-
VDMOS器件损伤的DC／DC转换器辐射预兆单元设计
航天用DC／DC转换器工作在太空辐射环境下，辐射损伤是其主要失效机理。DC／DC转换器的可靠性关系到整个航天器的可靠性，国内外广泛研究了DC／DC转换器辐射损伤失效机理、失效模式和抗辐射筛选与加固措施。随着
-
一种减少VDMOS寄生电容的新结构
分析影响VDMOS开关特性的各部分电容结构及参数，为了减少寄生电容，提高开关速度，在此提出一种减少VDMOS寄生电容的新型结构。该方法是部分去除传统VDMOS的neck区多晶硅条，并利用多晶硅作掩模注入P型区，改变VDMOS栅下耗尽区形状，减小寄生电容。在此增加了neck区宽度，并增加了P阱注入。利用TCAD工具模拟，结果表明：这种新型结构与传统VDMOS相比，能有效减小器件的寄生电容，减少栅电荷量，提高开关时间，提高器件的动态性能。
-
一种减少VDMOS寄生电容的新结构
分析影响VDMOS开关特性的各部分电容结构及参数，为了减少寄生电容，提高开关速度，在此提出一种减少VDMOS寄生电容的新型结构。该方法是部分去除传统VDMOS的neck区多晶硅条，并利用多晶硅作掩模注入P型区，改变VDMOS栅下耗尽区形状，减小寄生电容。在此增加了neck区宽度，并增加了P阱注入。利用TCAD工具模拟，结果表明：这种新型结构与传统VDMOS相比，能有效减小器件的寄生电容，减少栅电荷量，提高开关时间，提高器件的动态性能。
-
DC／DC辐照损伤与VDMOS器件1／f噪声相关性研究
通过对DC／DC转换器低频噪声测试技术以及在y辐照前后电性能与1/f噪声特性变化的对比分析，发现使用低频噪声表征DC／DC转换器的可靠性是对传统电参数表征方法的一种有效补充。对DC／DC转换器辐照损伤与其内部VDMOS器件1/f噪声相关性进行了研究，讨论了引起DC／DC转换器辐照失效的原因。
-
DC／DC辐照损伤与VDMOS器件1／f噪声相关性研究
通过对DC／DC转换器低频噪声测试技术以及在y辐照前后电性能与1/f噪声特性变化的对比分析，发现使用低频噪声表征DC／DC转换器的可靠性是对传统电参数表征方法的一种有效补充。对DC／DC转换器辐照损伤与其内部VDMOS器件1/f噪声相关性进行了研究，讨论了引起DC／DC转换器辐照失效的原因。
-
性能差异化功率器件制造面临多重挑战
不同应用对功率半导体器件提出了新的需求，包括低功耗、高可靠性、高速度、小尺寸等，这些新的需求又对功率半导体器件的生产工艺提出了种种新的挑战。 天津中环半导体股份有限公司技术部部长饶祖刚表示，性能不同
-
LVDMOS全桥垂直偏转输出电路图TDA8357J／8359J
TDA8357J／8359J是90o和110o彩色偏转系统的功率电路，场频为50～120Hz，可用于4:3和16:9显像管。电路提供一个DC驱动垂直偏转输出电路，工作于高效率G级系统。全桥输出电路配合单-正电源，采用DC耦合偏转线圈输出电路
-
LVDMOS全桥垂直偏转输出电路图TDA8358J
TDA8358J是90o和110o彩色偏转系统的功率电路，可用于4:3和16:9显像管。电路提供一个DC驱动垂直偏转输出电路，东-西输出级能够为二极管调节器吸入电源电流。TDA8358J的引脚排列及功能如图所示。 内部功能电路与输
hyrzwwy
hyrzwwy
c126
393994856
DianGongN
美思电子
adofu2008
Name_006
lzhj881506
Davy楷
1122徐
gck_2009
之一知足
之一知足
之一知足
之一知足
之一知足
pangkitty
tongpcb
eengrzh
