 CMD + ADDR + MODE + DUMMY + READ,前面的文章中痞子衡讲过《串行NOR Flash的Continuous read模式》,Continuous read 模式是为了在适当的情况下精简掉连续读访问里的后续 CMD 子序列,它可以进一步提高 Flash 访问性能,这已经是极限了吗?其实没有,还差最后一招,那就是痞子衡今天要讲的 QPI/OPI 模式。