近日,盛科网络(苏州)有限公司成功签下了美国 SouthBridge 作为盛科的又一海外代理商。在此之前,已经签约中国大陆代理 深圳赛博联 和 武汉蓝途科技 ,今年3月签约以色列 EMY-tech 作为在中东代理商之后又陆续签约
近日,盛科网络(苏州)有限公司(以下简称“盛科”)成功签下了美国 SouthBridge 作为盛科的又一海外代理商。在此之前,已经签约中国大陆代理 深圳赛博联 和 武汉蓝途科技 ,今年3月签约以色列 EMY-tech 作为
近日,盛科网络(苏州)有限公司(以下简称“盛科”)成功签下了美国 SouthBridge 作为盛科的又一海外代理商。在此之前,已经签约中国大陆代理 深圳赛博联 和 武汉蓝途科技 ,今年3月签约以色列 EMY-tech 作为在中东
美国Luminus Devices公司,将推出高能效,高亮度暖白色的SSM-80 led照明产品。该产品将主要面向通用照明领域。Luminus Devices公司已经展出SSM-80LED样品,大规模生产将在随后的夏天展开。 图:SSM-80 LED。 该产
高亮度LED(HBled)在汽车、消费电子和工业市场正在快速普及。 色彩绚丽、寿命长、能源效率高,这些是高亮度LED成为照明应用未来发展趋势的部分原因。 在汽车行业,HBLED技术使车辆在造型、安全、燃油的经济性方
高亮度LED(HBled)在汽车、消费电子和工业市场正在快速普及。 色彩绚丽、寿命长、能源效率高,这些是高亮度LED成为照明应用未来发展趋势的部分原因。 在汽车行业,HBLED技术使车辆在造型、安全、燃油的经济性方
高亮度LED(HBled)在汽车、消费电子和工业市场正在快速普及。 色彩绚丽、寿命长、能源效率高,这些是高亮度LED成为照明应用未来发展趋势的部分原因。 在汽车行业,HBLED技术使车辆在造型、安全、燃油的经济性方
频谱分析仪按实现方式可分为模拟式和数字式两种,前者以模拟滤波器为基础,后者则以数字滤波器和FFT分析为基础。相比之下,模拟式频谱分析仪不能获得实时频谱,且由于模拟滤波器会受到非线性、温漂、老化等影响,
本文设计了四种结构的射频有源电感, 其中包括两种正电感和两种负电感。研究结果表明由晶体管构成的有源电感的性能受晶体管的组态及偏置影响较大。四种电路结构中,由共射放大器与共集放大器级联反馈构成的有源电感性能较好。采用回转器原理实现的有源电感,电感值不随面积减小而减小。改变晶体管的偏置电压,有源电感具有可调谐性。
频谱分析仪按实现方式可分为模拟式和数字式两种,前者以模拟滤波器为基础,后者则以数字滤波器和FFT分析为基础。相比之下,模拟式频谱分析仪不能获得实时频谱,且由于模拟滤波器会受到非线性、温漂、老化等影响,
EVG在SEMICON China 2011展会期间推出EVG620HBL光刻系统。 这一全新的EVG620HBL全自动光刻系统以经过实战作业验证的EVG光刻机平台为基础,旨在优化高亮度发光二极管(HB - LED)、复合半导体和动力电子设备的生产制造。
EVG在SEMICON China 2011展会期间推出EVG620HBL光刻系统。 这一全新的EVG620HBL全自动光刻系统以经过实战作业验证的EVG光刻机平台为基础,旨在优化高亮度发光二极管(HB - LED)、复合半导体和动力电子设备的生产制造
世界领先的先进半导体与封装、微机电系统、硅绝缘体(SOI)和新兴纳米技术市场晶圆键合与光刻设备应供应商EVG宣布,其产品组合中再添新成员。 这一全新的EVG620HBL全自动光刻系统以经过实战作业验证的EVG光刻机平台为
据台湾媒体报道,看好台湾工研院在LED、微机电的研发能力,国际仪器设备制造厂、英国上市公司Oxford Instruments(牛津仪器,OXIG)于今(23)日进驻台湾工研院的微机电开放实验室,成立研发中心,双方将针对高亮度LED(H
据台湾媒体报道,看好台湾工研院在LED、微机电的研发能力,国际仪器设备制造厂、英国上市公司Oxford Instruments(牛津仪器,OXIG)于今(23)日进驻台湾工研院的微机电开放实验室,成立研发中心,双方将针对高亮度LED(H
日前,Veeco宣布,其引进的TurboDisc®MaxBright™氮化镓(GaN)有机金属化学气相沉积法(MOCVD)多反应器系统,用于生产HBled。 Veeco介绍,MaxBright利用Veeco的FlowFlange®集群架构自动化技术和专
目前台系砷化镓(GaAs)晶圆代工厂多耕耘HBT(HeterojunctionBipolarTransistor)以及pHEMT(PseudomorphicHighElectronMobilityTransistor)制程。砷化镓HBT的特性在于线性度与高电流增益,具功率放大倍率佳、待机耗电流低
胡皓婷 目前台系砷化镓(GaAs)晶圆代工厂多耕耘HBT(Heterojunction Bipolar Transistor)以及pHEMT (Pseudomorphic High Electron Mobility Transistor)制程。砷化镓HBT的特性在于线性度与高电流增益,具功率放大倍率佳