月30日消息,移动支付业界又传来新消息,据业内人士透露,中国银联和移动运营商已经在7个城市做了商用试点,今年年底或明年上半年将结束商用试点,并采取新的合作模式及产品形态。 跨行业跨部门移动支付标准在制
国际整流器公司 (International Rectifier,简称IR)宣布推出汽车用 DirectFET®2 功率 MOSFET 系列,适合D 类音频系统输出级等高频开关应用。新推出的 AUIRF7640S2、AUIRF7647S2 和 AUIRF7675M2 器件,拓展了 IR
中国上海(飞思卡尔技术论坛), 随着消费者对更多集成的家庭娱乐设备和隐藏式外设需求的增加,射频(RF)器件的制造商正在设计性能更好、效率更高以及更经济的解决方案,以满足这些需求。为了满足这种技术需求,IEEE&re
2010年8月24日,中国上海(飞思卡尔技术论坛), 随着消费者对更多集成的家庭娱乐设备和隐藏式外设需求的增加,射频(RF)器件的制造商正在设计性能更好、效率更高以及更经济的解决方案,以满足这些需求。为了满足
国际整流器公司 (International Rectifier,简称IR)宣布推出汽车用 DirectFET®2 功率 MOSFET 系列,适合D 类音频系统输出级等高频开关应用。新推出的 AUIRF7640S2、AUIRF7647S2 和 AUIRF7675M2 器件,拓展了 IR
图为光电检测电路。该检测电路是由放大器A,反馈电阻RF和CF组成,其输出电压为u1=SPRF,其中,S为光电二极管的灵敏度,P为入射光功率。在检测弱光信号时,RF为提高增益,RF的取值应选择尽可能大,放大器的输入偏置电
传统上,矢量网络分析仪被用来测量组件的连续波形(CW)S参数性能。在这些操作环境下,分析仪常常作为窄带测量仪器工作。它向组件传输已知的CW频率并测量CW频率响应。如果我们想查看单个CW频率的响应,我们可以在频率看
传统上,矢量网络分析仪被用来测量组件的连续波形(CW)S参数性能。在这些操作环境下,分析仪常常作为窄带测量仪器工作。它向组件传输已知的CW频率并测量CW频率响应。如果我们想查看单个CW频率的响应,我们可以在频率看
近日,北京移动在一次业内会上明确否认放弃2.4GHz移动支付方案,并称还在完善此项方案,并在其他省市进一步试点,而与会的其他专家称,目前手机支付产业发展低于预期,而标准不统一,法律监管缺失以及多力量博弈等多
手机功能的增加对PCB板的设计要求更高,伴随着一轮蓝牙设备、蜂窝电话和3G时代来临,使得工程师越来越关注RF电路的设计技巧。射频(RF)电路板设计由于在理论上还有很多不确定性,因此常被形容为一种“黑色艺术”,但这个
FMCW是取英文Frequency Modulated Continuous Wave的词头的缩写。FMCW 技术是在雷达物位测量设备中最早使用的技术。FMCW微波物位计采用线性的调制的高频信号,一般都是采用10GHz或24GHz微波信号。它是一种基于复杂数
分组传送网(PTN)是基于分组交换、面向连接的多业务统一传送技术,不仅能较好承载电信级以太网业务,满足业务标准化、高可靠性、灵活扩展性、严格服务质量(QoS) 和完善的运行管理维护(OAM)等5个基本属性,而且兼顾了支
日前,Wi-Fi联盟CEOEdgarFigueroa在深圳预计,2010年全球Wi-Fi产品的交货量会达到8亿部,仅仅明年一年就可实现10亿部Wi-Fi设备上市。而以后,每年Wi-Fi设备交付量都会达到10亿部。 Wi-Fi在笔记本电脑上已经获得
Solarcity是一家集融资,设计,安装,监控以及其他相关服务的美国太阳能领导企业。2010年7月14日宣布获得了一轮新的2150万美元的私人融资。该轮融资主要来源于Mayfield基金公司,并得到了solarcity目前投资者DraperF
恩智浦半导体(NXPSemiconductors)近日宣布,公司增加在射频研发的投资,2010年上半年先后在中国上海以及美国马塞诸塞州比尔里卡市(近波士顿)开设两家恩智浦高性能射频(RF)产品技术中心。中心主要从事射频/微波集成
来自英国Butterflies Healthcare的眼科专家James Sutton日前公开表示,观看3D影像的时间不要超过2个小时,他还对3D技术在视频游戏中的使用表示了担忧。 Sutton指出:“我想说的是,(持续观看3D影像的)上限是一个小
基于RF电路设计中的常见问题及解决方案
IC封测厂硅格自结6月合并营收为新台币4.51亿元,较上月增加0.4%,比2009年同期成长43%;上半年营业额24.3亿元,较2009年同期增加51%。硅格自结第2季税前盈余为3.9亿元,换算每股税前盈余1.24元,合计2010年上半每股税
日前,Vishay Intertechnology, Inc.宣布,推出采用针对更高电压器件优化的新型低导通电阻技术的首款TrenchFET®功率MOSFET --- ThunderFET™ SiR880DP。新器件是业界首款在4.5V栅极驱动下就能导通的80V功率
日前,Vishay Intertechnology, Inc.宣布,推出采用针对更高电压器件优化的新型低导通电阻技术的首款TrenchFET®功率MOSFET --- ThunderFET™ SiR880DP。新器件是业界首款在4.5V栅极驱动下就能导通的80V功率