模拟
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频率合成器的相位噪声分析
频率合成器被喻为雷达电子系统的“心脏”，其相位噪声对设备和系统的性能影响很大。文中简单介绍了频率合成器相位噪声的基本概念。基于频率合成器的基本实现方法，分析了频率合成器中的相位噪声，通过实例说明了不同合成方式频率合成器的相位噪声。对频率合成器的低相噪声设计的工程实现有一定的指导意义。
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带有电流监测器的小型升压转换器(Maxim)
Maxim推出固定频率、脉宽调制(PWM)升压转换器MAX15031，设计用于为低压系统产生所需的高压信号。器件工作于2.7V至11V电源，无需外部倍压器即可提供高达76V (功率300mW)的低噪声输出电压。此外，MAX15031采用Maxim先进
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中国经济刺激计划推动模拟芯片需求
受中国政府经济刺激计划的推动，模拟芯片市场预计将获得增长。FBR上调了Linear Technology公司第一季度的预期，原因是模拟电路的平均销售价格将上涨，而另一个重要因素是中国市场需求增长。Needham&Co. LLC公司分
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“暴利”退去 江苏光伏产业路在何方?
世界性经济危机的突袭，宣布光伏这个朝阳产业提前告别了“暴利标签”。昨日在宁召开的“创建可持续的可再生能源市场——金融危机背景下光伏产业的发展国际研讨会”上，来自国内外的专
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中国经济刺激计划推动模拟芯片需求
受中国政府经济刺激计划的推动，模拟芯片市场预计将获得增长。FBR上调了Linear Technology公司第一季度的预期，原因是模拟电路的平均销售价格将上涨，而另一个重要因素是中国市场需求增长。Needham&Co. LLC公司分析师
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Intel授权台积电AtomSoC产品解决方案存在疑问
来自Digitimes和HKEPC的消息，早前Intel授权TSMC为客户提供客制化AtomSoC产品解决方案，外界均疑问NVIDIA能否透过此一方法，推出内建Atom核心的GPUSoc产品，终于Intel昨日公开表示，与TSMC的授权合作仅针对实际设备生
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四川登巅微电子有限公司（IPGoal）更名通知
为适应公司业务发展需要，自2009年3月16日起，四川登巅微电子有限公司正式更名为“和芯微电子（四川）有限公司”。公司其他信息均无变动。 公司简介： 和芯微电子（四川）有限公司（IPGoal Microelectronics (Sich
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IC市场出现回暖信号
目前断言IC市场开始真正反弹还言之过早。但现在市场上出现了一些新的正面的信号。例如，台积电和联电等代工厂的业务状况确实有所改善。 “几乎每个半导体公司在90天前均作出负面的预测。”汇丰银行（HSBC）分析师St
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台积电完成0.18微米快闪新制程认证 Q3量产相关产品
台积电日前宣布完成0.18微米嵌入式闪存(0.18-micron embFlash)制程认证，此制程因有低漏电的特性，因此适用于手持式装置与汽车电子等芯片应用上，有助于台积电争取更多新客户，预计今年第3季就可以量产。 台积电目前
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英特尔公布未来绘图芯片蓝图
英特尔工程师上周在旧金山的Game Developers Conference（游戏开发者大会）上公开该公司第一款绘图芯片的详细设计蓝图，向游戏产业宣告，全球最大的芯片制造商将加入他们的战场。 在GDC研讨会举行前的记者会上，负责
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芯片平均售价反弹——可持续趋势还是昙花一现
IC Insights最近对一月份几个芯片产品种类的平均销售价格（ASP）进行了调研，并与2008年12月份的价格和两年前进行对比，得出了以下几点有趣并令人鼓舞的结论： 模拟ASP与2008年12月相比，增长了10%，成为自2007年4月
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台积电资本支出解冻 耗资50亿新台币采购设备
由于台积电包括手机、无线、绘图与FPGA(Field Programmable Gate Array)等4大主要芯片客户，全数增加第2季订单量，使得台积电冻结已久的设备采购规画，终于在近日解冻！台积电近期大手笔耗资逾新台币50亿元，向设备原
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基于DDS技术的线性调频信号的生成
VHDL是IEEE的工业标准硬件描述语言，可以描述硬件电路的功能、信号连接关系及定时关系，在电子工程领域用来描述、验证和设计电子线路得到了广泛的接受和应用。利用DDS技术的调制特性产生各种调制信号简单方便，容易实现。从文中不难看出，将VHDL语言与DDS技术结合起来设计生成调频信号，直观快捷，可操作性很强，必将得到更加广泛的应用。
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集成芯片的可测性设计技术
0 引言 随着集成芯片功能的增强和集成规模的不断扩大，芯片的测试变得越来越困难，测试费用往往比设计费用还要高，测试成本已成为产品开发成本的重要组成部分，测试时间的长短也直接影响到产品上市时间进而影响
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达林顿晶体管的PSpice建模和仿真
达林顿晶体管的PSpice建模优化是在室温下完成的，一些典型的NPN达林顿对的电子特征是基于芯片TIPl20仿真的，比如在不同的集电极一射极饱和电压状态下的电流增益(hFE)，集电极电流vs，输入级电流，以及集电极．射极饱和电压和集电极电流之间的关系。
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