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SK海力士4D闪存再突破：全球首个做到量产128层
近日，SK海力士宣布，已经成功研发并批量生产128层堆叠的4D NAND闪存芯片，虽然包括SK海力士在内多家厂商都研发出了1Tb QLC闪存，但这是TLC闪存第一次达到单颗1Tb。距离去年量产96层4
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何为TLC、MLC、SLC？
1、一块SSD由主控、DRAM缓存和NAND闪存三种芯片所组成，主控是SSD的大脑，SSD所做的东西全部都是它所控制的；DRAM缓存则是高速缓冲区，具体作用要看主控的算法而定，有些是用来放LBA表的，
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Toshiba 与 WD 正在研发 128-Layer 3D TLC 存储器颗粒
目前 64-Layer 3D TLC 已经是主流 SSD 选配的存储器颗粒，用 96-Layer 颗粒的 SSD 也开始上市。然而这当然并不是终点，业界已经正在步向 128-Layer 的存储器颗粒了。在年初的 Flash Memory Summit 2019，SK Hynix、长江存储已经宣布了相关的计划，现在 Toshiba 与 Western Digital (WD)的 128-Layer 存储器颗粒计划也泄漏出来了。
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写入速度翻番，东芝西数的128层堆叠闪存开放计划泄露！
今年64层堆叠的3D TLC闪存已经是SSD市场的绝对主流，用96层堆叠闪存的SSD也开始上市了，厂商们已经向更高层的128层堆叠进军，在年初的2019闪存峰会上SK海力士还有国内的长江存储已经宣布了他们的开发计划，现在东芝与西数的128层堆叠闪存计划也泄露了出来。
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游戏玩家看清楚了：选购SSD绝不走弯路！
游戏玩家的电脑里要是不装上一块SSD呀，都不好意思跟人打招呼。很多玩家在选购SSD的时候会纠结里面的颗粒是MLC还是TLC，但其实对数据安全影响更大的是颗粒的级别，下面我们就来聊一聊水深的颗粒。英特尔
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TLC也做折叠屏手机：折叠屏、铰链两大核心技术均为自主研发
TLC展示的折叠屏采用AMOLED柔性屏面板，还是来自兄弟产业华星光电的技术与产品，攻克了产品开发过程中的多个难点。
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TLC将是大势所趋，看存储界大佬三星未来的SSD走向
在不久前的三星技术会议上，三星宣布了一系列新的技术，同时更新了路线图。作为存储界的一方巨擎，三星也代表了未来存储界的业界趋势和走向。将TLC进行到底目前的存储界，使用TLC已经是大势所趋。虽然在多年的打磨和
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三星更新TLC固态硬盘产品线，连续读写速度高达12GB / s
PM981NVMe SSD和使用64层3D TLC的970 EVO零售版本将分别由PM981a和970 EVO Plus继承。容量选项保持不变，范围从250GB到2TB。最重要的性能改进是顺序写入速度，但PM981a还带来了显着的随机I / O改进。
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SSD正在吹起全面侵占HDD的号角，国产SSD若崛起又何愁1元/GB？
凭借高速读写、低噪音和抗震等优势，SSD取代HDD已成为时代必然,但受成本和容量影响，SSD在15年的发展里并未完成这一壮举。而QLC SSD的出现，在容量上已能与HDD齐平，并在价格上试图将SSD拉
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东芝全球首发QLC闪存：寿命与TLC一样耐用
东芝日前发布了全球首个基于QLC(四比特单元) BiCS架构的3D NAND闪存芯片，64层堆叠封装，单颗容量可以做到768Gb(32GB)，可以带来容量更大、成本更低的SSD产品。不过随着NAND闪存技术的发展，寿命和耐用性一直是个让人忧虑的问题。
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一文解析SLC、MLC和TLC三者的区别
SLC、MLC和TLCOFweek电子工程网讯：X3(3-bit-per-cell)架构的TLC芯片技术是MLC和TLC技术的延伸，最早期NAND Flash技术架构是SLC(Single-Level Cell)，原理是在1个存储器
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TB级SSD白菜价！首款64层512GB TLC闪存芯片开产
西数今天正式宣布成功试产全球首款64层512GB TLC NAND芯片，这意味着未来500GB以及TB级大容量SSD价格有望出现大幅跳水。
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50天就能搞坏SSD的死亡测试：600P死前不掉速不丢盘
我们享受高速SSD给我们带来行云流水般流畅使用系统的时候，同时我们最最最担心的就是它的寿命!毕竟最好的颗粒SLC都是有它的寿命期限的，大限一到谁也挽救不了，更何况是TLC?出于市场的需求，TLC颗粒的SSD是目前主流中的主流，大家有曾想过它可编程擦写次数写满后会是神马体验?
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生活背后的科技魔法，产品背后的感情故事—走进英特尔研究院
21ic讯，英特尔是全球领先的芯片厂商，在物联网浪潮来临之际，英特尔也早早地就成立了专门的物联网部门。在智能硬件领域，英特尔的研究院也多有涉足。然而外部可能对英特尔研究院感觉十分神秘，到底这里面都有哪些黑
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美光科技推出专为消费类应用设计的新型闪存
美光科技有限公司今天宣布，其丰富的闪存产品系列又添新成员——为寻求高性能和高可靠性，且极其注重成本的消费类应用提供了量身定制的解决方案。新型TLC NAND是基于16纳米(nm)工艺制造而成，能让U盘和消费类固态硬盘等应用的各方面功能取得理想平衡。预计市场在整个2015年都将对TLC有强劲需求，占到NAND存储总量的几乎一半。
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苹果拉动NAND FLASH，供需终于要平衡了
TrendForce旗下记忆体储存事业处DRAMeXchange最新调查报告显示，受到新款智慧型手机上市以及 2015年度苹果(Apple)新款iPhone即将开始拉货的影响，NAND Flash市况将逐渐增温
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SLC、MLC、TLC闪存芯片的区别
SLC、MLC和TLCX3(3-bit-per-cell)架构的TLC芯片技术是MLC和TLC技术的延伸，最早期NAND Flash技术架构是SLC(Single-Level Cell)，原理是在1个存储器储存单元(cell)中存放1位元(bit)的资料，直到MLC(Multi-Level Ce
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Diodes可編程运算放大器使功率及性能更灵活
Diodes公司 (Diodes Incorporated) 推出自身的TLC271可编程运算放大器系列 。新产品提供偏置选择模式，在功耗和交流电性能之间取得更好的平衡，从而满足以电池供电的消费性
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复位芯片TLC77XX的内部功能框图
复位芯片TLC77XX的内部功能框图
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存储器系统的复位电路（TLC7XX）
存储器系统的复位电路（TLC7XX）
