ROM和RAM指的都是半导体存储器,ROM是ReadOnlyMemory的缩写,RAM是RandomAccessMemory的缩写。ROM在系统停止供电的时候仍然可以保持数据,而RAM通常都是在掉电之后就丢失数据,典型的RAM就是计算机的内存。RAM有两大
MCU 异于 资源丰富的linux 平台。 MCU(如: 基于Cortex V6M 的Cortex M0+ 等) Code 通常运行在内嵌Flash 中。 在某些特定应用场合,需要将部分函数运行于RAM 中。 昨天,为解决次问题,实现了一种解法,具体做法如
SARM空间是AVR单片机最重要的部分,所有的操作必须依赖该部分来完成。变量在SARM空间的存储模式有tiny,small,large 三种,也就是对应于__tiny, __near,__far三中存储属性。一旦选择为哪种存储模式,对应的数据默
对外部RAM单元只能使用寄存器间接寻址方式,与累加器A之间进行数据传送,外部RAM数据传送指令有4条。 前2条采用DPTR作间址寄存器,因DPTR为16位地址指针,所以这两条指令可寻址外部RAM的整个64KB空
在Keil 里使用 DeBug 模式时,如要 查看外部 RAM 的数据 或查看 ACC 的内容可以进行以下操作;sysGetTxMode:LCALLCom0185(C:2B95)JNB0xE0.0,sysGetTxMode................retCom0185:MOVDPTR,#0x7020MOVXA,@DPTRRRCAR
一个小的项目,在测试时间和产品量稍微大一些之后,出现了一些莫名其妙的非逻辑错误的Bug(最头疼的是不能每次都能复制出来)。经过修改后,最近一个月的测试都没有出现。本人在这里得到了原子哥和其他朋友的很多帮助
FLASH主要用作程序存贮器,就是替代以前的ROM,最大的有有点是降低了芯片的成本并且可以做到电擦写,目前市场上单片机的FALSH寿命相差比较大,擦写次数从1000~10万的都有,但存储时间可以保证40年,在选用时要注意。
STM8S003为例 ,其1RAM,最高512默认为堆栈用的留给用户的就只有512这512按51的理解分 为idata xdata 即@tiny @near不加关键字限制,就默认为idata区(小于256的地址),char tttds[258];如果idata区超出范围 则提示
对于新手来说,编译内核相对有一些难度,甚至不知道如何入手,现在我归纳了一下,写出这一篇还算比较详细的步骤,希望能对各位新手有一些帮助。
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引言 可编程逻辑控制器(PLC)以其高可靠性和使用方便的特性.使其在现代工业控制中得到了广泛的应用。随着工厂自动化的进展,对PLC之间以及PLC同其他控制设备之间相互联系的要求也相应提高。由于PLC的通讯方式为串行通
RAM是用来存放各种数据的,MCS-51系列8位单片机内部有128 B RAM存储器,CPU对内部RAM具有丰富的操作指令。但是,当单片机用于实时数据采集或处理大批量数据时,仅靠片内提供的RAM是远远不够的。此时,
题目一从RAM地址0x0200中读取一个long数据,并烧写至地址为0x1800的Flash中。代码:#include"io430.h"void main(void){ //初始化RAM信息段的指针 unsigned long * RAM_ptr = (unsigned long *) 0x020
一、ROM,RAM和FLASH在单片中的作用ROM——存储固化程序的(存放指令代码和一些固定数值,程序运行后不可改动)c文件及h文件中所有代码、全局变量、局部变量、’const’限定符定义的常量数据、startup.a
最近在做飞思卡尔16位单片机的在线升级bootloader程序。有2个问题不太清楚,请教下论坛里的高人。1.bootloader程序中,对存放应用程序的flash空间进行擦除和写入新的应用程序以完成升级。比较特别的是,
51单片机中_有_4EH这个位地址。51单片机片内RAM的20H~2FH,这十六字节,可以按照“位”来寻址。这里面共有128个“位地址”,分别为00H~7FH。位地址4EH,是在“字节地址为29H的字节单元”中的第6位。后记
在这里本文中要说到的RAM,其在单片机里的用途主要是存放临时数据,例如用单片机测温,每秒测1次,显示1分钟的平均值(1分钟更新一次);我们先通过传感器,放大电路,A/D转换,把温度这个模拟量转变为成比例的二进数,然后每秒钟1次把数字量通过输入口顺序存入到单片机的RAM中,然后对他们进行两两求和再平均的计算。
I2C总线具有控制简单、通信速率高等优点,作为一种2线双向同步串行数据总线,它为嵌入式系统设计提供了一种完善的集成电路间的串行总线扩展技术,大大简化了应用系统的硬件设计,为实现应用系统的模块化设计创造了极为有利的条件。