TRENCH

飞兆半导体推出30V PowerTrench® MOSFET

21ic讯 在能源效率标准和最终系统要求的推动之下，电源设计人员需要有助于缩减其应用电源的外形尺寸且不影响功率密度的高能效解决方案。飞兆半导体公司(Fairchild Semiconductor)的FDMC8010 30V Power 33 MOSFET以3.

飞兆半导体推出30V PowerTrench® MOSFET

21ic讯 在能源效率标准和最终系统要求的推动之下，电源设计人员需要有助于缩减其应用电源的外形尺寸且不影响功率密度的高能效解决方案。飞兆半导体公司(Fairchild Semiconductor)的FDMC8010 30V Power 33 MOSFET以3.

飞兆半导体推出单一P沟道PowerTrench® MOSFET FDMA905P和FDME905PT

21IC讯 飞兆半导体公司(Fairchild Semiconductor) 现为手机和其它超便携应用的设计人员提供一款P沟道PowerTrench® MOSFET器件，满足其对具有出色散热性能的小尺寸电池或负载开关解决方案的需求。FDMA905P和FDME9

微电子所6500V超高压IGBT研制取得重要突破

中国科学院微电子研究所IGBT团队在高压高功率IGBT（绝缘栅双极晶体管）研制方面，继上半年1700V系列之后，近期在6500V系列超高压领域再次取得关键技术突破。由微电子所完全自主设计的6500V Trench FS IGBT（沟槽栅场

微电子所6500V超高压IGBT研制取得重要突破

中国科学院微电子研究所IGBT团队在高压高功率IGBT（绝缘栅双极晶体管）研制方面，继上半年1700V系列之后，近期在6500V系列超高压领域再次取得关键技术突破。由微电子所完全自主设计的6500V Trench FS IGBT（沟槽栅场

华虹NEC 1200V Trench NPT IGBT工艺平台进入量产

世界领先的纯晶圆代工厂之一，上海华虹NEC电子有限公司(以下简称“华虹NEC”)宣布，公司与其技术合作伙伴密切合作开发的1200V Trench NPT IGBT(沟槽类型非穿通绝缘栅双极晶体管)工艺平台成功进入量产，成为

华虹NEC 1200V Trench NPT IGBT工艺平台成功进入量产

世界领先的纯晶圆代工厂之一，上海华虹NEC电子有限公司（以下简称“华虹NEC”）宣布，公司与其技术合作伙伴密切合作开发的1200V Trench NPT IGBT（沟槽类型非穿通绝缘栅双极晶体管）工艺平台成功进入量产，成为国内第

华润微电子1200V Trench NPT IGBT工艺平台开发成功

华润微电子有限公司（后简称“华润微电子”）宣布其附属公司华润上华科技有限公司（后简称“华润上华”）已开发完成1200V Trench NPT IGBT（沟槽非穿通型绝缘栅双极晶体管）工艺平台，各项参数均达到设计要求，成

超薄PowerTrenchN沟道WL-CSP MOSFET(Fairchild)

飞兆半导体公司(Fairchild Semiconductor)因应手机、便携医疗设备和媒体播放器等便携应用设备的设计和元件工程师对在其设计中加入节省空间的高效器件的需求，推出N沟道MOSFET器件FDZ192NZ和FDZ372NZ，这两款器件使用

超薄PowerTrenchN沟道WL-CSP MOSFET(Fairchild)

飞兆半导体公司(Fairchild Semiconductor)因应手机、便携医疗设备和媒体播放器等便携应用设备的设计和元件工程师对在其设计中加入节省空间的高效器件的需求，推出N沟道MOSFET器件FDZ192NZ和FDZ372NZ，这两款器件使用

40V P沟道 PowerTrench MOSFET产品（飞兆）

飞兆半导体公司 (Fairchild Semiconductor) 推出 40V P 沟道 PowerTrench MOSFET 产品 FDD4141，为功率工程师提供快速开关的解决方案，可将开关损耗减少达一半。

FAIRCHILD 推出1200V/15A NPT-Trench IGBT

Vishay 新型双高压 Trench MOS

整流器在30A、125℃时具有0.70V的业界低正向压降（每脚） 可从以下网址下载JPEG图像(<500K)： http://www.vishaypr.com/photopost/showphoto.php?photo=258 宾夕法尼亚、MALVERN—2006年5月19日—日前，VishayIntert