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尔必达记忆体维持财年资本支出计划在800亿日圆不变

日本最大动态随机存取记忆体(DRAM)生产商尔必达记忆体(Elpida Memory)近日称,维持截至3月财年800亿日圆(11亿美元)的资本支出计划不变.该公司称,预计当前季度记忆体芯片出货量将增长约5%,上季增幅为16%.其并称,若日圆

消费电子
2011-10-28

尔必达芯片 DRAM MEMORY
苹果官网曝光新款MacBook Pro上市时间？

继苹果订货系统出现新款MacBook Pro内部代号后，今天国外媒体又意外发现称，苹果官网泄露了它们上市的时间。有用户在苹果官网搜索MacBook Pro时，信息中出现了两个神秘的条目即“Macbook Pro Memory Model&rdqu

通信技术
2011-10-18

苹果 MACBOOK MODEL MEMORY
美国信用评级遭降加重亚洲科技企业汇率负担

据国外媒体报道，美国信用评级被由AAA级下调至AA+级后加重了亚洲科技企业的汇率负担，受此影响最为严重的就是日本大型科技出口企业。在标准普尔将美国长期债务评级下调至AA+后，由于投资者抛售美元，导致日元兑美元汇

半导体
2011-08-14

软件 CE 尔必达 MEMORY
梦想电子：从拓宽和加深两方面加强增值服务

去年缺货潮为分销行业带来了一片繁荣，梦想电子也不例外，销售额增长率高于行业平均水平，达到50%，营业收入也实现4.5亿元人民币。梦想电子目前代理产品线数量超过二十条，多数产品线属于半导体通用IC和分立器件，

消费电子
2011-07-22

电子工控 LED照明 MEMORY
东芝欲取代三星成为全球第一大闪存制造商

（中涛）北京时间7月12日消息，据路透社报道，东芝总裁佐佐木则夫(Norio Sasaki)近日表示，东芝希望不久超过韩国三星电子，进而成为全球第一大闪存(flash memory)产品制造商。佐佐木则夫在视察日本一家新建芯片

消费电子
2011-07-13

三星东芝 Flash MEMORY
内存芯片商尔必达欲抛售近10亿美元股票和债券

据国外媒体报道，尔必达可能抛售价值近10亿美元股票和债券，股价日前暴跌。世界上第三大电脑内存芯片制造商尔必达（Elpida Memory Inc），计划通过抛售股票和可转换公司债券来融资797亿日元（合9.87亿美元）。在消息

消费电子
2011-07-13

三星电子内存芯片尔必达 MEMORY
Samsung (Memory) 三星第一款使用PRAM的MCP

三星第一款使用PRAM的MCP 此款三星的 512Mb MCP PRAM 与 40nm NOR Flash的软硬件功能皆相容，此MCP可带给移动电话设计人员相当的便利性。预计PRAM将成为在NOR Flash之后消费性电子设计使用的主要内存技术。

智能硬件
2011-06-22

RAM SAMSUNG MCP MEMORY
存储器IC分类的纠结

说起存储器IC的分类，大家马上想起可以分为RAM和ROM两大类。 RAM是Random Access Memory的缩写，翻译过来就是随机存取存储器，随机存取可以理解为能够高速读写。常见的RAM又可以分成SRAM(Static RAM：静态RAM)和DRA

充电吧
2011-06-14

存储器非易失性存储器 IC MEMORY
盛群推出录放音Flash type IC HT83F22

21ic讯盛群半导体推出全新的录放音Flash type IC HT83F22。HT83F22是一款可录/放音的Flash Voice MCU。外挂标准的SPI Flash Memory，客戶可根据不同的应用情況,弹性地选择不同容量的SPI Flash Memory。HT83F22內含盛

单片机
2011-06-07

Flash IC SPI MEMORY
联发科技推出Memory-Less手机单芯片解决方案MT6252D

21ic讯联发科技股份有限公司（MediaTek, Inc.）宣布推出MT6252D解决方案，除支持丰富的多媒体规格，更进一步提升MT6252系列的超高性价比。联发科技MT6252D 将串行内存（Serial flash）集成在芯片中，成为全球首款m

消费电子
2011-05-23

联发科技芯片 MEMORY
Infinite Memory：以OTP NAND拳头产品亮相IIC

关键字： Infinite Memory OTP NAND Infinite Memory是一家以色列Fabless公司，在IIC上展出了两款OPT闪存，不可重写且防病毒，虽然只

消费电子
2011-03-02

NAND IIC INFINITE MEMORY
硅CMOS技术可扩展到10nm以下

“硅CMOS技术完全可以扩展至10nm以下。如果能够充分导入三维NAND闪存技术、可变电阻式存储器(ReRAM)以及EUV曝光技术等新构造、新材料和新工艺，硅CMOS技术将继续保持其主导地位”。半导体制造技术国际会议

电子设计自动化
2010-12-14

CMOS NAND闪存 ADVANCED MEMORY
三星主题演讲:通过导入新技术，硅CMOS可延长至10nm以下工艺

“硅CMOS技术完全可以扩展至10nm以下。如果能够充分导入三维NAND闪存技术、可变电阻式存储器（ReRAM）以及EUV曝光技术等新构造、新材料和新工艺，硅CMOS技术将继续保持其主导地位”。半导体制造技术国际会议“2

模拟
2010-12-09

三星 CMOS NAND闪存 MEMORY
忆阻器技术准备迈向商业化

惠普(HP)近日宣布与韩国业者海力士(Hynix)签署合作研发协议，旨在将忆阻器(memristor)技术商业化；这两家公司将共同开发新的材料与制程整合技术，好将HP的忆阻器技术由研发阶段，推向以电阻式随机存取内存(resistive

模拟
2010-09-06

内存忆阻器 HP MEMORY
PDMA在测试SDRAM控制器中的应用

我们设计了一个PDMA（Programmable Direct Mem o ry Access）用于测试SDRAM控制器的性能。在SoC中，SDRAM控制器往往跟多个IP模块（图形处理单元，音频处理单元等）交换数据，采用多个PDMA通道同时访问Memory可以真实

测试测量
2010-08-08

DMA PD SDRAM控制器 MEMORY
英飞凌与尔必达就专利侵权诉讼达成和解

英飞凌科技股份公司宣布，该公司与尔必达公司（Elpida Memory Icn.）就专利侵权诉讼达成和解。英飞凌与尔必达均同意撤消所有未决专利侵权诉讼。英飞凌于2010年2月向美国国际贸易委员会（ITC）递交起诉书，起诉尔必达

通信技术
2010-05-21

英飞凌专利侵权尔必达 MEMORY
WinCE文件目录定制及内存调整

WinCE文件目录定制及内存调整

嵌入式软件
2010-04-05

WinCE 内存 OBJECT MEMORY
WinCE文件目录定制及内存调整

WinCE文件目录定制及内存调整

嵌入式教程
2010-04-05

WinCE 内存 OBJECT MEMORY
智能卡市场：Memory卡急剧萎缩，CPU卡成为主流

根据全球知名增长咨询公司 Frost & Sullivan的研究，2009年全球智能卡出货量将超过40亿。在全球金融危机的负面影响下，仍保持了平稳的增长势头。亚太领衔全球智能卡应用美国是世界上半导体产业最发达的国家，

智能硬件
2010-01-19

电信 CPU 智能卡 MEMORY
尔必达与茂德科技签署DRAM芯片生产外包协议

尔必达(Elpida Memory Inc.,)周五表示，已经与台湾的茂德科技(ProMOS Technologies Inc.,)签署了一项DRAM芯片生产外包协议。尔必达表示，根据这项协议，在试运行于2010年上半年完成后，茂德科技将从2010年下半年开

模拟
2009-11-06

芯片生产 DRAM芯片尔必达 MEMORY

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MEMORY

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