• 电源提示：如何远程感应我们的电源

    在高端电信应用中，我们经常面临跨大型印刷电路板 (PCB) 供电的挑战。为了给关键的 ASIC 和处理器提供宝贵的空间，电源通常被分配到电路板的角落或边缘。为了补偿电源路径的电阻下降，通常使用远程感应——特别是对于低压、大电流应用。负载的动态特性，加上电源路径的寄生电阻，可能会影响电源的运行，如果不注意的话。以下是使用远程电源时避免陷阱的 3 种方法：

    电源电路
    2022-07-29
    负载动态特性 远程电源

  • 防止高速放大器中的输出极性反转

    许多控制回路应用要求您避免与输入相关的意外极性反转。这是因为如果一个阶段的输出以意想不到的方式改变极性，控制回路的响应会导致系统不稳定。在这篇文章中，我将研究这个问题并提出一种简单的方法来避免它在电路中出现。

    电源电路
    2022-07-29
    高速放大器 输出极性反转

  • 为我们的高压和高速通讯等应用选择合适的隔离器件

    如果我们是电源设计人员，那么在处理高压开关转换器时，隔离通常是一个问题。在高压初级电压和次级低压之间使用某种形式的隔离是很常见的。反馈控制环路经常穿越隔离边界，因此脉冲变压器或光耦合器是常用的解决方案，因为环路带宽非常低——通常小于 1 MHz。

    功率器件
    2022-07-29
    光耦合器 隔离器件

  • EMI 问题不断增加，但我们可以尽可能避免它们

    EMI 就像夜深人静的幽灵一样，不正常。但是，尽管与 EMI 相关的问题正在增加，但仍有一些方法可以在您的设计中避免它们。

    电源电路
    2022-07-23
    EMI EMI设计

  • GaN 将射频应用推向新的阶段

    氮化镓 (GaN) 是一种宽带隙半导体，可满足高功率和射频应用日益增长的需求。GaN 的带隙是传统硅的三倍以上，它允许功率器件在比硅更高的温度和电压下工作，而不会破坏或降低其性能和可靠性。此外，其极低的导通电阻使 GaN 能够提供非常高的电流和射频功率密度，在雷达、功率转换器和功率放大器等高功率射频系统中得到应用。

    功率器件
    2022-07-20
    射频应用 氮化镓GaN

  • Rohm罗姆最新几款电源芯片

    BD7F205EFJ-C是一种无光耦合器的隔离反弹射转换器。不需要光耦或变压器辅助绕组的反馈电路，从而减少设定件。此外，采用原始适应的接通时间控制技术可以实现快速负载响应。此外，各种保护功能实现了高可靠性隔离电源应用的设计。

    电源
    2022-07-20
    DCDC 隔离式反变频器

  • 如何合理的测试DCDC电源第一部分，测试原因和设备

    在我担任现场应用工程师的这么多年中，我看到了相当多的电源设计。在许多情况下，这些设计可以毫无问题地工作。有时，我发现在将产品投入生产之前通过一些额外的工程工作可以避免的问题。系统设计人员常常在使用电源电路时没有彻底确保其在整个极端工作条件下都能正常工作。存在原型工作正常的情况，因此忽略了进一步的电源测试，或者是检查是否正常运行的最后一项。有时直到产品投入生产后才会出现问题，从而导致现场故障。

    电源
    2022-07-20
    电源测试 DCDC

  • 如何为测试应用确定最佳电源，第一部分功率和噪声

    大多数电气工程师认为他们对电源有很好的了解，因为它们是相对简单的单功能直流设备，旨在输出受控电压。但是，电源的功能远不止此描述所暗示的。尽管电源的规格对大多数应用都充分描述了其性能，但指定其性能(或任何仪器的性能)的每个可能方面在金钱和时间方面都太昂贵了。

    线性电源
    2022-07-20
    电源 电源噪声 电源功率

  • 高速互连要求推动更便宜的 PCB 材料

    在阅读和研究文章和互联网上的大量观点时，很容易假设知情人士一致认为，使用传统低成本 PCB 材料进行下一代高速设计的日子已经一去不复返了走了。还有一种观点认为，现代技术(如 PCIe 5.0 及更高版本)的要求已将电路板设计和制造的界限推向了边缘。

    电源电路
    2022-07-20
    PCB 材料 PCB 制造

  • 如何合理的测试DCDC电源第二部分，输出电压测试

    使用计划生产的组件设计和构建电源后，将其放置在允许访问电源输入和输出的位置。如果可能，请断开系统负载与电源的连接以进行初始测试。在系统负载断开的情况下，您可以测试最小和最大负载，同时保护系统免受任何可能的电源故障情况的影响。

    电源
    2022-07-20
    输出电压 DCDC

  • IGBT 基础教程：第 1 部分如何选择 IGBT

    IGBT全称叫绝缘栅双极型晶体管，是一种复合型结构器件，它结合了MOS晶体管和BJT双极型晶体管的优点，在电压电流转换，电能输出领域用的非常多，特别是在高压大电流领域，IGBT占主导地位，是人类控制电能，利用电能的核心半导体器件之一，这种主要应用在电子电力转换领域的半导体器件，我们统称功率半导体

    功率器件
    2022-07-19
    IGBT IGBT基础知识

  • IGBT 基础教程：第 2 部分IGBT概述

    N 沟道 IGBT 基本上是构建在 p 型衬底上的 N 沟道功率 MOSFET，的通用 IGBT 横截面所示。（PT IGBT 有一个额外的 n+ 层，将在后面说明。）因此，IGBT 的操作与功率 MOSFET 非常相似。从发射极施加到栅极端子的正电压导致电子被拉向体区中的栅极端子。

    功率器件
    2022-07-19
    IGBT IGBT基础知识

  • IGBT 基础教程：第 3 部分PT与NPT芯片介绍

    所谓PT(PunchThrough，穿通型)，是指电场穿透了N-漂移区，电子与空穴的主要汇合点在N一区。NPT在实验室实现的时间(1982年)要早于PT(1985)，但技术上的原因使得PT规模商用化的时间比NPT早，所以第1代IGBT产品以PT型为主。PT-IGBT很好地解决了IGBT的闩锁问题，但是需要增加外延层厚度，技术复杂，成本也高。IGBT芯片中的外延层与电压规格是直接相关的，电压规格越高、外延层越厚，IZOOV、2000V的PT-IGBT外延层厚度分别达到了100μm和200μm。

    功率器件
    2022-07-19
    IGBT IGBT基础知识

  • IGBT 基础教程：第 4 部分数据表中有关 IGBT的特性一

    从APT 提供的数据表旨在包含对电源电路设计人员有用且方便的相关信息，用于选择合适的器件以及预测其在应用中的性能。提供图表以使设计人员能够从一组操作条件外推到另一组操作条件。应该注意的是，测试结果非常依赖于电路，尤其是寄生发射极电感，以及寄生集电极电感和栅极驱动电路设计和布局。不同的测试电路产生不同的结果。

    功率器件
    2022-07-19
    IGBT IGBT基础知识

  • IGBT 基础教程：第 5 部分数据表中有关 IGBT的特性二

    从APT 提供的数据表旨在包含对电源电路设计人员有用且方便的相关信息，用于选择合适的器件以及预测其在应用中的性能。提供图表以使设计人员能够从一组操作条件外推到另一组操作条件。应该注意的是，测试结果非常依赖于电路，尤其是寄生发射极电感，以及寄生集电极电感和栅极驱动电路设计和布局。不同的测试电路产生不同的结果。

    功率器件
    2022-07-19
    IGBT IGBT基础知识
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