SRAM

采用1 MB片上SRAM的微控制器（瑞萨）

瑞萨科技公司（Renesas Technology Corp.）推出总共八款SH7262和SH7264高性能32位微控制器新产品型号，这些集成了1M字节片上SRAM的器件适用于数字音频和图形仪表盘应用。

使用新SRAM工艺实现嵌入式ASIC和SoC的存储器设计

基于传统六晶体管(6T)存储单元的静态RAM存储器块一直是许多嵌入式设计中使用ASIC/SoC实现的开发人员所采用的利器，因为这种存储器结构非常适合主流的CMOS工艺流程，不需要增添任何额外的工艺步骤。

使用新SRAM工艺实现嵌入式ASIC和SoC的存储器设计

基于传统六晶体管(6T)存储单元的静态RAM存储器块一直是许多嵌入式设计中使用ASIC/SoC实现的开发人员所采用的利器，因为这种存储器结构非常适合主流的CMOS工艺流程，不需要增添任何额外的工艺步骤。

DRAM价格跌破现金成本陷入无解习题

基于SRAM的可重配置电路

基于SRAM的可重配置PLD（可编程逻辑器件）的出现，为系统设计者动态改变运行电路中PLD的逻辑功能创造了条件。PLD使用SRAM单元来保存字的配置数据决定了PLD内部互连和功能，改变这些数据，也就改变了器件的逻辑功能。

IT企业赴英参会 开展产业推介活动

为开拓重庆市LED及电子通信产品的国际市场，市外经委决定组织相关企业和部门赴英国参加“第五届欧洲LED大会”，同时开展IT产业推介活动。 据了解，欧洲LED大会是欧洲历史上规模最大的LED相关产品的展会。2008年“第

基于SRAM的可重配置电路

基于SRAM的可重配置PLD（可编程逻辑器件）的出现，为系统设计者动态改变运行电路中PLD的逻辑功能创造了条件。PLD使用SRAM单元来保存字的配置数据决定了PLD内部互连和功能，改变这些数据，也就改变了器件的逻辑功能。

全新低功耗SRAM产品（瑞萨）

瑞萨科技公司（Renesas Technology Corp.）宣布开发出目前市场上最高容量的64 Mb先进低功耗SRAM（先进LPSRAM） R1WV6416R系列，以及小尺寸的32 Mb先进LPSRAM产品R1LV3216R系列。

基于SRAM和DRAM结构的大容量FIFO的设计

分别基于Hynix公司的SRAM HY64UDl6322A和DRAM HY57V281620E，介绍了采用两种不同的RAM结构，通过CPLD来设计并实现大容量FIFO的方法。

ATmegal28扩展512KB掉电保护SRAM方案

介绍一种针对实时性要求较高且处理数据量较大的系统的设计和研制方案。该方案采用高性能AVRATmegal28为其控制核心，实现访问外扩的512 KB SRAM中的数据，且在掉电时能保护外扩SRAM中的数据。