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基于TMS320DM642的编程
引言 一个完整的嵌入式系统必须要有一个合适的存储器存放用户代码。Flash是一种非易失性存储器,而且具有电可擦写、容量大、价格便宜等特点,通常可用于在DSP系统中存放用户代码。 Flash在正常使
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三星明年对存储器投资整体下降：DRAM投资大降20%，NAND Flash投资将增加
报道进一步指出，三星2019年针对存储器的投资总体会减少，但是在DRAM及NAND Flash上的策略有所不同。其中，在DRAM部分，三星将大减20%资本支出;而在NAND Flash部分，三星的投资仍将持续增加。
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提高MSP430G 系列单片机的Flash 擦写寿命方法
在嵌入式设计中，许多应用设计都需要使用EEPROM 存储非易失性数据，由于成本原因，某些单片机在芯片内部并没有集成EEPROM。MSP430G 系列处理器是TI 推出的低成本16 位处理器
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ARM 系列 -- FS2410 开发板上 Nand Flash 到内存的代码搬移
一、目的 通过将 Nand Flash 前 4K 代码搬移到 SDRAM 中，了解如何初始化并使用 ARM 的内存， 为编写 ARM bootloader 和搬移内核到内存作准备。二、代码 关于如何建立开发环境，在我的前一篇随笔(FS2401 发光二极管循
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Flash数据丢失，说好的数据去哪了？
芯片贴板后跑不起来？Flash里面的数据在使用过程中莫名改变或不翼而飞？程序丢失可能无法正常运行，从而造成整个系统崩溃，下面我们来看看是什么原因让数据异常变化。
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TMS320C6713B DSP的外部FLASH引导系统
目前，TI公司的TMS320C6713B已经在生化分析仪器中广泛实用。其运算速度快、精度高。使其在牛化分析仪中具有独特的优势。其改进的哈佛结构、先进的多总线和多级流水线机制。
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STM32 USB NAND Flash模拟U盘无法格式化问题的解决
前几天，一直在寻找NAND Flash模拟U盘程序无法格式化的问题。在中秋月圆之夜，还苦逼地在实验室调代码，也许是杭州大圆月的原因，今晚感觉整人特别亢奋，效率也特别高，灵感也多。终于，在不懈的努力下，找到代码中的
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新款iPhone 存储器是定价的关键
根据《彭博社》24日报导，苹果新款iPhone XS和iPhone XS Max智能手机，不同储存容量版本，定价策略都有特别考量。彭博社表示，以iPhone XS的64GB容量版为准，苹果预计512GB容量版的iPhone XS和iPhone XS Max要多赚取约134美元获利。
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STM32 SPI Flash DFU
这次讲的是将程序、图片或其他文件下载到SPI Flash中。我使用的是W25X16的SPI Flash，他共有2MB空间，2个Block,512ge Sector,8096个Page。由于SPI Flash不能直接跑程序，我们从接口就知道了。接下去我们就来讲讲怎么
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STM32 串口烧写 FLASH 外部字库 UCGUI显示 自我学习总结
最近学习TFT显示问题，在多种汉字显示方面有点难，主要是字库太大，几个字库就不得了。开始是使用SD卡向外部FLASH---W25X16写，完全能够完成。后来觉得这样比较麻烦，有时候还没有SD接口，于是打算用串
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教你如何使用atmega8 Flash
GCCAVR中读取Flash区数据定义（只能为全局变量）：const int temp PROGMEM = 1;读取：pgm_read_byte(addr);pgm_read_word(addr);pgm_read_dword(addr);字符串：全局定义：const char ss[]PROGMEM = "hello";函数内定
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从Nand Flash启动U-BOOT的基本原理
前4K的问题如果S3C2410被配置成从Nand Flash启动(配置由硬件工程师在电路板设置), S3C2410的Nand Flash控制器有一个特殊的功能,在S3C2410上电后,Nand Flash控制器会自动的把Nand Flash上的前4K数据搬移到4K内部RAM中
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TMS320C6713B DSP的外部FLASH引导
目前，TI公司的TMS320C6713B已经在生化分析仪器中广泛实用。其运算速度快、精度高。使其在牛化分析仪中具有独特的优势。其改进的哈佛结构、先进的多总线和多级流水线机制、专用的硬件乘法器、高效的指令集，使其易于嵌入信号滤波、信息融合算法，而不会牺牲其实时性。TMS320C6713B的速度快、精度高、体积小、成本低、开发周期短、可靠性高以及抗干扰能力强等优点，可以满足生化分析仪对硬件系统的要求。
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mini2440硬件篇之Nor Flash
硬件原理1.1.NorFlash简介NORFlash是Intel在1988年推出的一款商业性闪存芯片，它需要很长的时间进行抹写，大半生它能够提供完整的寻址与数据总线，并允许随机存取存储器上的任何区域，而且它可以忍受一万次到一百万次
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迎接SSD低价大容量时代，群联64层3D QLC NAND Flash SSD控制芯片正式出货
群联董事长潘健成表示，QLC规格的单颗Flash晶粒储存空间较上一代TLC规格多出1倍，容量升级、价格亲民，这象征着SSD(固态硬盘)正式迎接低价大容量的时代!
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NOR Flash与8位单片机接口设计
引 言 Flash存储器又称闪速存储器，是20世纪80年代末逐渐发展起来的一种新型半导体不挥发存储器。它兼有RAM和ROM的特点，既可以在线擦除、改写，又能够在掉电后保持数据不丢失。 NOR Flash是Flash存储器中
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430 flash的操作
大概印象：430的flash好像有点像arm的flash，只不过是arm的flash要比430的大很多，而且430的flash不同于E2PROOM，这一点需要值得注意MSP430flash的基本特点：1，拥有内置的编程电压发生器2：可以进行位，字节，还有字
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STM32使用FSMC控制NAND flash 例程
近几天开发项目需要用到STM32驱动NAND FLASH，但由于开发板例程以及固件库是用于小页（512B），我要用到的FLASH为1G bit的大页（2K），多走了两天弯路。以下笔记将说明如何将默认固件库修改为大页模式以驱动大容量NA
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STM flash数据读取
/////////////**************************.h文件*********************************///////////////////////////////////#ifndef_FLASH_CTRL_H_#define_FLASH_CTRL_H_#ifdefSTM32F10X_HD#defineFLASHADDRSTART0x0807
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stm32学习之NOR flash和NAND flash区别,RAM 和ROM区别
ROM和RAM指的都是半导体存储器，ROM是ReadOnlyMemory的缩写，RAM是RandomAccessMemory的缩写。ROM在系统停止供电的时候仍然可以保持数据，而RAM通常都是在掉电之后就丢失数据，典型的RAM就是计算机的内存。RAM有两大
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