中科院金属研究所孙东明团队联合刘畅团队，研发了一种连续合成、沉积和转移单壁碳纳米管薄膜的技术，首次在世界范围内制备出米级尺寸高质量单壁碳纳米管薄膜，并基于此构建出高性能的全碳薄膜晶体管(TFT)和集成电路(IC)器件。
ROHM面向处理微小信号的光传感器、声纳及硬盘中使用的加速度传感器等需要高精度感测的工业设备应用，开发出业界顶级的低噪声CMOS*1运算放大器“LMR1802G-LB”。
由于MOSFET受工控及车用电子需求提升，国际大厂纷纷转向高阶MOSFET及IGBT相关应用，外商逐渐退出低功率MOSFET市场，包括：意法、英飞凌等国际IDM大厂下半年MOSFET产能早已被预订一空，加上目前8吋晶圆代工产能极缺，形成MOSFET、指纹辨识、电源管理芯片等抢占产能情况。
近日，应用材料公司庆祝Producer®平台诞生20周年，出货量达到5,000台。该平台用于制造全球几乎所有的芯片。
TDK 集团的引线式爱普科斯 (EPCOS) 金属氧化物片状压敏电阻经认证工作温度增加至 105°C(此前为 85°C)。B722 系列压敏电阻通过了 UL 1449(第 4 版)和 IEC 61051 标准的认证。 因工作温度增加至 105°C，
TDK 集团再次扩展了 HVC 系列高压接触器产品组合，推出两款新锐产品，即工作电流分别为 300A 和 500A 的 HVC300 和 HVC500。新款接触器可开断高达 900 V 的直流高压。另外， TDK 集团还能根据客户要求提供工作电压高
TDK 集团扩展了其用于直流链路的爱普科斯 (EPCOS) 薄膜电容器系列。新扩展的 B3277*H 系列适用于严苛的环境条件，并且在环境温度为 60°C，相对湿度为 95%，以及额定电压条 件下进行了历时 1,000 小时的温湿度偏
TDK 公司扩展了爱普科斯 (EPCOS) 3 线 EMC 滤波器 B84243*的产品系列，包括 10 款电流高 达 280A 的滤波器。该系列产品中的所有 18 款滤波器的额定电压为 530V AC。该系列滤波器 的性能针对 EN 61800−3:2004+
零漂移放大器采用独特的自校正技术，可提供适用于通用和精密应用的超低输入失调电压(Vos)和接近零的随时间和温度输入失调电压漂移(dVos/dT)。TI的零漂移拓扑结构还提供了其他优势，包括无1/f噪声,低宽带噪声和低失真——简化了开发复杂性并降低了成本。这可以通过两种方式中的一种来完成;斩波器或自动调零。本技术说明将解释标准的连续时间和零漂移放大器之间的差异。
随着低成本终端产品需求不断增加，设计师需要设计出既能够满足产品的性能规格，又可以保持低于系统目标价格的创新方案。例如，除了放大器性能外，设计师还必须考虑所有放大器特性，包括成本和封装尺寸。
安森美半导体(ON Semiconductor)推出3款新的高能效中压脉宽调制(PWM)降压转换器。
英飞凌科技(中国)有限公司(以下简称英飞凌)将于6月26 - 28日参加在上海世博展览馆举办的 PCIM Asia上海国际电力元件、可再生能源管理展览会。英飞凌将在2号馆的F 01展台，展示涵盖整个电能供应链的领先产品和全套系统及应用解决方案。此外，英飞凌的技术专家还将就产品和应用发表多篇论文，并在同期的国际研讨会上进行交流。
Littelfuse公司近日宣布新推出五款GEN2系列1200 V 3L TO-247肖特基二极管和三款GEN2系列1200 V 2L TO-263肖特基二极管，扩充其碳化硅电源半导体产品组合。 相比硅二极管，GEN2碳化硅肖特基二极管可显著降低开关损耗，并大幅提高电力电子系统的效率和可靠性。 本次产品发布于纽伦堡举行的PCIM 2018欧洲展会期间举办。
相较于硅，碳化硅(SiC)肖特基二极管采用全新的技术，提供更出色的开关性能和更高的可靠性。SiC无反向恢复电流，且具有不受温度影响的开关特性和出色的散热性能，因此被视为下一代功率半导体。
