日前SK海力士(SKHynix)宣誓将强化系统半导体事业,最近开始向PMIC(电源管理IC)跨出第一步,除活用清州M8产线外,也可能透过购并南韩国内外相关业者提升竞争力,但SK海力士这招发展策略是否有效,其实仍充满诸多变数。
三星电子(Samsung Electronics)和SK海力士(SK Hynix)记忆体晶片后段制程生产策略出现变化,由于加速扩充大陆后段制程产能,未来将增加自主生产数量,减少后段制程外包,使得南韩负责后段制程外包生产的协力厂商产生危
伴随半导体制程进化到3D结构,相关设备业者在股市上也倍受注目。南韩金融投资业界指出,三星电子(SamsungElectronics)、SK海力士(SKHynix)等半导体业者在3DNAND之后,将扩大矽穿孔(TSV)技术应用范围。矽穿孔技术是将
日前SK海力士(SKHynix)宣誓将强化系统半导体事业,最近开始向PMIC(电源管理IC)跨出第一步,除活用清州M8产线外,也可能透过购并南韩国内外相关业者提升竞争力,但SK海力士这招发展策略是否有效,其实仍充满诸多变数。
伴随半导体制程进化到3D结构,相关设备业者在股市上也倍受注目。南韩金融投资业界指出,三星电子(Samsung Electronics)、SK海力士(SK Hynix)等半导体业者在3D NAND之后,将扩大矽穿孔(TSV)技术应用范围。 矽穿孔技
日前SK海力士(SK Hynix)宣誓将强化系统半导体事业,最近开始向PMIC(电源管理IC)跨出第一步,除活用清州M8产线外,也可能透过购并南韩国内外相关业者提升竞争力,但SK海力士这招发展策略是否有效,其实仍充满诸多变数
全球市场研究机构TrendForce旗下记忆体储存事业处DRAMeXchange表示,在NANDFlash业者原先对于2013年第四季终端装置出货过于乐观,导致产出成长高于后续实际需求而让市况呈现供过于求,以及SK海力士(Hynix)火灾影响NA
全球市场研究机构TrendForce 旗下记忆体储存事业处DRAMeXchange 表示,在NAND Flash业者原先对于 2013年第四季终端装置出货过于乐观,导致产出成长高于后续实际需求而让市况呈现供过于求,以及SK海力士(Hynix)火灾影
全球市场研究机构TrendForce旗下内存储存事业处DRAMeXchange表示,去年第四季DRAM产出虽受到SK海力士无锡大火影响而稍有略减,但供货吃紧下反而造成平均销售单价劲扬,因此4Q13全球DRAM产值再度攀高至约97.5亿美金,
全球市场研究机构TrendForce旗下内存储存事业处DRAMeXchange表示,去年第四季DRAM产出虽受到SK海力士无锡大火影响而稍有略减,但供货吃紧下反而造成平均销售单价劲扬,因此4Q13全球DRAM产值再度攀高至约97.5亿美金,
全球市场研究机构TrendForce旗下内存储存事业处DRAMeXchange表示,去年第四季DRAM产出虽受到SK海力士无锡大火影响而稍有略减,但供货吃紧下反而造成平均销售单价劲扬,因此4Q13全球DRAM产值再度攀高至约97.5亿美金,
南韩记忆体大厂SK海力士(SKHynix)开始尝试复工投片,尽管传出良率不佳,但产能增加的情况已影响PCOEM系统厂端的合约价,4GBDDR3记忆体模组维持在34美元,有涨不动的趋势。DRAM现货报价在2014年1月急涨一波,主要是大
研调集邦科技旗下DRAMeXchange昨(16)日表示,由于SK海力士无锡厂产出逐渐增加,DRAM市场供货吃紧的状态获舒缓,本月上旬合约价开始转趋走跌,2月起跌势恐加重。DRAM相关族群昨天受报价转趋走跌、恐冲击后续营运影响
【导读】全球半导体业者为了执掌下一代存储器芯片主导权,竞争逐渐白热化。 根据日本“日经新闻”(Nikkei)报导,东芝(Toshiba)与韩国SK海力士(SK Hynix Inc.)最快将于2016年年度携手量产下一代存储器
DRAM产业今年风风雨雨,先是上半年DRAM价格飙涨,下半年则是美国DRAM厂美光正式并购日本DRAM厂尔必达,以及SK海力士无锡厂9月初发生大火。但对台塑集团旗下南科及华亚科来说,今年却是获利大跃进的一年。身兼南科总经
韩国半导体巨头SK海力士26晶宣布,公司已开发出超高速存储器(HBM)。这种超高速存储器的数据处理速度是目前性能最高的处理器速度的4倍,但是电力消耗量却减少了40%.这种超高速存储器采用了硅通孔技术(TSV,Through -Si
今年9月初发生在无锡新区SK海力士的一场大火已经过去了几个月,这场大火尽管没有人员伤亡,但其影响却很大,比如在国内芯片市场和保险市场方面。昨日(12月19日),有险企人士向《每日经济新闻》记者透露,SK海力士大
今年9月初发生在无锡新区SK海力士的一场大火已经过去了几个月,这场大火尽管没有人员伤亡,但其影响却很大,比如在国内芯片市场和保险市场方面。昨日(12月19日),有险企人士向《每日经济新闻》记者透露,SK海力士大
韩国SK海力士株式会社15日与无锡新区签署协议,将投资25亿美元实施五期技术升级项目。SK海力士半导体(中国)有限公司自2005年4月在无锡新区建设以来,已成为国内产能最大的半导体生产企业,投资由20亿美元增至80.55亿美元
根据韩国内存芯片制造商SK海力士消息,公司已经开始大规模批量生产64GB 16nmMLCNAND闪存芯片。公司表示,SK海力士的16nmNAND闪存已于6月进入第一版本的批量生产,最近已开始第二版本的大规模生产。由于芯片尺寸