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加密货币初创公司Nexo推出了一个加密货币现金借贷平台
由TechCrunch创始人迈克尔•阿灵顿（Michael Arrington）支持的加密货币初创公司Nexo推出了一个基于加密货币的现金借贷平台。 该公司的管理合伙人特伦切夫（Anto
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Infineon新一代TRENCHSTOP 5系列产品 S5系列IGBT率先登陆Mouser
21ic讯 贸泽电子 (Mouser Electronics) 为首家分销Infineon TRENCHSTOP™ 5 S5绝缘栅双极型晶体管 (IGBT) 的全球分销商。此新一代超薄晶圆TRENCHSTOP 5系列产品在175&
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Vishay 推出采用Punch Through(PT)和Field Stop(FS)技术的新Trench IGBT平台
600V和650V IGBT具有低 VCE(ON) 、快速和软开关特性，可用于电机驱动、UPS、太阳能电池和焊接逆变器21ic电源网讯 日前，Vishay Intertechnology, Inc.宣布，发布采用Punch
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英飞凌展示可满足客户高要求的性能一流的IGBT—— 650V TRENCHSTOP™5
英飞凌科技股份有限公司在上海PCIM Asia 2013 电力电子、智能运动、可再生能源管理展览会上突出展示了650V TRENCHSTOP™ 5。新一代的薄晶圆IGBT绝缘栅双极型晶体管&m
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飞兆半导体推出40V N沟道PowerTrench® MOSFET
21ic讯 飞兆半导体公司(Fairchild Semiconductor)的40V N沟道PowerTrench® MOSFET可帮助设计人员应对这些挑战。FDB9403利用飞兆半导体的屏蔽栅极技术，改进了电阻并降低了电容。 该器件的RDS(ON) 比其最直接竞争
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飞兆半扩展PowerTrench MOSFET系列
提升功率密度和轻载效率是服务器、电信和AC-DC电源设计人员的主要考虑问题。此外，这些开关电源(SMPS)设计中的同步整流需要具有高性价比的电源解决方案，以便最大限度地减小
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能使导通电阻下降的功率MOSFET相关情况解析方案
工程师在为汽车电子设计电源系统时可能会遇到在设计任何电源应用时都会面临的挑战。因为功率器件MOSFET必须能够承受极为苛刻的环境条件。环境工作温度超过120℃会使器件的结点温度升高，从而引发可靠性和其它问题。在
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能使导通电阻下降的功率MOSFET相关情况解析方案
工程师在为汽车电子设计电源系统时可能会遇到在设计任何电源应用时都会面临的挑战。因为功率器件MOSFET必须能够承受极为苛刻的环境条件。环境工作温度超过120℃会使器件的结点温度升高，从而引发可靠性和其它问题。在
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能使导通电阻下降的功率MOSFET相关情况解析方案
工程师在为汽车电子设计电源系统时可能会遇到在设计任何电源应用时都会面临的挑战。因为功率器件MOSFET必须能够承受极为苛刻的环境条件。环境工作温度超过120℃会使器件的结点温度升高，从而引发可靠性和其它问题。在
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车用MOSFET如何提高能量利用效率与质量可靠性
工程师在为汽车电子设计电源系统时可能会遇到在设计任何电源应用时都会面临的挑战。因为功率器件MOSFET必须能够承受极为苛刻的环境条件。环境工作温度超过120℃会使器件的结点温度升高，从而引发可靠性和其它问题。在
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车用MOSFET如何提高能量利用效率与质量可靠性
工程师在为汽车电子设计电源系统时可能会遇到在设计任何电源应用时都会面临的挑战。因为功率器件MOSFET必须能够承受极为苛刻的环境条件。环境工作温度超过120℃会使器件的结点温度升高，从而引发可靠性和其它问题。在
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车用MOSFET如何提高能量利用效率与质量可靠性
工程师在为汽车电子设计电源系统时可能会遇到在设计任何电源应用时都会面临的挑战。因为功率器件MOSFET必须能够承受极为苛刻的环境条件。环境工作温度超过120℃会使器件的结点温度升高，从而引发可靠性和其它问题。在
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恩智浦推出新型汽车级TrenchMOS器件
21ic讯 恩智浦半导体NXP Semiconductors N.V.日前宣布推出全新汽车级功率MOSFET器件系列，该系列采用恩智浦的Trench 6技术，具有极低导通电阻（RDSon）、极高的开关性能以及出色的品质和可靠性。恩智浦新型汽车级MOS
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恩智浦推出新型汽车级TrenchMOS器件
21ic讯 恩智浦半导体NXP Semiconductors N.V.日前宣布推出全新汽车级功率MOSFET器件系列，该系列采用恩智浦的Trench 6技术，具有极低导通电阻（RDSon）、极高的开关性能以及出色的品质和可靠性。恩智浦新型汽车级MOS
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华润上华成功开发600V和1700V IGBT工艺平台
华润微电子有限公司旗下的华润上华科技有限公司（后简称“华润上华”）宣布已开发完成600V和1700V Planar NPT IGBT（平面非穿通型绝缘栅双极晶体管）以及600V Trench PT IGBT（沟槽穿通型绝缘栅双极晶体管
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华润上华成功开发600V和1700V IGBT工艺平台
华润微电子有限公司旗下的华润上华科技有限公司（后简称“华润上华”）宣布已开发完成600V和1700V Planar NPT IGBT（平面非穿通型绝缘栅双极晶体管）以及600V Trench PT IGBT（沟槽穿通型绝缘栅双极晶体管
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飞兆半导体推出P沟道PowerTrench® WL-CSP MOSFET
21ic讯 便携设备的设计人员面临着在终端应用中节省空间、提高效率和应对散热问题的挑战。为了顺应这一趋势，飞兆半导体公司(Fairchild Semiconductor)开发了FDZ661PZ和FDZ663P P沟道、1.5V规格的PowerTrench®薄型
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车用MOSFET：寻求性能与保护的最佳组合
工程师在为汽车电子设计电源系统时可能会遇到在设计任何电源应用时都会面临的挑战。因为功率器件MOSFET必须能够承受极为苛刻的环境条件。环境工作温度超过120℃会使器件的结点温度升高，从而引发可靠性和其它问题。在
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车用MOSFET：寻求性能与保护的最佳组合
工程师在为汽车电子设计电源系统时可能会遇到在设计任何电源应用时都会面临的挑战。因为功率器件MOSFET必须能够承受极为苛刻的环境条件。环境工作温度超过120℃会使器件的结点温度升高，从而引发可靠性和其它问题。在
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车用MOSFET：寻求性能与保护的最佳组合
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