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Flash数据丢失，说好的数据去哪了？
芯片贴板后跑不起来？Flash里面的数据在使用过程中莫名改变或不翼而飞？程序丢失可能无法正常运行，从而造成整个系统崩溃，下面我们来看看是什么原因让数据异常变化。
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TMS320C6713B DSP的外部FLASH引导系统
目前，TI公司的TMS320C6713B已经在生化分析仪器中广泛实用。其运算速度快、精度高。使其在牛化分析仪中具有独特的优势。其改进的哈佛结构、先进的多总线和多级流水线机制。
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STM32 USB NAND Flash模拟U盘无法格式化问题的解决
前几天，一直在寻找NAND Flash模拟U盘程序无法格式化的问题。在中秋月圆之夜，还苦逼地在实验室调代码，也许是杭州大圆月的原因，今晚感觉整人特别亢奋，效率也特别高，灵感也多。终于，在不懈的努力下，找到代码中的
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新款iPhone 存储器是定价的关键
根据《彭博社》24日报导，苹果新款iPhone XS和iPhone XS Max智能手机，不同储存容量版本，定价策略都有特别考量。彭博社表示，以iPhone XS的64GB容量版为准，苹果预计512GB容量版的iPhone XS和iPhone XS Max要多赚取约134美元获利。
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STM32 SPI Flash DFU
这次讲的是将程序、图片或其他文件下载到SPI Flash中。我使用的是W25X16的SPI Flash，他共有2MB空间，2个Block,512ge Sector,8096个Page。由于SPI Flash不能直接跑程序，我们从接口就知道了。接下去我们就来讲讲怎么
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STM32 串口烧写 FLASH 外部字库 UCGUI显示 自我学习总结
最近学习TFT显示问题，在多种汉字显示方面有点难，主要是字库太大，几个字库就不得了。开始是使用SD卡向外部FLASH---W25X16写，完全能够完成。后来觉得这样比较麻烦，有时候还没有SD接口，于是打算用串
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教你如何使用atmega8 Flash
GCCAVR中读取Flash区数据定义（只能为全局变量）：const int temp PROGMEM = 1;读取：pgm_read_byte(addr);pgm_read_word(addr);pgm_read_dword(addr);字符串：全局定义：const char ss[]PROGMEM = "hello";函数内定
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从Nand Flash启动U-BOOT的基本原理
前4K的问题如果S3C2410被配置成从Nand Flash启动(配置由硬件工程师在电路板设置), S3C2410的Nand Flash控制器有一个特殊的功能,在S3C2410上电后,Nand Flash控制器会自动的把Nand Flash上的前4K数据搬移到4K内部RAM中
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TMS320C6713B DSP的外部FLASH引导
目前，TI公司的TMS320C6713B已经在生化分析仪器中广泛实用。其运算速度快、精度高。使其在牛化分析仪中具有独特的优势。其改进的哈佛结构、先进的多总线和多级流水线机制、专用的硬件乘法器、高效的指令集，使其易于嵌入信号滤波、信息融合算法，而不会牺牲其实时性。TMS320C6713B的速度快、精度高、体积小、成本低、开发周期短、可靠性高以及抗干扰能力强等优点，可以满足生化分析仪对硬件系统的要求。
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mini2440硬件篇之Nor Flash
硬件原理1.1.NorFlash简介NORFlash是Intel在1988年推出的一款商业性闪存芯片，它需要很长的时间进行抹写，大半生它能够提供完整的寻址与数据总线，并允许随机存取存储器上的任何区域，而且它可以忍受一万次到一百万次
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迎接SSD低价大容量时代，群联64层3D QLC NAND Flash SSD控制芯片正式出货
群联董事长潘健成表示，QLC规格的单颗Flash晶粒储存空间较上一代TLC规格多出1倍，容量升级、价格亲民，这象征着SSD(固态硬盘)正式迎接低价大容量的时代!
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NOR Flash与8位单片机接口设计
引 言 Flash存储器又称闪速存储器，是20世纪80年代末逐渐发展起来的一种新型半导体不挥发存储器。它兼有RAM和ROM的特点，既可以在线擦除、改写，又能够在掉电后保持数据不丢失。 NOR Flash是Flash存储器中
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430 flash的操作
大概印象：430的flash好像有点像arm的flash，只不过是arm的flash要比430的大很多，而且430的flash不同于E2PROOM，这一点需要值得注意MSP430flash的基本特点：1，拥有内置的编程电压发生器2：可以进行位，字节，还有字
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STM32使用FSMC控制NAND flash 例程
近几天开发项目需要用到STM32驱动NAND FLASH，但由于开发板例程以及固件库是用于小页（512B），我要用到的FLASH为1G bit的大页（2K），多走了两天弯路。以下笔记将说明如何将默认固件库修改为大页模式以驱动大容量NA
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STM flash数据读取
/////////////**************************.h文件*********************************///////////////////////////////////#ifndef_FLASH_CTRL_H_#define_FLASH_CTRL_H_#ifdefSTM32F10X_HD#defineFLASHADDRSTART0x0807
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stm32学习之NOR flash和NAND flash区别,RAM 和ROM区别
ROM和RAM指的都是半导体存储器，ROM是ReadOnlyMemory的缩写，RAM是RandomAccessMemory的缩写。ROM在系统停止供电的时候仍然可以保持数据，而RAM通常都是在掉电之后就丢失数据，典型的RAM就是计算机的内存。RAM有两大
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stm32的学习—FLASH的操作和使用
Flash的操作：stm32大容量的flash不仅用来存储程序代码，还可用来存储一些数据和系统用户的参数。程序的代码一般保存在从flash开始区域，剩下的区域空间大小可以用来存储用户数据（大小取决于Flash的大小和代码占用空
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厂商产能陆续开出，内存将继续降价？
自2018年第二季起，内存价格由于各新厂产能陆续开出价格开始松动，由其是在中国大陆，无论是DRAM或是NAND Flash产能都在持续开出;尽管目前尚未进入稳定量产阶段，但预期2018下半年内存价格仍有下跌空间， 在未来两年内存也不容易再出现价格飙涨的状况。
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STM32将常量数组定义到FLASH固定地址
方法:static const uint8_t s_acBmpLogo030[len] __attribute__((at(0X800F000)))={0x80,0xC0,0xC0,0xC0,0xC0,0x80,xxxxxxx} 编译之后可在.map文件看到其分配到的地址0x0800f000 0x0000005c Data RO 4013 .A
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基于JTAG的DSP外部FLASH在线编程与引导技术
本文以ADSP-21065L外部扩展的FLASH存储器AT29LV020为对象，在Visual DSP++3.5环境中通过JTAG仿真器运行一段程序，将可引导代码在线烧录到FLASH中，并实现系统的引导。
