日本设备制造商Fujitsu和日本精工株式会社Epson近日宣称联手打造下一代FRAM(铁电存储器)。 双方经协商,计划开发高整合的下一代FRAM,其面积将只有市场上现有同类产品的1/6。据悉,将有望于明年上半年完成开发。 两公司将投入他们的主要科技,如FRAM选材处理及小型化技术等,以尽可能缩短开发周期。 Fujitsu和Epson还计划开发对读写次数限制最小的存储核心处理器。 公司负责人声称,近几年,手持设备及智能家用设备已得到了很大程度的普及,因此,对FRAM的呼声日益高涨。相对于闪存及EEPROM ,FRAM的低功耗、高读写速度满足了广泛的市场需求。
EMS巨人伟创力Flextronix公司一直在稳步下滑,6月15日,该公司终于宣布出售Flextronix半导体公司。 AMI半导体公司的母公司AMIS投资公司将收购Flextronix半导体,Flextronix将获得1.35亿美元的现金。
新浪科技讯 6月13日下午,台积电于其北京技术论坛上首度解释了蔡力行接替张忠谋任CEO的原因。台积电中国业务区业务副总罗镇球表示,张忠谋“交棒”原因,是因为蔡力行的学习速度已经赶了上来。 新CEO有三条底线不可改变 5月11日,台积电对外宣布说,其董事会主席兼CEO张忠谋辞去CEO一职,转由公司总裁兼首席运营长蔡力行兼任,这一人事变动从今年7月1日起生效。同日,台积电董事会副主席兼副CEO曾繁城也辞去副CEO一职。 但在此之前,张忠谋一直未流露出将近期辞职之意。对此,罗镇球表示,提前交棒是因为张忠谋“原来预计继任者学习速度没那么快,但很快就发现他的学习速度提上来了”,“在很多场合看到可以交棒了”。 曾繁城尽管也辞去了副CEO一职,但仍保留了董事会副主席。罗镇球透露,曾繁城仍将负责“中国市场策略规划、设计服务公司,还有社会公益”等事情。 尽管蔡力行的任命到7月1日才正式生效,但“新CEO要考虑的事情,就是要考虑怎样冲的更快”。罗认为,由于蔡一直在担任公司总裁兼首席运营长,因此,不会对张忠谋的政策做大的改变。 罗还表示,台积电公司内部规范规定有三件事情决定不能改变,新CEO也将遵守,它们分别是技术能力、营运效率、客户伙伴关系,“这被认为台积电成功的最重要的因素”。 不会“西进”四川 截止目前,台积电进入内地投资金额超过10亿美金。并在上海松江建有一8寸厂,年底将实现1万5千片(现在已达7千片)产能,到明年还将超过3万。罗镇球认为,内地是个非常庞大的战略市场,必须先期进入内地做投资。 现在内地就有400多家芯片设计公司,其中北京有140多家。台积电也在内地积极寻找新兴芯片设计公司,并与之建立长期合作伙伴关系。 此间市场曾有猜测,台积电也将进入四川建厂。对此罗镇球予以公开否认,他表示,“分散盖厂并非好事。建厂的投资金额太大,后勤资源很难在其他地方复制。目前台积电在上海已经形成了聚落,气体、电、水、材料等都已经围绕在旁边,再去别的地方则很难实现。”他认为,这是出于实际的考虑。 罗镇球还与外界交流了台积电成功的几大因素。他认为,技术能力、营运效率、客户伙伴关系这三大因素是台积电成功的最重要因素,不管是谁都会仔细遵守。 “第一在对的时间做了对的事情,即在87年时就率先投资晶圆代工。二是找到对的人,将研发实力、服务品质、营运实力做到够强,另外就是和将客户建立长久伙伴关系。” 罗这样表示。
为了进一步发展基于先进交换互连 (ASI) 系统,IDT公司 (Integrated Device Technology) 今天发布了一种基于 FPGA 的原型技术,该技术将在 ASI 中演示通用交换接口 (CSIX) 数据通道协议的交互工作方式。该原型技术采用 ASI 特殊兴趣小组(SIG)指定的通用数据传输协议接口或 PI-2,将有助于客户基于 ASI 开发早期原型系统,并实现到生产平台的无缝移植。其目标应用是所有运营商级通信平台的高达 10Gbps 的线卡子系统,如多服务接入路由器和宽带远程接入服务器。 作为 IDT 支持基于标准的交换解决方案策略的一部分,IDT可将这一技术作为随后提供多种终端器件的连接性与交互工作的相关产品,如NPU、μP、DSP和CPU等的基础。 IDT 的原型技术将被用于一种用于基于 ATCA 的载波板的夹层卡或用于客户特定子系统设计的 FPGA 位流格式。关于更多 IDT 原型技术的信息,请联系Grace.chen@idt.com 关于先进交换互连 (ASI) 利用 PCI Express(tm) 技术和经济规模,ASI可提供一种高性能、低等待时间的基于标准的交换互连,同时支持复杂的拥塞管理、多点传送、运营商级可靠性并扩展可升级性。其多协议支持对于各种汇聚的企业和通信应用是非常理想的选择。在采用2.5 Gbps 和 5Gbps IO 技术的基于标准的占位面积中,ASI 描绘了一张向10 Gbps 甚至更高速发展的清晰蓝图。
据国外媒体报道,联华电子(UMC)将获得中国内地芯片厂商和舰科技15%的股份,总价值1.1亿美元。为了规避台湾当局限制台湾芯片厂商在内地投资的禁令,联华电子计划将联华电子日本公司同和舰科技合并,借道到内地市场开展业务。 联华电子股东大会对董事会主席曹兴诚的内地战略表示支持,并且批准了获取和舰科技15%股份的决议。根据联华电子与和舰科技高管此前签署的口头协议,为了报偿联华电子此前提供的协助,以及双方未来将开展的合作,和舰科技将无偿向联华电子提供15%的股份。台湾当局上周表示,联华电子获得和舰科技股份违反了相关法规。 由于担心大量业务和先进技术流入内地,台湾当局一直限制台湾芯片厂商到内地投资。目前,联华电子主要竞争对手台积电是唯一获准在内地修建芯片工厂的台湾厂商。曹兴诚今天表示:“联华电子从来没有对和舰科技进行投资,也没有转让过技术。”他同时称,联华电子已经将联华电子日本公司同和舰科技合并的计划提交给台湾当局首脑。 今年3月21日,曹兴诚在一份声明中称:“联华电子与和舰科技两家公司的高管曾达成口头协议,为了报偿联华电子此前提供的协助,以及双方未来将开展的合作,和舰科技将无偿向联华电子提供部分股份。此外,两家公司将在适当的时间合并。”他同时称,由于台湾当局的限制,到目前为止联华电子几乎没有在内地开展任何业务,这使得联华电子很难为内地客户提供支持。曹兴诚说:“如果不同和舰科技建立合作关系,我们的很多订单都会被竞争对手抢走。” 曹兴诚今天再次重申,联华电子并没有免费向和舰科技提供专利,在同和舰科技打交道的过程中也没有违反台湾当局的相关法规。他表示,联华电子之所以向和舰科技提供支持,主要因为这家内地芯片厂商的成功对该公司自身有益。但台湾“经济部”的一位发言人6月10日表示:“获得内地企业15%的股份就是投资,从理论上讲这种行为违反了当局的相关规定。”这位发言人同时称,联华电子还没有向台湾当局提交投资和舰科技的申请。他说:“我们将要求联华电子尽快撤出投资。” 今年4月,台湾“行政院金融监督管理委员会”对曹兴诚处以新台币300万元(约合95214美元)的罚款,理由是曹兴诚没有及时公布联华电子同和舰科技之间的联系。
据来自中国台湾半导体行业的消息,台湾当局计划批准更多厂商到内地修建晶圆厂。 消息人士称,台湾当局计划最多批准五家芯片厂商到内地修建200毫米芯片晶圆厂,而不是此前业界预计的三家。台湾当局将于今年底对这一限额进行审核。分析人士认为,台湾当局此举可能是为了给联华电子收购内地芯片厂商和舰科技铺平道路。联华电子是全球第二大芯片代工厂商。据业内人士透露,联华电子此前通过向和舰科技转移技术、人才和订单获得了后者大约6%的股份。 也有分析人士猜测,台湾当局并不想让联华电子独享在内地开展业务的优势,这是其它芯片厂商获准在内地建厂的直接原因。有消息称南亚科技最有希望获准在内地建厂,不过该公司表示对此并不感兴趣。事实上,到目前为止只有台积电已经获准在内地修建晶圆工厂。 除了已经提到的联华电子、台积电和南亚科技,另外两家有望获准在内地建厂的台湾芯片厂商为茂德科技和力晶半导体公司。
据海外报道,安捷伦科技公司已决定出售其半导体产品部门,知情人士示此项业务的出售可能为安捷伦科技带来15亿-20亿美元甚至更多的收入。 高盛集团将负责安排此项业务出售。虽然半导体产品部门在安捷伦科技去年70亿美元的收入中贡献了20亿,但此前一直在拖累安捷伦科技的盈利能力。该业务部门设计和生产用于光纤、大型电脑存储器和手机的晶片,在全球拥有员工6,800人,其中5,000人在亚洲。 安捷伦科技首席财务长Adrian Dillon上个月在JP摩根的一次科技会议上曾暗示过上述变化。当时他曾表示,半导体对该公司而言不属于核心业务,而且公司各个部门的价值也没有得到市场的全面认可。 安捷伦科技中国的发言人表示,作为上市公司,安捷伦科技没有进行任何宣布,她对此拒绝置评。不过知情人士表示安捷伦近日有大事发生。 目前,安捷伦在中国拥有大约1100名员工。在2005年,伴随投资的加大,安捷伦将在中国新增雇员400名左右,使员工总数达到1500名。安捷伦大中华区总裁、安捷伦(中国)投资公司董事会主席兼总裁詹文寅说,2005年是安捷伦正式从惠普剥离后的第6个年头,也是安捷伦在中国至关重要的一年。他表示,安捷伦将继续加大在华的投资力度,将扩大研发制造机构规模。 安捷伦科技有限公司(中国)总经理兰涛表示,2005年,安捷伦在华的几个业务生命线仍是通信、半导体、生命科学和化学分析,他透露,安捷伦将在中国的现有实体和新项目中继续投资3000万美元以上,并且,目前安捷伦与成都先锋电子集团合资的安捷伦前锋电子科技(成都)公司是安捷伦的一项重要投资。
LSI Logic近日宣布:RapidChip Integrator2™平台ASIC系列中再添两款slices,为ASIC和FPGA设计者提供大批量应用的低风险、低成本解决方案。新款RapidChip slices无需掩模费、NRE开支低于50K、100K美元批量单片价格仅要6美元,提供了用于工业、国防、高端消费电子产品等领域的最高成本效益系统解决方案。 LSI逻辑目前正在使用一种简便的快速设计流程,以尽可能低的成本价格提供新的RapidChip Integrator2 平台 ASIC slices。在极低的单片价格及NRE支出外,还免费提供LSI逻辑评估版RapidWorx工具包和与Synplicity合作开发的Amplify RapidChip物理综合工具。 新RapidChip Integrator2 slices也为消费电子、工业市场FPGAs提供一种替代选择。批量单价仅为$6,塑料方型扁平式(Plastic Quad Flat Pack, PQFP)封装比可编程架构提供更多门和内存,是此类市场中依赖于低价量产解决方案开发产品的设计师的理想选择。 RapidChip Integrator2 slices有两种配置:0.5M门逻辑、0.9MB嵌入式阵列RAM和0.85M门逻辑、1.5MB嵌入式阵列RAM。阵列RAM技术为高吞吐设计提供架构柔性,包含有由若干双通道18Kbit内存块(一个slice中最高达84块)。这些内存可以简单配置为单独内存或者联结为较大的内存。这种阵列方式提供了可配置为shallow/wide或者deep/narrow的内存,以满足设计者的需要。
长虹-电子科大IC设计联合实验室成立签约暨揭牌仪式6月3日在成都电子科技大学举行。公司副总经理郑光清、电子科技大学副校长韩春林代表双方为联合实验室签约并揭牌,这是自去年12月8日长虹和电子科大签署战略合作以来,在科技研发项目上迈出的又一最具实质性的一步。 在签字仪式上,韩副校长认为,IC设计联合实验室的成立,标志着校企合作已经向高端技术领域迈出了实质性的一步,他希望双方紧密合作,共同实现校企目标。 郑副总经理在讲话中指出,长虹-电子科大IC设计联合实验室挂牌成立,为双方在自主知识产权的集成电路设计方面奠定了坚实的基础。他认为,有了这个良好的开端,双方将在资金、技术、资源等方面实现共享,充分发挥各自领域的优势,多出新项目,实现共赢。 出席IC设计联合实验室成立签约暨揭牌仪式的还有从美国硅谷归来的长虹集成电路设计公司筹备组组长杨刚博士等。活动结束后,郑副总一行等还参观了IC设计、EAD实验室,双方技术开发人员还进行了深入沟通和交流。
英飞凌科技公司(Infineon)和南亚科技公司近日联合宣布,由英飞凌和南亚科技在英飞凌德国德累斯顿研发中心联合开发的90纳米DRAM技术成功通过认证。两家公司联合开发的90纳米内存产品获得了主要客户的认可,并通过了英特尔的验证。在英飞凌公司德累斯顿300mm晶圆生产线上,90纳米DRAM产品已经开始批量生产。作为全球第二个引进90纳米技术的DRAM制造商,英飞凌在5月底之前已经成功将其DRAM全球产量的5%从110纳米工艺转换成90纳米工艺。英飞凌和南亚科技的合资公司台湾华亚半导体公司现在已经开始向90纳米技术转型。提前采用新一代技术将大幅降低生产成本,提高产品性能,同时也是提高DRAM生产盈利能力的最重要因素之一。 与先前的110纳米工艺相比,90纳米工艺进一步缩小了芯片尺寸,从而使每片晶圆的芯片产量可以增加30%以上。缩小芯片尺寸和使用300mm晶圆实现的生产率提高是芯片生产成本大幅下降的基础。英飞凌和南亚科技的联合开发还包括下一代70纳米制程技术。 90纳米工艺结构的推出在很大程度上得益于110纳米时代先进的193纳米光刻技术。193纳米光刻技术是缩小工艺结构不可或缺的因素。通过引进所谓的“棋盘单元阵列(checkerboard cell array)”, 只要利用标准的表面增强方法,而不需要运用复杂的高K电介质,就可以实现卓越的存储容量。 除了成本优势之外,采用更小的工艺结构是生产用于移动世界的高速、低功耗DDR2和DDR3 SDRAM的关键。随着第一件产品512Mb DDR SDRAM通过客户认证,英飞凌和南亚科技成为业界第二家采用90纳米技术生产DRAM的制造商。512Mb DDR2 SDRAM相关系列产品预计在2005年下半年推出。包括256 Mb DDR2 和1G DDR2在内的其他产品将在稍后推出。
LSI逻辑ZSP产品部门近日宣布:LSI逻辑已经将ZSP500数字信号处理器核授权给日本最大的半导体公司——瑞萨科技(Renesas)。利用ZSP®架构在性能、功耗、管脚各方面的优化均衡优势,瑞萨科技将把ZSP500核嵌入到面向高速增长的无线手持设备市场的下一代应用解决方案中。 市场分析公司Forward Concepts的总裁Will Strauss认为:“无线移动的市场非常巨大,尤其是亚洲市场。2004年,包括日本在内的亚太地区手机出货量是3.19亿,占全球出货量的45%。有如此广阔的市场前景,瑞萨科技选用ZSP500代表了正在推动无线设计的ZSP架构再次赢得一个重要的胜利。” 低功耗、一流代码密度、高效管脚内实现双MAC性能的ZSP500是3G设备等功耗敏感应用的理想选择。通过取得ZSP500的授权,瑞萨科技加入了日益增长的将ZSP解决方案用于无线移动、多媒体、VoIP等应用的领先半导体公司阵营。 瑞萨科技移动SoC设计部门高级经理Masayuki Hirokawa 说:“瑞萨科技需要极小管脚,同时满足无线设计高性能要求的处理器。ZSP500核的高性能、低功耗,加上ZSP团队的专家技术支持,这些因素的综合使ZSP500成为我们应用的胜选。” LSI逻辑 ZSP 产品部门是业界领先的信号处理器核和解决方案授权商。其ZSP处理器架构正在获得强大的推动,业已成为3G无线手机、多媒体和网络语音应用等关键市场DSP解决方案首选。ZSP致力于提供一系列软件兼容的核以满足当前SOC设计对成本、功耗和效率的要求。ZSP产品部门还提供许多标准产品,以满足小批量设计和原型执行的需求。ZSP解决方案合作伙伴利用世界一流的工具软件、EDA模型支持和大量的应用软件进一步提高了ZSP技术的威力。了解更多信息,请访问 www.zsp.com
6月3日下午,飞利浦知识产权及标准部首席执行官陆毕德接受新浪科技专访时透露了与香港东强电子集团的DVD专利纠纷内幕,并提及了飞利浦今后的在华专利政策。这是飞利浦知识产权最高负责人第一次对外公开谈及业界极其关注的“东强事件”。 几天前,飞利浦在香港起诉香港东强电子侵犯飞利浦DVD、CD的知识产权专利,索赔5000万。据悉,飞利浦起诉香港东强一事已经引起中国相关部门重视,因为东强在内地也有诸多投资,仅其下属的无锡东强数码据说有1500名员工之多,而且,唇亡齿寒,对其它中国DVD、CD企业的心理影响也是巨大的。陆毕德此次来华的重要原因之一就是与中国相关部门沟通。 对此,陆毕德说,飞利浦是1997年开始与东强电子谈判的,但最后闹到起诉东强,飞利浦也感到很遗憾,因为东强不同意。他说,东强要么是不愿意支付专利费,要么就是不愿支付那么多。他说,东强电子歪曲破坏了我们的商业原则。 对于向东强收取DVD和CD专利费的根据,陆毕德称,飞利浦对于这些光储存产品的的研发和获得专利是从上个世纪60年代就开始的,1983年开始授权DVD和CD的专利,全球已有数百家企业获得专利授权。 关于飞利浦在专利授权方面的收入,陆毕德表示,一年为两三亿美元,具体到收取中国相关企业的专利费则不便透露。 陆毕德还表示,飞利浦在华不会再降专利费,这是因为从公平起见,虽然中国为发展中国家,但还有印度等更多的不如中国的国家,“我们有一个原则,即对全球所有国家的企业公平对待” 。
LSI逻辑近日宣布:LSI逻辑董事会一致通过任命Abhi Y. Talwalkar为LSI逻辑公司总裁兼CEO。 41岁的Talwalkar将接替LSI逻辑的创始人Wilfred J. Corrigan担任公司总裁兼CEO,Talwalkar已得到了董事会的任命。 Talwalkar在加盟LSI逻辑公司之前,任英特尔公司副总裁及英特尔数字企业部门的联合总经理,该部门包括英特尔的Business Client、服务器、存储及通讯等业务。 Talwalkar在半导体领域具有20多年的管理和工程技术方面的经验,包括研究、产品开发以及市场等。 最近的12年里,Talwalkar一直在英特尔公司工作。在担任英特尔公司副总裁及英特尔数字企业部门的联合总经理之前,还担任过英特尔企业平台部门副总经理和总经理等职。在任职过程中,Talwalka主要负责英特尔企业级计算业务的研发、市场及支持等战略性工作。在加入英特尔之前,Talwalka在Sequent 计算机系统公司(目前是IBM的一个部门)、Bipolar 集成技术公司、Lattice半导体公司等担任过重要的工程技术及市场等方面的管理 职位,Talwalkar在俄勒冈州立大学获得了电机工程学士学位。
台积电(TSMC)代理CEO曾繁诚日前称,台积电不排除在大陆的深圳市开设一个设计中心或工厂的可能性。 台积电目前在大陆的上海和北京各运营着一个机构。他指出,大陆的芯片设计产业在高速增长并且年增长速度大约为80%,去年大陆已经有400家设计实体,总销售额达到10亿美元。过去几年每年大陆硅晶片消费市场已经占据全球总市场的16%,大陆已经成为硅晶片代工服务的最有潜力的市场之一。曾繁诚指出,台积电目前在深圳有一个销售团队,负责大陆东南部市场的开拓。为了扩展其用户基数,台积电可能会在深圳开设一个办公室。 台积电这位代理CEO指出,大陆业务目前只占该公司收入的1%。他把这一现状归结于台湾政府对台企业到大陆投资的设限。目前,台积电在上海的工厂提供的主要是0.25微米生产技术。但大陆的许多设计公司已经转移到0.18微米甚至0.15微米生产技术。曾繁诚负责台积电的投资计划。
英飞凌科技计划向三星和Hynix在DRAM显存市场上的主导地位发起挑战,对此,台湾的显卡制造商表示欢迎。他们相信,这种竞争将减少他们在内存上的采购成本。 英飞凌昨天宣布,他们的DRAM显存产品已经做好了大量生产的准备。英飞凌估计,到今年年底,其DRAM显存的产量将占该公司总体DRAM产量的7%到8%。 英飞凌表示,其DRAM显存产品范围将从低到中端的DDR和DDR2芯片,到高端的显卡DDR3(GDDR3)芯片。该公司声称,其所有的DRAM显存将由英飞凌在德国的12寸晶圆厂生产,无需外包。 此外,英飞凌还将加快其转移到DDR2上的进程。该公司表示,DDR2显存的需求将在今年第四季度开始起飞,而DDR2将在2006年之前完全替代DDR在显存市场上的位置。 三星和Hynix目前主导着全球的DRAM显存市场,这令到显卡市场份额占全球90%的台湾制造商没有什么选择余地。 台湾的DRAM生产商估计,显存市场在未来几年的增长将超过普通内存市场。