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Cool-MOS的优势，你了解吗？
你知道什么是Cool-MOS吗?对于常规VDMOS 器件结构， Rdson 与BV 这一对矛盾关系，要想提高BV，都是从减小EPI 参杂浓度着手，但是外延层又是正向电流流通的通道，EPI 参杂浓度减小了，电阻必然变大，Rdson 就大了。Rdson直接决定着MOS 单体的损耗大小。所以对于普通VDMOS，两者矛盾不可调和，这就是常规VDMOS的局限性。但是对于COOLMOS，这个矛盾就不那么明显了。
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SJ-MOS与VDMOS动态性能比较
引言：为了打破传统的VDMOS工艺MOS导通电阻与反向击穿电压之间制约，半导体物理学界提出的一种新型MOS结构，称为Super Junction MOS(以下简称SJ-MOS),其导通电阻与反向击穿
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二极管电路中检测浪涌电流思路指导
对于电路来说，浪涌电流是非常影响整体运行效率的一个问题。设计者们想方设法的对浪涌电流进行规避，因此各种各样的测试方法应运而生。在本文中，小编将为大家介绍一种二极
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基于Arrhenius模型快速评价功率VDMOS可靠性
0 引言 垂直导电双扩散场（VDMOS）效应晶体管是新一代集成化半导体电力器件的代表［1］。与功率晶体管相比，具有输入阻抗高、热稳定性高、开关速度快、驱动电流小、动态损耗小、失真小等优点。因此VDMOS广泛应用在
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LAS6350与VDMOS组成升压电路图
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LAS6350与VDMOS组成升压电路图
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电动自行车控制器电路及原理分析
目前流行的电动自行车、电动摩托车大都使用直流电机，对直流电机调速的控制器有很多种类。电动车控制器核心是脉宽调制(PWM)器，而一款完善的控制器，还应具有电瓶欠压保护、电机过流保护、刹车断电、电量显示等功能
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大功率VDMOS(200V)的设计研究
功率MOS场效应晶体管是新一代电力电子开关器件，在微电子工艺基础上实现电力设备高功率大电流的要求。自从垂直导电双扩散VDMOS(VerticalDou-ble-diff used Metal Oxide Semiconductor)新结构诞生以来，电力MOSFET得到
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大功率VDMOS(200V)的设计研究
功率MOS场效应晶体管是新一代电力电子开关器件，在微电子工艺基础上实现电力设备高功率大电流的要求。自从垂直导电双扩散VDMOS(VerticalDou-ble-diff used Metal Oxide Semiconductor)新结构诞生以来，电力MOSFET得到
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大功率VDMOS(200 V)的设计研究
摘要：介绍了大功率VDMOS(200 V)的设计方法。对设计参数进行了理论分析，并使用仿真工具时设计参数进行了验证和优化。设计中主要考虑了漏源电压和导通电阻等参数指标，通过器件和工艺的仿真，确定了该器件合理的参数
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大功率VDMOS(200 V)的设计研究
摘要：介绍了大功率VDMOS(200 V)的设计方法。对设计参数进行了理论分析，并使用仿真工具时设计参数进行了验证和优化。设计中主要考虑了漏源电压和导通电阻等参数指标，通过器件和工艺的仿真，确定了该器件合理的参数
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功率直流无刷电机的控制器VDMOS正确使用
在电动自行车里，直流无刷电机的逆变器由六个功率VDMOS管和六个续流二极管组成，六个续流二极管分别寄生在这六个VDMOS管里，因而从控制器外面看只有六个VDMOS管。这六个VDMOS管通过大电流，它们的输出直接是定子的绕
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一种200V/100A VDMOS 器件开发
摘 要：分析了功率MOSFET 最大额定电流与导通电阻的关系，讨论了平面型中压大电流VDMOS器件设计中导通电阻、面积和开关损耗的折衷考虑，提出了圆弧形沟道布局以增大沟道宽度，以及栅氧下部分非沟道区域采用局域氧
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一种200V/100A VDMOS 器件开发
摘 要：分析了功率MOSFET 最大额定电流与导通电阻的关系，讨论了平面型中压大电流VDMOS器件设计中导通电阻、面积和开关损耗的折衷考虑，提出了圆弧形沟道布局以增大沟道宽度，以及栅氧下部分非沟道区域采用局域氧
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东光微电子功成上市
11月18日，江苏东光微电子成功登陆深交所，成为又一家成功上市的国内半导体制造公司，发行约2700万股，价格为每股32元，发行后总股本将达到1.07亿股。本次IPO募集资金主要用于“半导体防护功率器件生产线项目、
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半导体领先企业东光微电登陆中小板
我国半导体的引领者东光微电18日登陆中小板，该股此次发行2700万股，发行价为16元，募集资金为4.32亿元，主要用于半导体防护功率器件生产线项目、新型功率半导体器件生产线技改项目和半导体封装生产线项目等三个项目
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高压功率VDMOSFET的设计与研制
摘要：按照功率VDMOSFET正向设计的思路，选取(100)晶向的衬底硅片，采用多晶硅栅自对准工艺，结合MEDICI器件仿真和SUPREM-4工艺仿真软件，提取参数结果，并最终完成工艺产品试制，达到了500 V／8 A高压、大电流VDMOS
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高压功率VDMOSFET的设计与研制
摘要：按照功率VDMOSFET正向设计的思路，选取(100)晶向的衬底硅片，采用多晶硅栅自对准工艺，结合MEDICI器件仿真和SUPREM-4工艺仿真软件，提取参数结果，并最终完成工艺产品试制，达到了500 V／8 A高压、大电流VDMOS
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电动自行车控制器电路及原理大全
目前流行的电动自行车、电动摩托车大都使用直流电机，对直流电机调速的控制器有很多种类。电动车控制器核心是脉宽调制(PWM)器，而一款完善的控制器，还应具有电瓶欠压保护、电机过流保护、刹车断电、电量显示等功能
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VDMOS器件损伤的DC／DC转换器辐射预兆单元设计
航天用DC／DC转换器工作在太空辐射环境下，辐射损伤是其主要失效机理。DC／DC转换器的可靠性关系到整个航天器的可靠性，国内外广泛研究了DC／DC转换器辐射损伤失效机理、失效模式和抗辐射筛选与加固措施。随着
