SRAM

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静态随机存取存储器（StaticRandom-AccessMemory，SRAM）是随机存取存储器的一种。所谓的“静态”，是指这种存储器只要保持通电，里面储存的数据就可以恒常保持。相对之下，动态随机存取存储器（DRAM）里面所储存的数据就需要周期性地更新。然而，当电力供应停止时，SRAM储存的数据还是会消失（被称为volatilememory），这与在断电后还能储存资料的ROM或闪存是不同的。

SRAM在网络中的应用

SRAM在网络中的应用

嵌入式软件
2010-09-18

SRAM DDR 计数器
基于FPGA的可重构系统及其结构分析

摘要　系统可重构技术是满足电子系统实时性和灵活性要求的先进技术。通过对FPGA结构和重构方式的分析，说明可重配置FPGA器件是可重构系统的良好载体，并提出准动态重构的概念。根据现有应用，提出了基于FPGA的可重构

电子设计自动化
2010-08-18

FPGA MPU FPGA器件 SRAM
基于FPGA的可重构系统及其结构分析

摘要　系统可重构技术是满足电子系统实时性和灵活性要求的先进技术。通过对FPGA结构和重构方式的分析，说明可重配置FPGA器件是可重构系统的良好载体，并提出准动态重构的概念。根据现有应用，提出了基于FPGA的可重构

数字电源
2010-08-16

FPGA MPU FPGA器件 SRAM
基于FPGA的可重构系统及其结构分析

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嵌入式软件
2010-08-16

FPGA MPU FPGA器件 SRAM
SRAM特点及工作原理

SRAM是英文Static RAM的缩写，它是一种具有静止存取功能的内存，不需要刷新电路即能保存它内部存储的数据.　　基本简介　　SRAM不需要刷新电路即能保存它内部存储的数据。而DRAM(Dynamic Random Access Memory)每隔一

智能硬件
2010-08-13

CPU 译码器存储单元 SRAM
基于SRAM工艺FPGA的保密性问题

在现代电子系统设计中，由于可编程逻辑器件的卓越性能、灵活方便的可升级特性，而得到了广泛的应用。由于大规模高密度可编程逻辑器件多采用SRAM工艺，要求每次上电，对FPGA器件进行重配置，这就使得可以通过监视配置

通信技术
2010-08-12

FPGA 单片机 OV SRAM
基于DSP与FPGA的全姿态指引仪的设计

　本文设计了基于DSP与FPGA的系统结构，采用了软硬件填充的图形处理方法，先由DSP软件完成图形轮廓生成，然后FPGA硬件图形处理器根据图形轮廓完成耗时的图形填充，使系统在实时性方面取得了很好的效果并使得系统运算

数字电源
2010-07-10

DSP FPGA GREEN SRAM
基于DSP与FPGA的全姿态指引仪的设计

基于DSP与FPGA的全姿态指引仪的设计

嵌入式教程
2010-07-10

DSP FPGA GREEN SRAM
SoC用低电压SRAM技术

东芝在“2010 Symposium on VLSITechnology”上，发布了采用09年开始量产的40nm工艺SoC的低电压SRAM技术。该技术为主要用于便携产品及消费类产品的低功耗工艺技术。通过控制晶体管阈值电压的经时变化，可抑制SRAM的最

模拟
2010-06-30

晶体管 SoC 低电压 SRAM
32-Mbit和64-Mbit快速异步SRAM（赛普拉斯）

赛普拉斯半导体公司日前推出32-Mbit和64-Mbit快速异步SRAM，开创业界先河。新的SRAM器件在如此高的密度上，拥有非常快的响应时间和最小化的封装尺寸。目标应用领域包括存储服务器、交换机和路由器、测试设备、高端安

智能硬件
2010-06-28

器件赛普拉斯异步 SRAM
Everspin将MRAM容量提升到16Mb阴霾开始笼罩SRAM

EverspinMRAM的三大优势分别是：非易失能力(业内最长的寿命和数据保存时间)、超快的存取周期、无限次擦写。MR4A16B是一款3.3V、并行I/O非挥发RAM，其超快的存取周期仅为35ns，几乎与SRAM同一级别，并允许无限制的读/

模拟
2010-06-28

SPI EV RS SRAM
Everspin将MRAM容量提升到16Mb 阴霾开始笼罩SRAM

Everspin MRAM的三大优势分别是：非易失能力(业内最长的寿命和数据保存时间)、超快的存取周期、无限次擦写。MR4A16B是一款3.3V、并行I/O非挥发RAM，其超快的存取周期仅为35ns，几乎与SRAM同一级别，并允许无限制的读

智能硬件
2010-06-28

SPI EV RS SRAM
瑞萨开发出40nm高密度新型SRAM电路技术

瑞萨电子开发出了一种新型SRAM电路技术，可克服因微细化而增加的CMOS元件特性不均现象，还能在维持速度的同时，以更小的面积实现合适的工作裕度。以上内容是在半导体电路技术相关国际会议“2010 Symposium on VLSI C

智能硬件
2010-06-24

电路技术控制电路电源控制 SRAM
华邦：NORFlash市场缺口达20%

华邦总经理詹东义表示，NORFlash市场供不应求的情况仍然严重，估计市场缺口约20%，第3季的NORFlash价格仍会持续调涨，甚至对于第4季营运都相当乐观，尤其是华邦在客户策略上，逐渐集中在一线客户之后，受到全球景气波

模拟
2010-06-23

SDRAM OS NORFLASH SRAM
NOR Flash市场缺口达20%

华邦总经理詹东义表示，NOR Flash市场供不应求的情况仍然严重，估计市场缺口约20%，第3季的NOR Flash价格仍会持续调涨，甚至对于第4季营运都相当乐观，尤其是华邦在客户策略上，逐渐集中在一线客户之后，受到全球景气

智能硬件
2010-06-23

Flash SDRAM MCP SRAM
32-Mbit和64-Mbit快速异步SRAM（赛普拉斯）

赛普拉斯半导体公司日前推出32-Mbit和64-Mbit快速异步SRAM，开创业界先河。新的SRAM器件在如此高的密度上，拥有非常快的响应时间和最小化的封装尺寸。目标应用领域包括存储服务器、交换机和路由器、测试设备、高端安

智能硬件
2010-06-22

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东芝发布40nm工艺SoC用低电压SRAM技术

东芝在“2010 Symposium on VLSI Technology”(2010年6月15～17日，美国夏威夷州檀香山)上，发布了采用09年开始量产的40nm工艺SoC的低电压SRAM技术。该技术为主要用于便携产品及消费类产品的低功耗工艺技术

电子设计自动化
2010-06-22

东芝 SoC 低电压 SRAM
以测试工序提高SRAM制造误差容限，东京大学与STARC开发

对晶体管制造误差导致的SRAM工作不稳定性，在芯片制造后的测试工序上加以改善的方法，由东京大学研究生院工学系研究科电气系工学专业副教授竹内健的研究小组与日本半导体理工学研究中心（STARC）联手开发成功。该项成

模拟
2010-06-22

晶体管 ST RC SRAM
东芝等开发出三维FPGA，将SRAM层积在逻辑IC上使芯片面积减半

东芝在半导体制造技术相关国际会议“2010 Symposium on VLSI Technology”上宣布，其与日本CovalentMaterials、美国Tier Logic Inc.以及TeiTechnology共同在CMOS逻辑电路上以非晶硅TFT技术实现了SRAM的三维积层，即“

模拟
2010-06-22

FPGA 芯片东芝 SRAM
22nm以后的有力候选：FD-SOI元件与FinFET接近实用化的不断发布

22nm以后的晶体管技术领域，靠现行BulkMOSFET的微细化会越来越困难的，为此，人们关注的是平面型FD-SOI（完全空乏型SOI）元件与基于立体通道的FinFET。由于这些技术都不需要向通道中添加杂质，易于控制特性的不均现象

模拟
2010-06-21

元件 RF FINFET SRAM

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基于FPGA的可重构系统及其结构分析

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