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SK海力士一季度营业利润猛增234% 无锡工厂功不可没
据韩联社4月24日消息，韩国SK海力士24日表示，公司第一季度营业利润同比猛增233.6%，环比增加34.7%，达157266亿韩元(约合人民币9.4亿元)。销售额则同比增加34.6%，环比增加11.1%，达37426亿韩元。SK海力士表示，虽然
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SK海力士无锡厂机台故障DRAM现货价涨逾9%
市场17日传出，全球第三大DRAM厂韩国SK海力士无锡厂机台发生问题，导致对OEM厂商DRAM供货可能大减，昨天晚间DRAM现货价最高涨幅逾7%，24小时内涨逾9%，有助南科（2408）、华亚科等业者营运。SK海力士无锡厂机台出状况
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SK海力士无锡厂机台故障DRAM现货价涨逾9%
市场17日传出，全球第三大DRAM厂韩国SK海力士无锡厂机台发生问题，导致对OEM厂商DRAM供货可能大减，昨天晚间DRAM现货价最高涨幅逾7%，24小时内涨逾9%，有助南科（2408）、华亚科等业者营运。SK海力士无锡厂机台出状况
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传海力士无锡机台故障DRAM价一天涨逾9%
转自台湾经济日报的消息，市场昨（17）日传出，全球第三大DRAM厂韩国SK海力士无锡厂机台发生问题，导致对OEM厂商DRAM供货可能大减，昨天晚间DRAM现货价最高涨幅逾7%，24小时内涨逾9%，有助南科、华亚科等业者营运。S
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NAND供过于求 有望舒缓
SK海力士无锡厂传出DRAM制程出状况，恐影响供货，引爆下游通路抢货潮、造成DRAM现货价大涨之余，市场也关注业者是否会将NAND Flash产能转为生产DRAM，一旦如此，有助舒缓现阶段NAND市场供过于求问题。法人指出，DRAM
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传海力士无锡机台故障 DRAM价一天涨逾9%
市场昨（17）日传出，全球第三大DRAM厂韩国SK海力士无锡厂机台发生问题，导致对OEM厂商DRAM供货可能大减，昨天晚间DRAM现货价最高涨幅逾7%，24小时内涨逾9%，有助南科（2408）、华亚科等业者营运。SK海力士无锡厂机台
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sk海力士的nand flash制程将从20纳米转换到16纳米制程
海力士(skhynix)为转换快闪存储器(nandflash)微细制程，积极执行资本支出，周星工程(jusungengineering)等协力厂商可望受惠。三星电子(samsungelectronics)计划在2014年第2季投入nand制程转换，执行资本支出。据南韩
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NAND Flash合约价 恐一路跌到年底
市调机构集邦科技旗下存储器储存事业处DRAMeXchange调查显示，第4季各项NAND Flash终端需求确立旺季不旺，加上厂商库存水位依旧偏高，采购意愿薄弱，因此11月上旬合约价较
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2013全球半导体公司排行榜
国际研究暨顾问机构顾能（Gartner）8日发布统计报告，去年全球半导体营收总计3,150亿美元，年增5%；英特尔虽连二年营收下滑，仍连续22 年居半导体龙头宝座。根据顾能调查，全球前25大半导体厂商合计营收增幅达6.9%，
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SK海力士投资NAND Flash制程转换
SK海力士(SK Hynix)为转换快闪存储器(NAND Flash)微细制程，积极执行资本支出，周星工程(Jusung Engineering)等协力厂商可望受惠。三星电子(Samsung Electronics)计划在20
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DRAM合约价跌幅 恐加大
研调机构集邦科技昨（1）日表示，由于第1季是传统淡季，3月下旬DRAM合约价小幅下跌，与2月下旬相较，跌幅约1.56%，估计4月的跌幅可能会加大。集邦预估，第2季标准型DRAM价格可能会比第1季下跌10%至15%，3月下旬的主流
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DRAM产业景气 明年市场铁定会更好
DRAM产业今年风风雨雨，先是上半年DRAM价格飙涨，下半年则是美国DRAM厂美光正式并购日本DRAM厂尔必达，以及SK海力士无锡厂9月初发生大火。但对台塑集团旗下南科及华亚科来说
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20纳米DRAM制程战火点燃 三星、SK海力士将量产
据韩联社报导，三星电子(SamsungElectronics)将在3月投入20奈米4GbDDR3DRAM量产，SK海力士(SKHynix)则紧追在后。20奈米4GbDRAM生产走进现实，往次世代10奈米级DRAM制程发展的技术竞争也即将展开。沉寂一时的半导体制
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东芝诉海力士 因技术流失损失一千多亿日元
【导读】日前，东芝公司就有关闪存研究数据被非法泄露给韩国SK海力士公司一事，宣布已向东京地方法院提起民事诉讼，要求SK海力士赔偿损失。 报道称，东京警视厅警方以涉嫌违反不正竞争防止法(公开营业秘密)为理由
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20纳米DRAM制程战火点燃 三星、SK海力士将量产
据韩联社报导，三星电子(SamsungElectronics)将在3月投入20奈米4GbDDR3DRAM量产，SK海力士(SKHynix)则紧追在后。20奈米4GbDRAM生产走进现实，往次世代10奈米级DRAM制程发展的技术竞争也即将展开。沉寂一时的半导体制
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三星、SK海力士晶圆代工多样化研发通讯、车用新制程
三星电子(Samsung Electronics)和SK海力士(SK Hynix)积极研发新制程，以强化系统晶片代工事业。据DDaily报导，三星系统LSI事业部近来完成28奈米射频晶片(Radio Frequency；RF)制程研发，并公开将提供给IC设计业者的制
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20纳米DRAM制程战火点燃 三星、SK海力士将量产
据韩联社报导，三星电子(SamsungElectronics)将在3月投入20奈米4GbDDR3DRAM量产，SK海力士(SKHynix)则紧追在后。20奈米4GbDRAM生产走进现实，往次世代10奈米级DRAM制程发展的技术竞争也即将展开。沉寂一时的半导体制
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东芝、闪迪诉SK海力士窃取其先进闪存芯片技术
外媒报道称，日本东芝和美国SanDisk对韩国SK海力士提出民事诉讼，称SK海力士涉嫌窃取其用于智能手机及平板电脑的主要闪存芯片技术相关资料，并要求损害赔偿。SK海力士表示尚未收到该件诉讼通知，并不予置评。报道称，
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三星、SK海力士拟扩大TSV技术 设备业者可望受惠
伴随半导体制程进化到3D结构，相关设备业者在股市上也倍受注目。南韩金融投资业界指出，三星电子(SamsungElectronics)、SK海力士(SKHynix)等半导体业者在3DNAND之后，将扩大矽穿孔(TSV)技术应用范围。矽穿孔技术是将
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传东芝前工程师泄密给韩国SK海力士
日本读卖新闻（Yomiuri）引述未具名消息人士指出，日本警方取得逮捕令，拘捕一名曾效力东芝半导体合作伙伴的日本技术人员。根据彭博报导，读卖新闻指出，这名技术人员于2008年离开东芝的半导体合作伙伴，之后转而投效
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